公开(公告)号：CN116387358B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310645829.6

申请日：2023-06-02

申请人： 清华大学

发明人： 刘佳鹏 ,  吴锦鹏 ,  曾嵘 ,  张君明 ,  余占清 ,  屈鲁 ,  陈政宇

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/744 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/332

摘要： 本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。本发明可以提高门极换流晶闸管关断电流的能力。

公开(公告)号：CN116387358A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310645829.6

申请日：2023-06-02

申请人： 清华大学

发明人： 刘佳鹏 ,  吴锦鹏 ,  曾嵘 ,  张君明 ,  余占清 ,  屈鲁 ,  陈政宇

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/744 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/332

摘要： 本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。本发明可以提高门极换流晶闸管关断电流的能力。

公开(公告)号：CN115881518A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211404235.8

申请日：2022-11-10

申请人： 清华大学 ,  国网湖北省电力有限公司

发明人： 曾嵘 ,  赵彪 ,  马建业 ,  吴锦鹏 ,  刘佳鹏 ,  余占清 ,  庄池杰 ,  任春频 ,  张君明

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/30 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74

摘要： 本发明提供了一种半导体器件的钝化膜制备方法、半导体器件及GCT器件。其中半导体器件的钝化膜方法包括：在半导体器件基片上形成光刻掩膜层；对所述光刻掩膜层光刻形成一个或多个刻蚀缺口，其中所述刻蚀缺口的开口面积小于底面积或者剩余光刻掩膜层的刻蚀形成的刻蚀面所在的平面与光刻掩膜层表面所在的平面形成锐角；在形成有所述刻蚀缺口的半导体器件基片上沉积隔离物质，形成不连续的钝化膜；剥离所述光刻掩膜层。本发明通过在光刻掩膜层上设置开口面积小于底面积的刻蚀缺口，利用低温沉积及剥离工艺，能够更好地解决现有技术中钝化膜制作工艺很难实现线宽的精确控制及保证整个晶圆所有区域线宽的合格的问题。