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公开(公告)号：CN118363258B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410797921.9
申请日：2024-06-20
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司 , 珠海市龙图光罩科技有限公司
IPC分类号： G03F1/80
摘要： 本申请公开了一种掩模版刻蚀方法、装置、设备以及存储介质，本申请涉及半导体制造技术领域，所述掩模版刻蚀装置包括：掩模版支撑台，掩模版固定在掩模版支撑台上方；遮蔽装置，遮蔽装置设置于掩模版支撑台上方，遮蔽装置包括遮蔽器和遮蔽器移动控制模块，遮蔽器移动控制模块用于检测到遮蔽器的信号时，检测掩模版的预设目标区域和遮蔽器形成的开窗区域，并将开窗区域与预设目标区域进行比较；当开窗区域与预设目标区域一致时，对掩模版进行刻蚀。本申请能够解决如何提高掩模版刻蚀的效率和精度的技术问题。
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公开(公告)号：CN117850172A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410130232.2
申请日：2024-01-30
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本申请公开了一种曝光范围扩展方法、装置、终端设备以及存储介质，其曝光范围扩展装置应用于光刻机曝光范围扩展，包括：第一掩模台，所述掩模版基材基固定在所述第一掩模台上方；第二掩模台，所述第二掩模台设置于所述第一掩模台的外围，所述第二掩模台的几何中心和所述第一掩模台的几何中心重合，所述第二掩模台与所述第一掩模台拼接形成同一平面。实现了光刻机曝光范围扩展，提高光刻机对掩模版基材尺寸的兼容性。
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公开(公告)号：CN117289544B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311551979.7
申请日：2023-11-21
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质，所述方法包括：在透明基板上依次加工形成层叠设置的遮光层和相移层；形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补。本发明通过选择性地对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，并根据所述白缺陷的位置，选择性地对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补，适合修补高精度掩模版，而且能根据白缺陷的类型使用面修补或者局部修补的修补方式对白缺陷进行修补，提高了对白缺陷的修补能力，且相较于传统的修补方式，修补成本更低。
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公开(公告)号：CN117289544A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311551979.7
申请日：2023-11-21
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质，所述方法包括：在透明基板上依次加工形成层叠设置的遮光层和相移层；形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补。本发明通过选择性地对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，并根据所述白缺陷的位置，选择性地对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补，适合修补高精度掩模版，而且能根据白缺陷的类型使用面修补或者局部修补的修补方式对白缺陷进行修补，提高了对白缺陷的修补能力，且相较于传统的修补方式，修补成本更低。
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公开(公告)号：CN116107156A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310379779.1
申请日：2023-04-11
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种掩模版刻蚀设备、方法、系统及计算机可读存储介质，所述掩模版刻蚀设备包括真空装置，所述真空装置包括至少一通道孔；抽真空装置，所述抽真空装置设置于所述通道孔，且所述抽真空装置的两侧分别位于所述真空装置的内侧和外侧；显影蚀刻装置，所述显影蚀刻装置设置于所述真空装置的另一通道孔，其中，所述抽真空装置用于抽取所述真空装置内的空气，所述显影蚀刻装置用于对放置在所述真空装置内的待刻蚀目标物进行显影与蚀刻。本申请降低了蚀刻后掩模版铬层的侧壁角度。
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公开(公告)号：CN118363258A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410797921.9
申请日：2024-06-20
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司 , 珠海市龙图光罩科技有限公司
IPC分类号： G03F1/80
摘要： 本申请公开了一种掩模版刻蚀方法、装置、设备以及存储介质，本申请涉及半导体制造技术领域，所述掩模版刻蚀装置包括：掩模版支撑台，掩模版固定在掩模版支撑台上方；遮蔽装置，遮蔽装置设置于掩模版支撑台上方，遮蔽装置包括遮蔽器和遮蔽器移动控制模块，遮蔽器移动控制模块用于检测到遮蔽器的信号时，检测掩模版的预设目标区域和遮蔽器形成的开窗区域，并将开窗区域与预设目标区域进行比较；当开窗区域与预设目标区域一致时，对掩模版进行刻蚀。本申请能够解决如何提高掩模版刻蚀的效率和精度的技术问题。
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公开(公告)号：CN117311079A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311398106.7
申请日：2023-10-26
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种EAPSM掩模版及其制造方法，其中，EAPSM掩模版的制造方法包括以下步骤：提供基材，在第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出第一预设图案下方的相移层；沿第一预设图案刻蚀相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域；去除第一光刻胶层；在相移层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层，在第二光刻胶层上形成第二预设图案，在第二预设图案处沉积遮光层；去除第二光刻胶层，获得EAPSM掩模版。在本发明通过采用仅由透明基板、相移层和第一光刻胶层组成的基材，在沿第一预设图案刻蚀相移层时，无需刻蚀遮光层，减少了刻蚀步骤，直接获得EAPSM掩模版，减少了制造流程，提高了生产效率，遮光层的缺陷率降低。
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公开(公告)号：CN116107179B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310379785.7
申请日：2023-04-11
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本发明公开了一种掩模版的对位校准方法、装置、设备及存储介质，所述掩模版的对位校准方法应用于控制系统，所述控制系统与联动对位校准装置连接，所述联动对位校准装置包括：载具和掩模台，所述掩模台包括：联动支撑调整装置；当掩模版上版至所述载具时，控制所述载具针对所述掩模版的位置进行调整，并记录调整数据；将所述调整数据的电信号发送给所述联动支撑调整装置，以控制所述联动支撑调整装置根据所述电信号进行调整；将所述掩模版移送至所述掩模台以将所述掩模版放置在调整后的联动支撑调整装置上。从而，本发明能够减少掩模版在曝光前进行定位的时长，进而提高光刻机的生产效率。
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公开(公告)号：CN118392091B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410841312.9
申请日：2024-06-27
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司 , 珠海市龙图光罩科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种掩模版位置精度测量方法、装置、设备、介质以及产品，涉及半导体技术领域，方法包括：接收掩模版位置精度测量请求；根据所述掩模版位置精度测量请求，通过预先构建的位置精度测量系统对待测量掩模版进行测量，得到测量结果，其中，所述位置精度测量系统基于预设的温度监控平台、定位测量平台以及位置数据最大后验概率MAP构建得到。由此，将接收到的掩模版位置精度测量请求发送到由温度监控平台、定位测量平台以及最大后验概率MAP构建得到的位置精度测量系统进行测量，得到测量结果，提高制版位置的精度以及降低制造过程中多种因素导致的异常影响，提高了掩模版位置精度测量的准确性。
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公开(公告)号：CN118392091A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410841312.9
申请日：2024-06-27
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司 , 珠海市龙图光罩科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种掩模版位置精度测量方法、装置、设备、介质以及产品，涉及半导体技术领域，方法包括：接收掩模版位置精度测量请求；根据所述掩模版位置精度测量请求，通过预先构建的位置精度测量系统对待测量掩模版进行测量，得到测量结果，其中，所述位置精度测量系统基于预设的温度监控平台、定位测量平台以及位置数据最大后验概率MAP构建得到。由此，将接收到的掩模版位置精度测量请求发送到由温度监控平台、定位测量平台以及最大后验概率MAP构建得到的位置精度测量系统进行测量，得到测量结果，提高制版位置的精度以及降低制造过程中多种因素导致的异常影响，提高了掩模版位置精度测量的准确性。
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