公开(公告)号：CN117317028A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311229758.8

申请日：2023-09-22

申请人： 山东大学

发明人： 李玉香 ,  郑帅英 ,  张嘉炜 ,  董立伟 ,  李志军 ,  辛倩 ,  宋爱民

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/477 ,  H01L29/51 ,  H01L21/443 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

摘要： 本发明涉及一种阈值电压受预退火温度可控的顶栅结构铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法，包括由下自上依次设置的衬底、源电极和漏电极、a‑IGZO沟道层、栅介质层、栅电极；制备a‑IGZO沟道层后进行预退火处理，预退火氛围为空气，湿度为30‑50％，退火时间为50‑70min，退火温度为200‑300℃。本发明的薄膜晶体管利用原子层沉积技术生长栅介质，提高了铟镓锌氧与栅介质的界面状态，使晶体管的亚阈值摆幅达到130‑50mV/dec。

公开(公告)号：CN116682738A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310471138.9

申请日：2023-04-27

申请人： 福建华佳彩有限公司

发明人： 余振富 ,  黄海龙 ,  林冰冰 ,  陈彦均 ,  杨朝胜

IPC分类号： H01L21/443 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786

摘要： 一种SiH4BaseSiOx绝缘膜的制备方法，包括如：将待沉积SiH4BaseSiOx绝缘层的基板透过真空传送机构置入CVD真空腔体；同时通入SiH41730sccm，N2O4660sccm，透过调压阀将腔体压力控制在1350mtorr；以7900W输出功率透过等离子体Plasma解离制程气体形成SiH4BaseSiOx薄膜沉积在玻璃基板上；沉膜完成之后关闭等离子体系统并将腔体内SiH4、N2O气体排出。本发明方法制备的是一种使用在半导体层和栅极金属层间的非金属膜SiH4BaseSiOx，此膜质特点为可以有效补偿栅极金属层在高温制程影响下产生的张应力形变，膜质覆盖性佳与金属层的搭配性强。

公开(公告)号：CN116613200A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202210121720.8

申请日：2022-02-09

申请人： 清华大学

发明人： 李黄龙 ,  杨逸飞

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/443 ,  H01L21/34 ,  H01L29/78

摘要： 本申请提供了一种非易失性可重构晶体管，包括栅电极，其上表面覆盖有绝缘层；绝缘层远离栅电极的表面内形成有沟道层、含碲源电极及含碲漏电极，含碲源电极及含碲漏电极位于沟道层的相对两侧且均与沟道层电连接；其中，通过在含碲源电极与含碲漏电极之间施加预设时间的预设激励电信号，使含碲源电极及含碲漏电极中的碲原子在电场作用下发生迁移，改变沟道层的极性，以使晶体管极性重构。上述非易失性可重构晶体管中，通过设置含碲源电极与含碲漏电极，在源电极与漏电极之间施加预设激励电信号时，使沟道层极性发生改变，且在撤去激励电信号时，沟道层仍然能够稳定的维持极性不变，从而实现晶体管在极性重构过程中的非易失特性。

公开(公告)号：CN116387361A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310206854.4

申请日：2023-03-06

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 周弘 ,  王晨璐 ,  孙斯瀚 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

摘要： 本发明公开了一种SiO2阻挡层Ga2O3垂直UMOS场效应晶体管及其制备方法，主要解决目前垂直型氧化镓场效应晶体管没有有效的源漏间电流阻挡结构和器件栅控能力不足的问题。其自下而上包括漏电极、氧化镓衬底层、氧化镓外延层、栅氧化层；外延层内部外围设有SiO2电流阻挡层，其中心设有U型凹槽和T型栅电极，其上方设有通过ALD生长的n型导电层，该n型导电层的上方设有源电极。本发明由于设有U型凹槽和T型栅电极，相对于现有结构，器件的栅控能力得到了有效提升，并能有效地遏制DIBL效应；同时由于外延层内部外围设置SiO2阻挡层，极大降低了器件源漏间漏电，提高了器件的击穿电压，可用于大功率集成电路的制备。

公开(公告)号：CN112071760B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202011111165.8

申请日：2020-10-16

申请人： 深圳力堃科技有限公司

发明人： 孙德瑞 ,  侯新祥

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/443 ,  H01L29/45

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件的制造方法包括依次在氧化镓层上形成钛层、镁层和金层，并在形成钛层之后进行第一次热退火，在形成金层之后进行第二次热退火，其中，第一次热退火的气压大于所述第二次热退火的气压，以此来形成与氧化镓的欧姆接触。

