公开(公告)号：CN119314892A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411344274.2

申请日：2024-09-25

Applicant: 清华大学 ,  清华四川能源互联网研究院

Inventor： 刘佳鹏 ,  吴锦鹏 ,  刘春梅 ,  徐利辉 ,  曾嵘 ,  李林东 ,  沈威武 ,  韦雷凯

IPC: H01L21/66 ,  H10D18/01 ,  H10D18/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片修复方法，所述方法包括，首先，筛选出半导体芯片中耐压不合格的电极单元，并进行标记；然后，采用激光束对半导体芯片中被标记的电极单元进行加热去除金属层。使用激光束加热金属层使之气化，激光作用时间短，效率高，且对周围区域的热辐射影响小，通过该方法修复电极单元，极大的降低了人为引入的损伤风险，提高电极单元的修复效率，从而提高半导体芯片良率。

公开(公告)号：CN118584284A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202411059810.4

申请日：2024-08-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘佳鹏 ,  吴锦鹏 ,  曾嵘 ,  潘健泓 ,  任春频 ,  兰东升 ,  李林东 ,  黄琦欢 ,  刘小元 ,  孟令尧

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/00 ,  G01R19/12 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开属于功率半导体技术领域，涉及功率半导体特性测试回路、方法、系统、设备及存储介质，所述回路包括：电流测试部分、电压测试部分和待测器件；所述电流测试部分和电压测试部分分别连接于待测器件的两端；所述电流测试部分包括电容C1、电感L和开关T；所述电压测试部分包括电容C2和电阻R3。本公开在器件开通特性测试上实现器件开通前耐受电压与开通后阳极电流上升率解耦控制，为研究功率半导体器件的开通暂态过程及其参数影响规律提供基础，使模拟和复现器件在不同的实际应用工况中开通过程更为简单便捷。