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公开(公告)号：CN106777829B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710065850.3
申请日：2017-02-06
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提供一种集成电路掩模设计的优化方法包括以下步骤，步骤S1：提供一种集成电路的全芯片设计版图，在全芯片设计版图中随机抓取多个设计版图小区域；步骤S2：对选取的设计版图小区域版图进行基于像素的掩模优化，输出每个设计版图小区域的掩模设计的像素灰度图；步骤S3：利用所述小区域掩模像素灰度图和其对应的小区域设计版图，建立BP人工神经网络模型；步骤S4：将全芯片设计版图送入所述BP人工神经网络模型，获得全芯片设计版图的掩模设计灰度图，本发明还提供一种用于存储集成电路掩模设计的计算机程序的介质。
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公开(公告)号：CN106777829A8
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710065850.3
申请日：2017-02-06
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5068 , G03F1/00 , G06F2217/12 , G06N3/04
摘要： 本发明提供一种集成电路掩模设计的优化方法包括以下步骤，步骤S1：提供一种集成电路的全芯片设计版图，在全芯片设计版图中随机抓取多个设计版图小区域；步骤S2：对选取的设计版图小区域版图进行基于像素的掩模优化，输出每个设计版图小区域的掩模设计的像素灰度图；步骤S3：利用步骤S2中获取的小区域掩膜像素灰度图和其对应的小区域设计版图，建立BP人工神经网络模型；步骤S4：将全芯片设计版图送入步骤S3所建立的BP人工网络模型，获得全芯片设计版图的掩膜设计灰度图，本发明还提供一种用于存储集成电路掩模设计的计算机程序的介质。
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公开(公告)号：CN112462577B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202011406432.4
申请日：2020-12-02
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供了一种用于光刻机照明系统的自由光瞳生成方法，在该方法中，具体实现采用Python脚本语言编写，该优化方法分为两大部分功能：首先，把微反射镜数目作为一个连续而非离散的变量进行连续函数的优化，得到连续反射镜数条件下的优化结果；然后，由于反射镜数实际是整数，将连续的反射镜数进行离散化以得到最终的优化结果。本发明提供的技术方案实际产生的自由光瞳与理想光瞳光刻性能相匹配，对反射镜光斑的位置进行优化进一步缩小了误差，有利于提高光刻工艺的分辨率。
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公开(公告)号：CN112462577A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011406432.4
申请日：2020-12-02
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供了一种用于光刻机照明系统的自由光瞳生成方法，在该方法中，具体实现采用Python脚本语言编写，该优化方法分为两大部分功能：首先，把微反射镜数目作为一个连续而非离散的变量进行连续函数的优化，得到连续反射镜数条件下的优化结果；然后，由于反射镜数实际是整数，将连续的反射镜数进行离散化以得到最终的优化结果。本发明提供的技术方案实际产生的自由光瞳与理想光瞳光刻性能相匹配，对反射镜光斑的位置进行优化进一步缩小了误差，有利于提高光刻工艺的分辨率。
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公开(公告)号：CN112348797A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011241787.2
申请日：2020-11-09
摘要： 本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法及电子设备，包括步骤：S1、提供掩模版图，掩模版图包括第一层掩模图形和第二层掩模图形；S2、获得第一层线段和第二层线段，在所述第一层线段上放置检测点；S3、设定配对规则，根据形成边型配对以及角型配对；及S4、设定第一搜索范围和第二搜索范围，搜索第一曝光图形和/或第二曝光图形，基于搜索结果计算跨接距离，根据不同的配对类型设置曝光图形的搜索范围，使得计算获得的跨接距离能准确的表征第一层掩模图形和第二层掩模图形的跨接缺陷，以更好的提高光刻制造的良率。
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公开(公告)号：CN112114501B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011148935.6
