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公开(公告)号：CN115224156B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210669468.4
申请日：2022-06-14
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/113 , G11C13/04
摘要： 本发明公开了一种片上红外感存算一体的光电器件及其制备方法。制备片上红外感存算一体的光电器件的方法包括：提供衬底；在衬底的一侧表面上形成电荷俘获层；通过定点转移的方法在电荷俘获层远离衬底的一侧形成隧穿层；通过定点转移的方法在隧穿层远离衬底的一侧形成感光层；在感光层远离衬底的表面分别形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置；在形成源极和漏极之后，对感光层进行电感耦合等离子刻蚀；在源极和漏极之间形成覆盖层，覆盖层覆盖感光层远离衬底的部分表面，由此，利用该方法制备得到的器件可以将红外传感器和存储器有效集成，将红外数据实时转换并存储为电信号进而实现光数据通信与计算。
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公开(公告)号：CN115207152B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210682163.7
申请日：2022-06-15
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/067 , G06N3/08
摘要： 本发明公开了硅光原位探测与调制一体化器件及其制备方法和应用。所述器件包括：衬底；硅波导，硅波导置于衬底的部分表面上；填充层，填充层置于衬底未被硅波导覆盖的部分表面；纳米氧化钨材料层，纳米氧化钨材料层置于硅波导远离衬底的一侧；二维半导体材料层，二维半导体材料层置于纳米氧化钨材料层远离衬底的一侧；第一侧电极和第二侧电极，第一侧电极和第二侧电极分别置于纳米氧化钨材料层的两侧；绝缘层，绝缘层置于二维半导体材料层远离衬底的一侧；顶电极，顶电极置于绝缘层远离衬底的一侧。将纳米氧化钨材料与二维半导体材料结合，再与硅波导异质集成，可实现在原位光电探测的同时对波导中传输的光的幅值进行非线性调制。
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公开(公告)号：CN116027608B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310309887.1
申请日：2023-03-27
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供全光非线性调制的超表面衍射光计算器件及其制备方法，全光非线性调制的超表面衍射光计算器件包括层叠设置的光学衍射超表面、金属层、第一绝缘层、非线性二维材料层、第二绝缘层、等离子体激元和保护层，由此，本申请将光学衍射超表面与等离子体激元、非线性二维材料层进行复合，可以实现低功耗和低光学阈值的非线性光学吸收，应用于低功耗衍射光计算器件，可满足目前人工智能光计算芯片中非线性调制器件的需求。
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公开(公告)号：CN116027608A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310309887.1
申请日：2023-03-27
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供全光非线性调制的超表面衍射光计算器件及其制备方法，全光非线性调制的超表面衍射光计算器件包括层叠设置的光学衍射超表面、金属层、第一绝缘层、非线性二维材料层、第二绝缘层、等离子体激元和保护层，由此，本申请将光学衍射超表面与等离子体激元、非线性二维材料层进行复合，可以实现低功耗和低光学阈值的非线性光学吸收，应用于低功耗衍射光计算器件，可满足目前人工智能光计算芯片中非线性调制器件的需求。
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公开(公告)号：CN115224156A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210669468.4
申请日：2022-06-14
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/113 , G11C13/04
摘要： 本发明公开了一种片上红外感存算一体的光电器件及其制备方法。制备片上红外感存算一体的光电器件的方法包括：提供衬底；在衬底的一侧表面上形成电荷俘获层；通过定点转移的方法在电荷俘获层远离衬底的一侧形成隧穿层；通过定点转移的方法在隧穿层远离衬底的一侧形成感光层；在感光层远离衬底的表面分别形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置；在形成源极和漏极之后，对感光层进行电感耦合等离子刻蚀；在源极和漏极之间形成覆盖层，覆盖层覆盖感光层远离衬底的部分表面，由此，利用该方法制备得到的器件可以将红外传感器和存储器有效集成，将红外数据实时转换并存储为电信号进而实现光数据通信与计算。
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公开(公告)号：CN115207152A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210682163.7
申请日：2022-06-15
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/067 , G06N3/08
摘要： 本发明公开了硅光原位探测与调制一体化器件及其制备方法和应用。所述器件包括：衬底；硅波导，硅波导置于衬底的部分表面上；填充层，填充层置于衬底未被硅波导覆盖的部分表面；纳米氧化钨材料层，纳米氧化钨材料层置于硅波导远离衬底的一侧；二维半导体材料层，二维半导体材料层置于纳米氧化钨材料层远离衬底的一侧；第一侧电极和第二侧电极，第一侧电极和第二侧电极分别置于纳米氧化钨材料层的两侧；绝缘层，绝缘层置于二维半导体材料层远离衬底的一侧；顶电极，顶电极置于绝缘层远离衬底的一侧。将纳米氧化钨材料与二维半导体材料结合，再与硅波导异质集成，可实现在原位光电探测的同时对波导中传输的光的幅值进行非线性调制。
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