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    一种电感材料及其制备方法
    4.
    发明授权
    一种电感材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN1134031C

    公开(公告)日：2004-01-07

    申请号：CN00130004.0

    申请日：2000-10-20

    申请人： 清华同方股份有限公司 ,  清华大学

    发明人： 王晓慧 ,  李龙土 ,  曲卫国 ,  岳振星 ,  马振伟 ,  周济

    IPC分类号： H01F1/34 ,  H01F41/00 ,  C04B35/26

    摘要： 本发明公开了一种电感材料及其制备方法。其特点是，它的配方成分为：主料为镍锌铜铁氧体，分子式Ni0.2Cu0.2Zn0.6，辅料助烧剂为氧化铋。配方主料含量99～99.75%，辅料含量0.25～1.0%。通过合成柠檬酸先驱体经热处理，得到粒度均匀、烧结活性高的铁氧体。粉料经球磨、造粒、成型和烧结过程。同现有技术相比，本发明可使低温烧结的电感材料提高磁导率，降低成本，缩小元件尺寸。其配方、工艺简单，性能稳定，适于工业化生产。

    一种中等介电常数高Q微波介质陶瓷材料及其制备方法
    5.
    发明授权
    一种中等介电常数高Q微波介质陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112979314B

    公开(公告)日：2022-05-10

    申请号：CN202110418887.6

    申请日：2021-04-19

    申请人： 清华大学

    发明人： 岳振星 ,  骆宇 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  卞帅帅

    IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明公开了属于电子功能材料与器件技术领域的一种中等介电常数高Q微波介质陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料由BaO、SrO、La2O3、TiO2和Al2O3构成，其重量百分比为：0.1％～3.0％BaO、0.1％～8.0％SrO、59％～74％La2O3、21％～30％TiO2、0.1％～7.0％Al2O3；所述陶瓷材料的介电常数为39.2～48.6、Q×f值为51600～89900GHz、谐振频率温度系数为‑0.8～‑30.3ppm/℃。与介电常数相近的微波介质陶瓷材料相比，本发明所述微波介质陶瓷材料具有更高的Q×f值和近零的谐振频率温度系数，有望用于制作介质谐振器、介质滤波器和微波电容器等高性能微波器件。

    一种近零频率温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法
    6.
    发明授权
    一种近零频率温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN1282625C

    公开(公告)日：2006-11-01

    申请号：CN200510011657.9

    申请日：2005-04-29

    申请人： 清华大学

    发明人： 岳振星 ,  赵飞 ,  李龙土 ,  桂治轮

    IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

    摘要： 一种近零频率温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质材料及其制造技术领域。陶瓷化学式：Ca1-xZnxLa4Ti5O17，x＝0.005～0.4。以CaCO3、ZnO、La2O3、TiO2为原料，湿磨混合，烘干制成粉料，在1100～1200℃煅烧，再湿磨、烘干后加入聚乙烯醇(PVA)，压制成型，在高温炉中烧结2～4小时制成微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷介电常数在56～58之间，Q×f值在8200～18500GHz之间，谐振频率温度系数小于15%；可广泛用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造，满足移动通信、卫星通信等系统的技术需求，增加了中等介电常数微波介质陶瓷材料的种类。

    高磁导率低温烧结中高频叠层片式电感材料及制备方法
    7.
    发明公开
    高磁导率低温烧结中高频叠层片式电感材料及制备方法 无效

    公开(公告)号：CN1405800A

    公开(公告)日：2003-03-26

    申请号：CN02146687.4

    申请日：2002-11-05

    申请人： 清华大学

    发明人： 王晓慧 ,  屈卫国 ,  李龙土 ,  周济 ,  桂治轮 ,  岳振星 ,  张力

    IPC分类号： H01F1/34 ,  H01F41/02 ,  H01F17/04

    摘要： 本发明公开了属于电感器材料制备技术范围的一种高磁导率低温烧结中高频叠层电感器材料及其制备方法。它是以Ag为内电极，与软磁性铁氧体(Ni0.2－xCu0.2Zn0.6+xO)(Fe2－yMnyO3+0.5y)1－z及助烧剂Bi2O3，在860□～950□温度范围内进行烧结。获得高磁导率中高频片式电感MLCI材料，材料的室温初始磁导率可控制在600～1000之间，陶瓷晶粒尺寸≤2μm。同现有技术相比，本发明可以使低温烧结电感材料磁导率提高到1000，适用于生产大容量，小尺寸的片式电感元件。其配方及工艺简单，性能稳定，适于工业化生产。具有广泛的应用前景和巨大的经济价值。

