-
公开(公告)号：CN115933801A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310042475.6
申请日：2023-01-28
申请人： 清华大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明属于微电子与固体电子学技术领域，涉及一种带隙基准电压源电路，包括：核心电路和误差放大器电路；核心电路包括第一电阻，第二电阻、第一三极管和第二三极管，第一电阻的输出端与第一三极管以及第二三极管的集电极连接，第二三极管的发射极与第二电阻的输入端连接，且第二三极管的基极与第二三极管的集电极连接，第一三极管与第二三极管的集电极分别与误差放大器电路中的第七PMOS管和第八PMOS管的栅极相连；核心电路与误差放大器电路形成负反馈，稳定输出的电压。其具有低误差放大器噪声传递系数，并具有输出噪声低的特性。
-
公开(公告)号：CN113794459A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111096858.9
申请日：2021-09-18
申请人： 清华大学
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明涉及一种MEMS谐振器锚点阻尼的数值表征、抑制的结构及方法，其包括：抑制区域，位于每个谐振质量块的中心位置处，且多个所述抑制区域呈对称分布；抑制结构，用于改变谐振参数抑制锚点耗散，设置在所述抑制区域内；理论不动点区域，以锚点为中心呈对称分布在连接所述谐振质量块用的支撑架上；检测结构，用于对锚点耗散进行数值表征，实现对非对称振动的检测，设置在所述理论不动点区域内。本发明通过设计不对称振动检测结构和不对称振动抑制结构，实现对于锚点耗散的实时测量表征与闭环抑制。本发明具有易于加工，不增加工艺复杂度，检测精度高，闭环抑制效果好，有效降低锚点阻尼耗散的特点。
-
公开(公告)号：CN112723298A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011607823.2
申请日：2020-12-30
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构。具体是通过在刻蚀热量集中区域，如梳齿空隙，梁结构周围等需要被刻蚀区域下方设计散热结构，散热结构连接结构层与基底层，在结构硅层刻通之前，反应产生的热量通过散热柱传递至基底；结构硅层刻通之后，反应离子将继续刻蚀散热柱，一方面不影响可动结构运动，另一方面可以解决反应离子经基底反射刻蚀结构层背面的问题。该方法优点在于结构简单，易于设计，效果明显，一致性明显，可以有效解决单锚点MEMS器件深硅刻蚀步骤的散热途径长，散热不均匀，不同部分过刻量不同以及表面刻蚀缺陷等问题。
-
公开(公告)号：CN112287488A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011228319.1
申请日：2020-11-06
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06F30/17 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及一种用于微机电器件的非线性弹性约束结构及约束方法，包括如下部件：若干固定体和一梁长约束体；若干直梁，若干所述直梁的第一端分别与若干所述固定体一一对应连接，若干所述直梁的第二端分别与所述梁长约束体连接；当所述直梁与所述梁长约束体连接的端点发生位移时，所述梁长约束体和所述固定体约束所述直梁在长度方向发生变形。本发明的非线性弹性约束结构与线性弹性约束结构相比，在相同的外力冲击下，可以减小可动部分的位移，避免可动部分与保护挡块碰撞，或减小碰撞时的撞击力，更好地保护器件微结构。
-
公开(公告)号：CN112209332A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910619306.8
申请日：2019-07-10
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法。本发明方法所形成的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层，在基底层上实现多层互联结构，优化走线布局，减小寄生电容，便于后续和外部电路之间的连接；器件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙，硅柱用于连接盖帽层上的与基底层金属电极；硅墙分别与基底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。本发明方法将真空封装与MEMS敏感结构的加工合并，避免对裸芯片二次真空封装时可能带来的污染，同时可实现双面电极制作，为非平面运动信号的检测提供可能。
-
公开(公告)号：CN106932609B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710119983.4
申请日：2017-03-02
