公开(公告)号：CN107123640B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201710211604.4

申请日：2017-03-31

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/02

摘要： 本发明涉及半导体器件、电路组件及集成电路。本发明提供了一种半导体器件，其包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的第一导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区以及第二导电类型的第三掺杂区和第四掺杂区，其中第三掺杂区毗邻第一掺杂区并且位于第一掺杂区下方，第四掺杂区毗邻第二掺杂区并且位于第二掺杂区下方；隔离结构，其配置成将第一掺杂区和第三掺杂区与第二掺杂区和第四掺杂区隔离；以及第二导电类型的阱，其半导体衬底中布置在第二掺杂区和第四掺杂区下方并且毗邻第二掺杂区和第四掺杂区。

公开(公告)号：CN109906020A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910012638.X

申请日：2019-01-07

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H05K7/20

摘要： 一种电池管理系统的功率模块，所述功率模块包括：基板，基板包括正面和与正面相对的背面；设置于基板正面上的电极引出端口；设置于基板正面上，与电极引出端口连接，用于对电池进行充电控制或者放电控制的功率器件；设置于基板表面上，用于对功率器件和电极引出端口进行热管理的热管理组件，热管理组件包括设置于基板的背面的冷却器件和压贴在功率器件表面上的散热器件；以及设置于基板正面上，用于进行电气隔离的电气隔离层；本发明实施例中的功率模块能够使电池管理系统中功率开关器件的温度有效、快速地降低，提高了功率器件的散热性能，以使电池管理系统中的功率开关器件具有更高的安全性和稳定性，所述电池的充放电状态具有更高的可控性。

公开(公告)号：CN107424990B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201710212966.5

申请日：2017-03-31

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明涉及半导体器件单元、半导体器件、电路结构单元、电路结构和电路系统。半导体器件单元包括：衬底；位于所述衬底中的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述衬底中的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述衬底中的第二导电类型的第三掺杂区；隔离结构，其用于隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区以及所述第一掺杂区和所述第三掺杂区；在所述衬底中依次位于所述第三掺杂区下方的第一导电类型的第四掺杂区和第二导电类型的第五掺杂区；以及在所述衬底中位于所述第一、第二和第五掺杂区下方的第二导电类型的阱；以及与所述第二掺杂区串联连接的n个二极管，其中n为大于等于0的整数。

公开(公告)号：CN107123640A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710211604.4

申请日：2017-03-31

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/0251

摘要： 本发明涉及半导体器件、电路组件及集成电路。本发明提供了一种半导体器件，其包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的第一导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区以及第二导电类型的第三掺杂区和第四掺杂区，其中第三掺杂区毗邻第一掺杂区并且位于第一掺杂区下方，第四掺杂区毗邻第二掺杂区并且位于第二掺杂区下方；隔离结构，其配置成将第一掺杂区和第三掺杂区与第二掺杂区和第四掺杂区隔离；以及第二导电类型的阱，其半导体衬底中布置在第二掺杂区和第四掺杂区下方并且毗邻第二掺杂区和第四掺杂区。

公开(公告)号：CN109904260B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201910004530.6

申请日：2019-01-03

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L27/144

摘要： 一种光传感半导体单元，包括：具有第二导电类型的衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第四掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第四掺杂区，以及隔离所述第三掺杂区和所述第四掺杂区的隔离结构。两个耗尽区的设计比传统二极管一个耗尽区设计在吸收光生载流子的效率上大幅度提高；其次在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应，这样可以形成不同电压和光生载流子吸收效率数据信息，这能够提高光分辨灵敏度。

公开(公告)号：CN109906020B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201910012638.X

申请日：2019-01-07

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H05K7/20

摘要： 一种电池管理系统的功率模块，所述功率模块包括：基板，基板包括正面和与正面相对的背面；设置于基板正面上的电极引出端口；设置于基板正面上，与电极引出端口连接，用于对电池进行充电控制或者放电控制的功率器件；设置于基板表面上，用于对功率器件和电极引出端口进行热管理的热管理组件，热管理组件包括设置于基板的背面的冷却器件和压贴在功率器件表面上的散热器件；以及设置于基板正面上，用于进行电气隔离的电气隔离层；本发明实施例中的功率模块能够使电池管理系统中功率开关器件的温度有效、快速地降低，提高了功率器件的散热性能，以使电池管理系统中的功率开关器件具有更高的安全性和稳定性，所述电池的充放电状态具有更高的可控性。

公开(公告)号：CN109904271B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201910004799.4

申请日：2019-01-03

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L27/144

摘要： 一种光传感半导体单元，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第三掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的隔离结构。形成两个耗尽区，打入到这两个耗尽区的光生载流子才能被内建电场扫出，形成光导电流效应。两个耗尽区的设计比传统二极管一个耗尽区设计在吸收光生载流子的效率上大幅度提高；其次在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应，这样可以形成不同电压和光生载流子吸收效率数据信息，这能够提高光分辨灵敏度。

公开(公告)号：CN109904271A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910004799.4

申请日：2019-01-03

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L27/144

摘要： 一种光传感半导体单元，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第三掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的隔离结构。形成两个耗尽区，打入到这两个耗尽区的光生载流子才能被内建电场扫出，形成光导电流效应。两个耗尽区的设计比传统二极管一个耗尽区设计在吸收光生载流子的效率上大幅度提高；其次在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应，这样可以形成不同电压和光生载流子吸收效率数据信息，这能够提高光分辨灵敏度。

公开(公告)号：CN109904260A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910004530.6

申请日：2019-01-03

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L27/144

摘要： 一种光传感半导体单元，包括：具有第二导电类型的衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第四掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第四掺杂区，以及隔离所述第三掺杂区和所述第四掺杂区的隔离结构。两个耗尽区的设计比传统二极管一个耗尽区设计在吸收光生载流子的效率上大幅度提高；其次在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应，这样可以形成不同电压和光生载流子吸收效率数据信息，这能够提高光分辨灵敏度。

公开(公告)号：CN107424990A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710212966.5

申请日：2017-03-31

申请人： 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司

发明人： 宇思洋

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/0262

摘要： 本发明涉及半导体器件单元、半导体器件、电路结构单元、电路结构和电路系统。半导体器件单元包括：衬底；位于所述衬底中的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述衬底中的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述衬底中的第二导电类型的第三掺杂区；隔离结构，其用于隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区以及所述第一掺杂区和所述第三掺杂区；在所述衬底中依次位于所述第三掺杂区下方的第一导电类型的第四掺杂区和第二导电类型的第五掺杂区；以及在所述衬底中位于所述第一、第二和第五掺杂区下方的第二导电类型的阱；以及与所述第二掺杂区串联连接的n个二极管，其中n为大于等于0的整数。