一种纯量子点上转换发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110265561A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910521952.0

    申请日:2019-06-17

    Abstract: 本发明提供一种纯量子点上转换发光器件及其制备方法,所述器件包括由衬底依次连接的阳极层、空穴阻挡层、量子点红外吸收层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极层。所述发光器件实现了吸收光、发射光波长可调节,拥有更广泛的应用场景;不含Er、Yb等珍贵的稀土元素,制备工艺简单,成本低廉;发光性能优秀,对比度极高;可制备在柔性衬底上,应用前景广泛。

    一种红外透明导电薄膜、及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN109872835A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201910328776.9

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 本发明涉及一种红外透明导电薄膜、及其制备方法和用途。所述红外透明导电薄膜包括衬底和依次设置于所述衬底上的种子层和导电层;所述种子层为具有方铁锰矿体心立方晶体结构的材料;所述导电层为氧化铟掺杂第IIIB族化合物。本发明采用具有方铁锰矿体心立方晶体结构的材料作为种子层,采用氧化铟掺杂第IIIB族化合物作为导电层,因该种子层的晶体结构与氧化铟的晶体结构相同,进而得到的红外透明导电薄膜良好的光电性能,相对于现有技术中采用金属网栅和ITO膜网栅,具有薄膜硬度高、附着力强、红外透过率高等优势。

    一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN110197860A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201910459232.6

    申请日:2019-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途。所述晶体管包括依次连接的第一透明导电电极、空穴阻挡层、红外吸收层、介电层、金属层、第二透明导电电极、空穴注入层,空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第三透明导电电极。所述制备方法包括从第一透明导电电极开始制备或者从第三透明导电电极开始制备。本发明提供的上转换光发射光电晶体管在外加电压的作用下,可以实现红外光信号到可见光信号的转换,具有器件效率高,生产成本低廉,器件发光对比度高的优点。

    一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN110197860B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN201910459232.6

    申请日:2019-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途。所述晶体管包括依次连接的第一透明导电电极、空穴阻挡层、红外吸收层、介电层、金属层、第二透明导电电极、空穴注入层,空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第三透明导电电极。所述制备方法包括从第一透明导电电极开始制备或者从第三透明导电电极开始制备。本发明提供的上转换光发射光电晶体管在外加电压的作用下,可以实现红外光信号到可见光信号的转换,具有器件效率高,生产成本低廉,器件发光对比度高的优点。

Patent Agency Ranking