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公开(公告)号：CN112018139B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010820373.9
申请日：2020-08-14
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例提供了一种光谱芯片中的微纳结构阵列的生成方法，包括：生成二维光栅结构的步骤；将排布周期内的区域进行网格划分；对多个网格区域进行像素值的随机分配，得到与随机形状结构对应的初始图案；不同的像素值表示对应的网格区域具备不同的折射率；对初始图案进行滤波平滑处理和二值化处理，得到二值化图案；二值化图案对应一个随机形状结构。本发明实施例提供的光谱芯片中的微纳结构阵列的生成方法，可以生成互不相同的随机形状结构，使得基于该随机形状结构的二维光栅结构具有对入射光丰富的宽谱调制特性，克服了传统光谱恢复的局限性，从而有利于提高光谱恢复的精度。
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公开(公告)号：CN117014586A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210476278.0
申请日：2022-04-29
申请人： 清华大学 , 北京与光科技有限公司
IPC分类号： H04N9/31
摘要： 本发明提供一种远程光谱成像系统及方法，其中系统包括：图像生成子系统和远程显示子系统；图像生成子系统用于基于光谱成像获取待成像场景的第一显示图像，并向远程显示子系统发送第一显示图像；基于第一显示图像和所述远程显示子系统的显示图像，获取显示图像与第一显示图像的图像色差值，基于所述图像色差值对所述第一显示图像进行色差补偿，获得第二显示图像，并由所述远程显示子系统显示所述第二显示图像；所述色差值可以由色差检测子系统基于第一显示图像和远程显示子系统的显示图像计算获得。本发明提供的远程光谱成像系统及方法能够提高远程图像显示的色彩还原度。
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公开(公告)号：CN116417483A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210007045.6
申请日：2022-01-05
申请人： 清华大学 , 北京与光科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01J3/28
摘要： 本发明提供一种光谱成像芯片及光谱成像芯片的制备方法，其中光谱成像芯片包括：光探测器；所述光探测器的感光区域上集成有光谱调制单元；其中，所述光谱调制单元包括微纳调制单元，以及仅允许特定波段的光透过的滤光单元。用以解决现有技术中基于微纳调制结构光谱成像芯片方案空间分辨率低缺陷，实现对光谱成像场景的高空间分辨率捕捉，提高了光谱成像芯片的图像识别处理能力。
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公开(公告)号：CN116345271A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310370060.1
申请日：2023-04-07
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明提供一种基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生方法，包括：获取电子发射源发射的自由电子，将自由电子加速至设定速度；加速后的自由电子在外界泵浦源的作用下进行初步群聚，形成初级电子团；将初级电子团与群聚光栅相互作用产生相干电磁辐射实现电子群聚；基于相干电磁辐射在谐振腔结构中与辐射光栅形成受激放大的相干电磁辐射，增强电子群聚，缩小电子团尺寸，获得高密度的周期性群聚电子团；周期性群聚电子团与辐射光栅作用产生高阶倍频的相干电磁辐射信号，高阶倍频相干辐射从端口输出，末端窗口含金刚石窗片，输出波导与谐振腔连接。本发明解决现有室温工作的小型太赫兹电子器件频率难以提升、辐射线宽无法有效压缩的问题。
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公开(公告)号：CN116338973A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310153912.1
申请日：2023-02-17
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种基于超表面偏振分束调制的裸眼双目立体显示系统和方法，其中的系统包括：光源器件，用于根据三维图像，通过光线追踪计算得到目标图像，并基于目标图像确定第一出射光线；偏振调制器件，用于对第一出射光线进行偏振态调制，得到第二出射光线；超表面器件，用于对第二出射光线进行偏振分束，得到三维图像对应的裸眼可视的双目立体影像。该系统基于超表面器件的偏振分束功能，能够将准直的平面光源分束为有两倍信息的定向光线，产生双目视差，相较于传统的双目立体显示技术，该系统能够不损失平面分辨率，且系统具有体积小、重量轻、结构稳定以及观看者无需额外佩戴设备的优势，实现了裸眼双目立体视差的三维显示。
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公开(公告)号：CN115404552B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211353501.9
申请日：2022-11-01
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明涉及微细加工技术领域，尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的，在刻蚀过程中，保持h/hA趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，h代表反应物析出速度和沉积速度的比值，hA代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题，实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果，同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外，所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低，刻蚀小孔/槽均匀。
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公开(公告)号：CN115657203A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211400562.6
申请日：2022-11-09
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及集成光电子领域，提供一种波分复用器。波分复用器包括第一硅波导；第二硅波导，第二硅波导与第一硅波导的长度相同且宽度不同；第一硅波导和第二硅波导中的至少一个形成有波导耦合段，波导耦合段内形成有周期性褶皱结构。该波分复用器能够实现具有单一滤波通带的波分复用器。与常用的基于不等臂马赫增德尔干涉仪和两波导耦合微环谐振腔器件相比，该波分复用器只有单一滤波通带，应用于宽带光信号处理时无需器件级联。并且该波分复用器的周期性褶皱结构周期较大，且可以和芯片上硅波导通过同一刻蚀过程制备，无需附加的制备工艺，因此该波分复用器结构简单，传输特性对结构参数不敏感，便于制备。
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公开(公告)号：CN115181953A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202211099082.0
申请日：2022-09-09
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种表面等离激元薄膜的制备方法和制备多层膜超材料的方法，所述表面等离激元薄膜的制备方法包括：在磁控溅射过程中，通过调控溅射速度和原子沉积动能，制备平整度为原子级的表面等离激元薄膜，其中所述溅射速度控制在2‑5nm/min，所述原子沉积动能控制在5‑20eV。本发明通过调控溅射速度和原子沉积动能，从而可以制备出平整度为原子级、厚度可低至10nm的金属薄膜。本发明的制备方法为基于表面等离激元的集成光电子器件的生产与应用提供了重要的技术支持。另外，基于本发明的制备方法可以制备出在光频段等效折射率大于70的多层膜高折射率超材料，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN115167015A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210793132.9
申请日：2022-07-05
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种波导调制器以及波导调制器制备方法，其中，所述波导调制器包括：第一波导层、第二波导层和铌酸锂层；其中，所述铌酸锂层键合设置于所述第一波导层和所述第二波导层之间。通过本发明提供的波导调制器，可以具有低半波电压‑长度积、高调制速率、低插入损耗的光场相位调控性能。
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公开(公告)号：CN114943320A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110172869.4
申请日：2021-02-08
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种冶炼终点监测芯片、智能冶炼控制设备及制备方法，本发明在硬件芯片上嵌入了人工神经网络，将硬件芯片上的光调制层作为人工神经网络的输入层，将图像传感器作为人工神经网络的线性层，将光调制层对入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重，使得后续在使用该冶炼终点监测芯片进行冶炼终点监测时不需要再进行与输入层和线性层对应的复杂的信号处理和算法处理，可以大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。
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