公开(公告)号：CN114597131A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210215494.X

申请日：2022-03-07

申请人： 南开大学

发明人： 徐文涛 ,  郭科鑫

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/443 ,  H01L29/10 ,  B41M5/00 ,  G06N3/063

摘要： 本发明为一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法。该方法以聚乙烯基咔唑和苯乙烯混合制得前驱体溶液，然后利用高分辨率电流体喷印设备在制备好的半导体层上打印出纳米线阵列，经蒸镀电极之后利用胶带将所制备的纳米阵列沿金属电极边缘撕下，得到纳米沟道。本发明制备的纳米沟道尺寸可控，排列整齐，可以应用于小尺寸电子器件，解决了现有技术制备电子器件尺寸限制的问题，具有操作简单、工艺简便、可大规模制备的优点，并且具备纳米沟道的人工突触器件的能量消耗被大大降低。

公开(公告)号：CN108172626B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201611114628.X

申请日：2016-12-07

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 赵宇丹 ,  霍雨佳 ,  肖小阳 ,  王营城 ,  张天夫 ,  金元浩 ,  李群庆 ,  范守善

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/443

摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层，所述半导体层设置于所述基底的一表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置于所述基底上，且分别与所述半导体层电连接；一电介质层，所述电介质层设置于所述半导体层远离所述基底的表面，且将所述半导体层、源极和漏极覆盖；一栅极，所述栅极设置于所述电介质层远离所述基底的表面；其中，所述电介质层为采用磁控溅射法制备的氧化物层，且与所述栅极直接接触。本发明的薄膜晶体管具有反常迟滞曲线。

公开(公告)号：CN109860062A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811438605.3

申请日：2018-11-29

申请人： 华映科技(集团)股份有限公司

发明人： 曾国兴

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/443 ,  H01L21/34 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

摘要： 本发明涉及一种金属氧化物晶体管制作源极漏极的方法。首先，步骤S1、利用光罩通过包括成膜、曝光、显影、蚀刻、剥膜的工艺过程依序完成栅极电极层，栅极绝缘层，半导体层制程；其次，在进行源极与漏极电极的成形工艺时，在机台端设置一个屏蔽隔板，该屏蔽隔板的开口与源极与漏极电极的图案位置、大小相应；最后采用物理气相沉积的方式，将源极与漏极电极的材料通过屏蔽隔板的开口分别沉积在栅极绝缘层、半导体层的相应位置形成源极与漏极电极，进而形成BCE结构的TFT面板。本发明方法方法使得源极与漏极电极成膜时金属不会扩散到金属氧化物层，不损害通道，且减少工艺过程，节省成本。

公开(公告)号：CN109449199A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811131561.X

申请日：2018-09-27

申请人： 华南理工大学

发明人： 姚日晖 ,  章红科 ,  宁洪龙 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  邓宇熹 ,  邓培淼 ,  周尚雄 ,  袁炜健 ,  彭俊彪

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/443 ,  H01L21/34

摘要： 本发明属于显示领域中薄膜晶体管技术领域，公开了一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述全铝透明栅极薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、堆叠栅极、Al2O3栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成，所述堆叠栅极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构。本发明的AZO/Al/AZO/Al/AZO堆叠栅极薄膜在室温下制备，且具有高透明度，高导电性等优点，该堆叠栅极材料安全无毒，制备成本低，可大面积制备，可广泛应用于透明TFT以及其他透明电子器件中。

公开(公告)号：CN108172626A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201611114628.X

申请日：2016-12-07

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 赵宇丹 ,  霍雨佳 ,  肖小阳 ,  王营城 ,  张天夫 ,  金元浩 ,  李群庆 ,  范守善

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/443

摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层，所述半导体层设置于所述基底的一表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置于所述基底上，且分别与所述半导体层电连接；一电介质层，所述电介质层设置于所述半导体层远离所述基底的表面，且将所述半导体层、源极和漏极覆盖；一栅极，所述栅极设置于所述电介质层远离所述基底的表面；其中，所述电介质层为采用磁控溅射法制备的氧化物层，且与所述栅极直接接触。本发明的薄膜晶体管具有反常迟滞曲线。