申请日：2020-10-23
摘要： 本发明提供了一种计算光刻投影物镜中朗奇剪切干涉图像的方法，在该方法中，光源发出的光从物方光栅到像方光栅的过程中采用严格的光刻矢量模型进行计算，同时可以适用于任意形状的物方、像方光栅；并且光从像方光栅到接收屏的过程中采用严格的Rayleigh‑Sommerfeld衍射积分进行计算。本发明提供的计算光刻投影物镜中朗奇剪切干涉图像的方法由于采用严格的光刻矢量模型以及Rayleigh‑Sommerfeld衍射积分进行计算，所以无需考虑物方、像方光栅的近场或远场，接收屏也无需考虑傍轴近似等因素，避免了传统测试方法局限性大导致难以精确的得到剪切干涉图像的问题。
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公开(公告)号：CN112305874A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011255868.8
申请日：2020-11-11
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供了一种衡量光瞳之间匹配程度的评价方法，该方法包括以下步骤，步骤S1：设定目标光瞳及生成光瞳；步骤S2：根据目标光瞳的光强矩阵及生成光瞳的光强矩阵计算出方均根指标值和重叠积分指标值；步骤S3：分别对目标光瞳及生成光瞳建立仿真模型，以得到目标光瞳仿真模型及生成光瞳仿真模型；步骤S4：建立测试图形组；步骤S5：应用目标光瞳仿真模型对测试图形组做掩模优化以得到掩模优化后的测试图形；步骤S6：对掩模优化后的测试图形进行仿真，并比较目标光瞳和生成光瞳在掩模优化后的测试图形上的CD差异。本发明提供的评价方法使得用户能够直观、量化地评价生成光瞳和目标光瞳之间的差异对于光刻性能的影响。
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公开(公告)号：CN112305874B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011255868.8
申请日：2020-11-11
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供了一种衡量光瞳之间匹配程度的评价方法，该方法包括以下步骤，步骤S1：设定目标光瞳及生成光瞳；步骤S2：根据目标光瞳的光强矩阵及生成光瞳的光强矩阵计算出方均根指标值和重叠积分指标值；步骤S3：分别对目标光瞳及生成光瞳建立仿真模型，以得到目标光瞳仿真模型及生成光瞳仿真模型；步骤S4：建立测试图形组；步骤S5：应用目标光瞳仿真模型对测试图形组做掩模优化以得到掩模优化后的测试图形；步骤S6：对掩模优化后的测试图形进行仿真，并比较目标光瞳和生成光瞳在掩模优化后的测试图形上的CD差异。本发明提供的评价方法使得用户能够直观、量化地评价生成光瞳和目标光瞳之间的差异对于光刻性能的影响。
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公开(公告)号：CN112114501A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011148935.6
申请日：2020-10-23
摘要： 本发明提供了一种计算光刻投影物镜中朗奇剪切干涉图像的方法，在该方法中，光源发出的光从物方光栅到像方光栅的过程中采用严格的光刻矢量模型进行计算，同时可以适用于任意形状的物方、像方光栅；并且光从像方光栅到接收屏的过程中采用严格的Rayleigh‑Sommerfeld衍射积分进行计算。本发明提供的计算光刻投影物镜中朗奇剪切干涉图像的方法由于采用严格的光刻矢量模型以及Rayleigh‑Sommerfeld衍射积分进行计算，所以无需考虑物方、像方光栅的近场或远场，接收屏也无需考虑傍轴近似等因素，避免了传统测试方法局限性大导致难以精确的得到剪切干涉图像的问题。
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公开(公告)号：CN111965935A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010928268.7
申请日：2020-09-04
摘要： 本发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种光源、偏振及掩模联合优化方法及电子设备。一种光源、偏振及掩模联合优化方法包括如下步骤：S1、输入掩模的设计版图；S2、在所述掩模的设计版图上设置多个误差监测点；S3、设定优化变量为x，所述优化变量x包括光源强度变量、偏振角度变量以及掩模变量；S4、基于Hopkins-Abbe混合光刻成像模型关联误差监测点获得关于优化变量x的目标函数cost；及S5、优化目标函数cost直至其收敛，以获得优化后的掩模、光源及偏振，基于Hopkins-Abbe混合光刻成像模型对光源强度变量、偏振角度变量以及掩模变量进行优化，使得能获得较好的工艺制造窗口。
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