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01P15/125 , G01C19/56
摘要： 本发明涉及一种单锚定点四质量块MEMS六轴惯性传感器，该传感器包括具有中心对称结构支撑架、锚定支撑柱和质量块的结构层，通过锚定支撑柱与结构层固定连接的基板层和附着在基板层上靠近结构层一侧的电极层；锚定支撑柱固定设置在支撑架的对称中心，四个完全相同的质量块沿以锚定支撑柱为圆心的圆周对称均匀分布，并分别通过悬臂梁与支撑架固定连接，每个质量块均能在支撑架平面内相对于支撑架运动，也能在垂直于支撑架的平面内运动；电极层与结构层保持一定间距，且电极层在基板层上的位置与质量块的位置相对应，形成检测电容、驱动电容和/或力平衡电容；通过检测电容之间的差分信号提取得到相应自由度的加速度信号和每轴的角速度信号。
-
公开(公告)号：CN106587585B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201611183128.1
申请日：2016-12-20
申请人： 沈阳市超高真空应用技术研究所 , 清华大学
IPC分类号： C03B29/06 , C03B27/012 , C03B27/00 , C03B35/00
摘要： 本发明涉及一种双腔室可控压力高温急冷热成形系统及工艺，其中，热成形系统包括：高温腔室，与高温腔室相连通的低温腔室和横向设置在低温腔室内且远离高温腔室一侧的送料杆；高温腔室包括密闭金属外壳、设置在密闭金属外壳内部的保温层、设置在密闭金属外壳上的加热电极以及载物托盘放置装置；密闭金属外壳上还设置有高温放气阀门和高温抽气阀门；高温腔室内靠近低温腔室的部分设置有隔温挡板；低温腔室由低温密闭金属外壳围成，内部包括冷却腔室、换料腔室和换料窗口；低温密闭金属外壳上还设置有低温充气阀门和低温抽气阀门；送料杆的行程能穿过低温腔室直达高温腔室的内部；高温抽气阀门与低温抽气阀门相连通。
-
公开(公告)号：CN106643455B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201611215195.7
申请日：2016-12-26
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种电容式旋变位移传感器，其特征在于，该位移传感器包括敏感结构和解调电路；敏感结构包括动尺和定尺，动尺和定尺平行设置，动尺内侧平行设置两正弦敏感电极，两正弦敏感电极之间设置耦合电极，且两正弦敏感电极和耦合电极为等势体；定尺内侧平行设置两采集电极，两采集电极之间设置激励电极；解调电路包括旋变解调模块、C‑V转换模块、差分放大模块、误差补偿模块和电源模块，旋变解调模块输出载波信号经处理发送到敏感结构后经C‑V转换模块和差分放大模块得到粗测量正交旋变信号和细测量正交旋变信号，并经旋变解调模块得到粗测量位移和细测量位移后进行误差补偿得到绝对位移，本发明可以广泛应用于非接触式电容位移传感器中。
-
公开(公告)号：CN105606083B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610128649.0
申请日：2016-03-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01C19/574
摘要： 本发明涉及一种外支撑四质量块MEMS谐振式陀螺仪，该陀螺仪包括基板层和位于基板层上方的结构层，结构层包括拥有四对称轴的八边形平面框架结构的支撑架，四根沿以支撑架对称中心为圆心的圆周对称均匀分布在支撑架外侧的锚定支撑柱，四个沿以支撑架对称中心为圆心的圆周对称均匀分布在支撑架内侧的质量块，四个分别设置在四个质量块与支撑架之间的驱动检测单元和四个分别设置在四个质量块远离支撑架一侧的驱动单元；相对的两个质量块完全相同，每个质量块接近支撑架的一侧设置有驱动检测电容可动极板、远离支撑架的一侧设置有驱动电容可动极板，质量块能在支撑架平面内产生“主模态”振动，或者产生“次模态”振动，或者同时产生“主模态”和“次模态”振动。
-
公开(公告)号：CN104931032B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510362795.5
申请日：2015-06-26
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01C19/574
CPC分类号： G01C19/574
摘要： 本发明涉及一种单锚定点四质量块MEMS谐振式陀螺仪，该陀螺仪包括基板层和位于基板层上方的结构层，结构层包括：中心对称结构的支撑架，一端键合到基板层上、另一端固定连接于支撑架对称中心的锚定支撑柱和以锚定支撑柱为中心对称均匀分布在支撑架四周、并分别通过悬臂梁连接到支撑架上的四个质量块，每个质量块均能够在支撑架平面内产生“主模态”振动，或“次模态”振动，或同时产生“主模态”和“次模态”振动；基板层上还设置有固定电容极板，每个质量块内部设置有可动电容极板，固定电容极板与可动电容极板对应组合，形成与每个质量块相对应的驱动电容、驱动检测电容、检测电容和/或力平衡电容。本发明在角速度传感器领域有很高的应用价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
96 条记录 (耗时 0.04 秒)
