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公开(公告)号：CN112993115B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201911304268.3
申请日：2019-12-17
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本申请公开了一种发光二极管，包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；第一电极和第二电极，分别与第一半导体层和第二半导体层电连接。第一电极和第二电极在衬底上的投影彼此错开，发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在衬底上的投影与第一电极在衬底上的投影和第二电极在衬底上的投影的最短间隔距离之和不大于80微米，发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例不大于72％，且第一半导体层和第二半导体层均是采用基于氮化铟镓体系的材料。通过上述方式，本申请能够有效改善电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的流明密度和流明效率，降低流明成本。
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公开(公告)号：CN111933768B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201910337157.6
申请日：2019-04-25
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/64 , H01L33/62 , H01L25/075
摘要： 本发明提供一种垂直集成单元二极管芯片，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构，二极管台面结构包括n个二极管单元，其中，n≥2，台面结构面积根据电流扩散长度确定。二极管台面结构包括第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘，其中第一导电类型焊盘与第二导电类型焊盘在台面结构同一侧；第一导电类型电极与第一导电类型焊盘连接，第二导电类型电极与第二导电类型焊盘连接。本发明解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。
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公开(公告)号：CN112635630B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011626420.2
申请日：2020-12-31
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：封装衬底，封装衬底包括封装板体以及贯穿封装板体设置的第一焊盘和第二焊盘；外延单元，外延单元以键合方式固定于封装衬底的一侧主表面上，且包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中第一焊盘与第一半导体层电连接，第二焊盘与第二半导体层电连接。通过上述方式，本申请不需要在外部打线电连接焊盘与半导体层，得到一种新外形结构的无打线发光二极管，有效提高发光二极管的可靠性和良率。
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公开(公告)号：CN113594307A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110705796.0
申请日：2021-06-24
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底；第一功能层，包括顺序连接的第一子部、第二子部和第三子部；第二功能层，包括顺序连接的第四子部、第五子部和第六子部；发光二极管；其中，第一子部与第四子部组成支撑部，二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部，二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中，支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度，且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式，能够提高悬空发光部转移的成功率。
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公开(公告)号：CN111063773B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201911286172.9
申请日：2019-12-13
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本申请公开了一种衬底、LED及其制造方法，该衬底包括：衬底主体，衬底主体的一侧主表面上一体形成有彼此间隔排布且突出于主表面的多个转移支撑结构；转移牺牲层，层叠设置于衬底主体的主表面上，并使得转移支撑结构远离衬底主体的端部外露，其中衬底主体针对特定蚀刻液的耐受度大于转移牺牲层。通过上述方式，本申请提供的衬底能够在后续生成LED单元后通过对转移牺牲层进行蚀刻，而利用转移支撑结构相对于衬底主体悬空支撑LED单元，减小LED单元与衬底之间的附着力，降低分离和转移难度。进一步，上述方式可以提高LED单元在衬底上的排布密度，减少LED芯片面积的损失，降低LED的制造成本。
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公开(公告)号：CN113036012A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911356240.4
申请日：2019-12-25
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本发明提供一种高出光率集成单元二极管芯片，包括第一导电类型电极，第二导电类型电极，及远离第一导电类型电极的一侧形成n个二极管台面结构和沟槽结构，所述第二导电类型电极线沿所述第二导电类型层之上的沟槽延伸，所述延伸的第二导电类型电极线之间形成n个二极管单元台面结构，其中，n≥2，相邻二极管单元在垂直于所述第二导电类型电极线延伸方向上的距离根据电流扩散长度确定；所述第二导电类型电极、透明电极和第二导电类型层在垂直于台面的方向上不连通。本发明解决了现有技术存在的透明电极厚度限制电流横向扩散和LED出光效率的问题，提高了单位面积单元二极管芯片的流明输出，降低了流明成本。
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公开(公告)号：CN112993114A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911304258.X
申请日：2019-12-17
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本申请公开了一种发光二极管，包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；第一电极和第二电极，分别与第一半导体层和第二半导体层电连接。第一电极和第二电极在衬底上的投影彼此错开，发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在衬底上的投影与第一电极在衬底上的投影和第二电极在衬底上的投影的最短间隔距离之和不大于60微米，发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例不大于67％，且第一半导体层和第二半导体层均是采用基于氮化镓体系的材料。通过上述方式，本申请能够有效改善电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的流明密度和流明效率，降低流明成本。
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公开(公告)号：CN112993108A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911284926.7
申请日：2019-12-13
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本申请公开了一种发光二极管，包括衬底、发光外延层、第一电极和多个第二电极。发光外延层包括依次层叠设置于衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层。第一电极与第一半导体层和第二半导体层中的一个电连接，第二电极与第一半导体层和第二半导体层中的另一个电连接。第一电极为面电极，该多个第二电极在衬底上的投影落在第一电极在衬底上的投影内部且彼此间隔设置。发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在衬底上的投影与相邻的两个第二电极在衬底上的投影的最短间隔距离之和不大于横向临界电极间距。通过上述方式，本申请能够有效改善电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的流明密度和流明效率，降低流明成本。
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公开(公告)号：CN112652689A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011615686.7
申请日：2020-12-30
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底的一侧的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；多个欧姆接触图案，以点阵方式间隔排布于第一半导体层或第二半导体层背离有源发光层的一侧；反射镜层，位于多个欧姆接触图案背离有源发光层的一侧，并覆盖多个欧姆接触图案及多个欧姆接触图案之间的第一半导体层或第二半导体层。通过上述方式，能够有效改善电流分布，提高电流分布均匀性，抑制大电流下效率骤降效应，并提升反射镜的反射率。
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公开(公告)号：CN112652688A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011615568.6
申请日：2020-12-30
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：外延层，外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有多个彼此间隔的台面结构，以外露部分第一半导体层；第一电极层，设置于外露的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接，其中第一电极层在多个台阶结构的间隔区域内形成互联的网状结构。通过上述方式，本申请能够得到一种新型结构的发光二极管，提高了发光二极管的可靠性。
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