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公开(公告)号：CN101722778A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810305305.8
申请日：2008-10-30
申请人： 深圳富泰宏精密工业有限公司
CPC分类号： C25D11/18 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/26 , C25D11/30 , Y10T428/24612
摘要： 一种壳体的制作方法，其包括如下步骤：提供一金属基体；在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的区域成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的区域成为凸起部位；对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面；对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。一种壳体，其包括一金属基体及一形成于金属基体上的微弧氧化膜层，所述金属基体与微弧氧化膜层相结合的面上形成有凹槽，所述微弧氧化膜层上相对应金属基体该面上未形成有凹槽的区域被抛光呈现出镜面效果。
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公开(公告)号：CN101608332B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810302204.5
申请日：2008-06-19
申请人： 深圳富泰宏精密工业有限公司
IPC分类号： C25D11/04
CPC分类号： C25D11/04 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/20 , Y10T428/12458
摘要： 一种铝合金，包括一铝合金基体及形成于该基体表面的微弧氧化陶瓷膜，所述陶瓷膜包括一底部过渡层，该陶瓷膜还包括一中间致密层及一表面致密层。一种铝合金的制备方法，用以使该铝合金表面生成无疏松层的微弧氧化陶瓷膜，其包括如下步骤：将铝合金基体置于含电解液的氧化槽中；采用恒定电流对该铝合金基体进行初始氧化处理；采用正负双向脉冲电压对铝合金基体继续进行氧化处理，所述正负向电压上升到最大值后保持恒定，最大恒定正电压为450V～650V，最大恒定负电压为30V～200V，正负向脉宽为1000～10000μs，脉间为300～2000μs，所述继续氧化处理时间为30～180分钟，处理温度在20～50℃之间。
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公开(公告)号：CN101730415A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810305310.9
申请日：2008-10-30
申请人： 深圳富泰宏精密工业有限公司
CPC分类号： C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/18 , C25D11/26 , C25D11/30 , Y10T428/24612
摘要： 一种壳体，其包括一金属基体及一形成于金属基体上的微弧氧化膜层，所述微弧氧化膜层表面形成有具镜面效果的区域，在该具镜面效果的区域内蚀刻有凹槽。一种壳体的制作方法，其包括如下步骤：提供一金属基体；对该金属基体进行微弧氧化处理以在其表面形成一微弧氧化膜层；对该微弧氧化膜层进行抛光处理；在抛光后的微弧氧化膜层上蚀刻凹槽。
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公开(公告)号：CN101608332A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200810302204.5
申请日：2008-06-19
申请人： 深圳富泰宏精密工业有限公司
IPC分类号： C25D11/04
CPC分类号： C25D11/04 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/20 , Y10T428/12458
摘要： 一种铝合金，包括一铝合金基体及形成于该基体表面的微弧氧化陶瓷膜，所述陶瓷膜包括一底部过渡层，该陶瓷膜还包括一中间致密层及一表面致密层。一种铝合金的制备方法，用以使该铝合金表面生成无疏松层的微弧氧化陶瓷膜，其包括如下步骤：将铝合金基体置于含电解液的氧化槽中；采用恒定电流对该铝合金基体进行初始氧化处理；采用正负双向脉冲电压对铝合金基体继续进行氧化处理，所述正负向电压上升到最大值后保持恒定，最大恒定正电压为450V～650V，最大恒定负电压为30V～200V，正负向脉宽为1000～10000μs，脉间为300～2000μs，所述继续氧化处理时间为30～180分钟，处理温度在20～50℃之间。
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