公开(公告)号：CN118050615A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410024127.0

申请日：2024-01-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 吴锦鹏 ,  刘佳鹏 ,  曾嵘 ,  沈箫童 ,  孟令尧 ,  陈政宇 ,  黄琦欢 ,  马建业 ,  武靖博

IPC: G01R31/28 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  G01R27/26

Abstract: 本发明提供了一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法，具体为：所述芯片替代结构包括PCB电路板，所述PCB电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述PCB电路板上焊接有已知容值的贴片电容；所述PCB电路板上还设有连接阳极面与贴片电容正极的通路，所述贴片电容的负极与阴极面连接。本发明使用特制的PCB电路板替代芯片，在保证封装结构、电学回路不变的前提下，令电容值已知且精确，从而提高结果的准确程度，测试无需完整产品，方法简便。

公开(公告)号：CN118584284A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202411059810.4

申请日：2024-08-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘佳鹏 ,  吴锦鹏 ,  曾嵘 ,  潘健泓 ,  任春频 ,  兰东升 ,  李林东 ,  黄琦欢 ,  刘小元 ,  孟令尧

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/00 ,  G01R19/12 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开属于功率半导体技术领域，涉及功率半导体特性测试回路、方法、系统、设备及存储介质，所述回路包括：电流测试部分、电压测试部分和待测器件；所述电流测试部分和电压测试部分分别连接于待测器件的两端；所述电流测试部分包括电容C1、电感L和开关T；所述电压测试部分包括电容C2和电阻R3。本公开在器件开通特性测试上实现器件开通前耐受电压与开通后阳极电流上升率解耦控制，为研究功率半导体器件的开通暂态过程及其参数影响规律提供基础，使模拟和复现器件在不同的实际应用工况中开通过程更为简单便捷。