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公开(公告)号：CN1350307A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN00130004.0
申请日：2000-10-20
申请人： 清华同方股份有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明公开了一种高性能低烧中高频叠层片式电感材料及其制备方法。其特点是,它的配方成分为:主料为镍锌铜铁氧体,分子式Ni0.2Cu0.2Zn0.6,辅料助烧剂为氧化铋。配方主料含量99～100%,辅料含量0～1.0%。通过合成柠檬酸先驱体经热处理,得到粒度均匀、烧结活性高的铁氧体。粉料经球磨、造粒、成型和烧结过程。同现有技术相比,本发明可使低烧的电感材料提高磁导率,降低成本,缩小元件尺寸。其配方、工艺简单,性能稳定,适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN1174443C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01120531.8
申请日：2001-07-19
申请人： 清华同方股份有限公司 , 清华大学
CPC分类号： C04B35/2633 , C04B35/265 , C04B35/6261 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3265 , C04B2235/3267 , C04B2235/327 , C04B2235/3277 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/767 , H01F1/348 , H01F1/37
摘要： 本发明涉及一种甚高频片感材料的制备方法。现有技术中尚无高性能低烧铁氧体材料，只能用低介陶瓷作为介质制作低电感量的多层片式电感代替。该材料的主料为平面六角软磁铁氧体，配料为低温助烧剂。制备方法为固相反应合成法，助烧剂采用二次掺杂，通过球磨、烘干、预烧、球磨、烘干、造粒、成型、烧结等工艺获得性能优异的甚高频电感器材料，实现900℃以下低温烧结。本发明成本低、性能高、适用于300M～800MHz的甚高频段使用的片感器材料的要求。
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公开(公告)号：CN1397961A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN01120531.8
申请日：2001-07-19
申请人： 清华同方股份有限公司 , 清华大学
CPC分类号： C04B35/2633 , C04B35/265 , C04B35/6261 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3265 , C04B2235/3267 , C04B2235/327 , C04B2235/3277 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/767 , H01F1/348 , H01F1/37
摘要： 本发明涉及一种甚高频片感材料的配方和制备方法。现有技术中尚无高性能低烧铁氧体材料，只能用低介陶瓷作为介质制作低电感量的多层片式电感代替。该材料的主料为平面六角软磁铁氧体，配料为低温助烧剂。制备方法为固相反应合成法，助烧剂采用二次掺杂，通过球磨、烘干、预烧、球磨、烘干、造粒、成型、烧结等工艺获得性能优异的甚高频电感器材料，实现900℃以下低温烧结。本发明成本低、性能高、适用于300M～800MHz的甚高频段使用的片感器材料的要求。
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公开(公告)号：CN1134031C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN00130004.0
申请日：2000-10-20
申请人： 清华同方股份有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明公开了一种电感材料及其制备方法。其特点是，它的配方成分为：主料为镍锌铜铁氧体，分子式Ni0.2Cu0.2Zn0.6，辅料助烧剂为氧化铋。配方主料含量99～99.75%，辅料含量0.25～1.0%。通过合成柠檬酸先驱体经热处理，得到粒度均匀、烧结活性高的铁氧体。粉料经球磨、造粒、成型和烧结过程。同现有技术相比，本发明可使低温烧结的电感材料提高磁导率，降低成本，缩小元件尺寸。其配方、工艺简单，性能稳定，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN1335629A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN00121365.2
申请日：2000-07-24
申请人： 清华同方股份有限公司
摘要： 一种叠层式电感元件层间通路的制作方法及其结构,其步骤为:利用陶瓷浆料制作陶瓷介质膜片;在陶瓷介质膜片上印制内电极;在内电极上用金属浆料预制出可导通通路的凸起;流延第二层陶瓷浆料,使各凸起点露在第二层陶瓷介质膜片上;之后将陶瓷介质膜片烘干,在有导通通路的陶瓷介质膜上再印刷第二层内电极,按照上述步骤重复制作。本发明同现有技术相比,该方法工序简单、操作容易。用该方法形成的结构,性能可靠、产品合格率高。
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公开(公告)号：CN2433714Y
公开(公告)日：2001-06-06
申请号：CN00243683.3
申请日：2000-07-24
申请人： 清华同方股份有限公司
IPC分类号： H01F17/00
摘要： 本实用新型公开了一种叠层式电感元件层间通路的结构,它包括多层由陶瓷浆料制成的陶瓷介质膜片及每层陶瓷介质膜片上印制的内电极。其结构特点是,每层内电极上用金属浆料预制出可导通各层陶瓷介质膜片之间通路的凸起。最上层内电极上覆盖有陶瓷膜片。本实用新型同现有技术相比,具有制作容易、性能可靠、连接点坚固的特点。可使产品合格率及生产效率大大提高。
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公开(公告)号：CN101269974B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810106086.0
申请日：2008-05-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/465
摘要： 本发明公开了属于超细粉制备技术领域的涉及以直接合成法合成的一种用于制备织构层状结构的钙钛矿系陶瓷纳米粉体合成方法。该方法是在常压条件下，将固相反应法合成的中间体原料和氢氧化物分散到有机溶剂中作为浆状底液，加入金属离子醇盐，再将所获得的浆状液干燥而成。本合成方法不需要经过高温煅烧，可直接制备出具有层状结构、颗粒为30～450nm、烧结活性高、成分均匀可控的陶瓷粉体。该粉体只要在干压成型和无压烧结的情况下，就可制备出具有晶粒择优取向的钙钛矿系织构陶瓷，从而大幅提高了钙钛矿系陶瓷的铁电、压电、介电性能。
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公开(公告)号：CN101269973B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810106085.6
申请日：2008-05-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/01
摘要： 本发明公开了属于超细纳米粉体制备技术，特别是涉及一种纳米级氧化物陶瓷粉体的合成方法。该方法采用加糖热解法，是在常压条件下，将金属离子源溶解到适当的的溶剂中，加入糖和发泡剂硝酸铵，再将所得到的溶液干燥，所得到的物质在较低温度下进行预烧合成纳米粉体。本合成方法不需要经过高温煅烧，抑制了团聚的产生和晶粒的过分长大，可以在较低的预烧温度下得到粒径为10～90nm、粒子分布均匀、烧结活性高、成分均匀稳定的陶瓷粉体。本合成方法对于各种氧化物纳米粉体的制备具有普适性。只要用适当的溶剂将金属离子源溶解，就可以利用本方法进行粉体的制备。所制备的粉体均有较高的化学活性，应用范围广泛。
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公开(公告)号：CN101269973A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810106085.6
申请日：2008-05-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/01
摘要： 本发明公开了属于超细纳米粉体制备技术，特别是涉及一种纳米级氧化物陶瓷粉体的合成方法。该方法采用加糖热解法，是在常压条件下，将金属离子源溶解到适当的溶剂中，加入糖和发泡剂硝酸铵，再将所得到的溶液干燥，所得到的物质在较低温度下进行预烧合成纳米粉体。本合成方法不需要经过高温煅烧，抑制了团聚的产生和晶粒的过分长大，可以在较低的预烧温度下得到粒径为10～90nm、粒子分布均匀、烧结活性高、成分均匀稳定的陶瓷粉体。本合成方法对于各种氧化物纳米粉体的制备具有普适性。只要用适当的溶剂将金属离子源溶解，就可以利用本方法进行粉体的制备。所制备的粉体均有较高的化学活性，应用范围广泛。
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