    一种轻质多孔高Q微波介质陶瓷及其制备方法
    8.
    发明公开
    一种轻质多孔高Q微波介质陶瓷及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN110590395A

    公开(公告)日：2019-12-20

    申请号：CN201910948300.5

    申请日：2019-10-08

    申请人： 清华大学

    发明人： 岳振星 ,  陈雨谷 ,  骆宇 ,  郭蔚嘉 ,  卞帅帅

    IPC分类号： C04B38/06 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，尤其涉及一种轻质多孔高Q微波介质陶瓷及其制备方法，通过将微波介质陶瓷粉体和造孔剂按一定比例在酒精中混合球磨，干燥后过筛、干压成型、烧结，可得到气孔率为7.6％–28.3％、介电常数为56.2–82.2、Q×f值为8600–10000GHz、谐振频率温度系数为16.3–21.1ppm/℃的轻质高Q的Ba4[(Sm0.3Nd0.7)0.9Bi0.1]28/3Ti18O54微波介质陶瓷。本发明的制备方法能在保持微波介质陶瓷的谐振频率温度系数基本不变的前提下调控介电常数和Q×f值。

    一种陶瓷-聚合物复合微波材料及其制备和应用方法
    9.
    发明公开
    一种陶瓷-聚合物复合微波材料及其制备和应用方法 有权

    公开(公告)号：CN103387704A

    公开(公告)日：2013-11-13

    申请号：CN201310334947.1

    申请日：2013-08-02

    申请人： 清华大学

    发明人： 张力 ,  岳振星 ,  李龙土

    IPC分类号： C08L23/06 ,  C08L23/12 ,  C08L25/06 ,  C08K9/10 ,  C08K9/06 ,  C08K9/04 ,  C08K3/22

    摘要： 本发明属于微波介质材料制造领域，特别涉及一种陶瓷-聚合物复合微波材料及其制备和应用方法。该复合微波材料由陶瓷相和聚合物相两相组成，其中聚合物相作为基体材料，微波介质陶瓷相作为填充材料，通过将微波介质陶瓷用包裹材料包裹后形成微波介质陶瓷相，再填充到聚合物相中得到，所述微波介质陶瓷相的体积含量为0～50%，聚合物相的体积含量为50～100%。该复合材料的制备方法为：先采用有机物或偶联剂对陶瓷粉料进行表面改性，再用少量聚合物包裹后，采用挤出成型工艺加工。该复合材料在微波频率（约10GHz）下的介电常数为3-13，介质损耗为0.0003-0.001，可应用于微带天线、微波基板等微波器件。

    一种高储能密度的铁电膜材料及其制备方法
    10.
    发明公开
    一种高储能密度的铁电膜材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN102992757A

    公开(公告)日：2013-03-27

    申请号：CN201210473633.5

    申请日：2012-11-20

    申请人： 清华大学

    发明人： 岳振星 ,  谢镇坤 ,  彭斌

    IPC分类号： C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明公开了一种高储能密度的铁电膜材料及其制备方法，所述膜材料包括膜和基片，所述膜的组成为xBi(Ni1/2Ti1/2)O3-(1-x)PbTiO3，其中0.1≤x≤0.55，该膜以Bi(Ni1/2Ti1/2)O3和PbTiO3陶瓷为基体材料，所述膜的介电常数εr为400-900，低介电损耗为2-4%，储能密度为20-50 J/cm3。该膜材料采用在镀铂硅片上沉积形成结构致密、成分均匀的铁电薄膜。该膜材料具有优良的介电、铁电性能，高击穿场强和高储能密度，相比目前实际应用的电容器的储能密度高出一个数量级，在高温高功率器件中有很大的潜在应用前景，可以作为高功率大容量电容器开发和应用的关键材料。