基于模具全约束的微半球谐振子热成型模具及方法

    公开(公告)号:CN117142749A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311073623.7

    申请日:2023-08-24

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于模具全约束的微半球谐振子热成型模具及方法,其中的微半球谐振子热成型模具包括主体和成型球,主体上具有自其顶面向下凹陷的型腔,型腔内具有若干与主体外部连通的气孔,型腔底部具有定位孔,成型球通过定位孔放置于型腔内,成型球的形状参数与微半球谐振子内腔的形状参数相匹配,其中的微半球谐振子热成型方法采用上述的微半球谐振子热成型模具进行微半球谐振子成型。与现有技术相比,本发明采用精密加工的成型球在成型过程中对微半球谐振子的形状进行约束,能够进一步提高微半球谐振子成型的结构对称性和实现对微半球谐振子的形状参数进行控制。

    基于MEMS工艺的微半球谐振陀螺及其制造方法

    公开(公告)号:CN117190995A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311131408.8

    申请日:2023-09-04

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请提供了基于MEMS工艺的微半球谐振陀螺及其制造方法。该基于MEMS工艺的微半球谐振陀螺包括敏感结构和电极。敏感结构呈现为半球形球壳,电极限定出半球形的凹陷。敏感结构位于电极限定出的半球形的凹陷中,敏感结构和电极之间具有间隙。其制造方法包括:提供基片作为敏感结构层,在敏感结构层上设置牺牲层;提供另外的基片作为电极层,刻蚀电极层以形成中心锚点和周部;在电极层刻蚀出凹坑,键合敏感结构层和电极层,使得牺牲层位于凹坑中,中心锚点连接于敏感结构层;提供具有半球形凸出结构的模具,加热使敏感结构层、牺牲层和电极层沿模具成型以加工出半球形的凹陷,待冷却固定后去除模具和牺牲层,形成一体式的敏感结构和电极。

    一种针对半球谐振子的质量调平系统及质量调平方法

    公开(公告)号:CN117190994A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311088706.3

    申请日:2023-08-28

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本公开涉及一种针对半球谐振子的质量调平系统及质量调平方法,所述系统包括:激励模块用于激励待调平的半球谐振子产生振动;激光干涉仪包括至少两个检测探头,至少两个检测探头用于采集半球谐振子的至少两个位置的振动信息;离子束刻蚀模块,用于使用离子束对半球谐振子进行刻蚀;控制模块用于根据半球谐振子在振动衰减过程中的至少两个位置的振动信息,确定半球谐振子的振动主轴的方位以及频率裂解的大小;根据半球谐振子的振动主轴的方位以及频率裂解的大小,控制离子束刻蚀模块使用离子束对半球谐振子进行刻蚀,以实现对半球谐振子的质量调平。由此,能够实现更高精度的质量调平且自动化程度高,同时不会降低半球谐振子的品质因数。

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