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公开(公告)号：CN112104732B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202010958162.1
申请日：2020-09-11
申请人： 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
摘要： 本申请实施例公开了一种输电线路监测系统及监测方法。所述监测方法包括：通过功能节点采集至少一个与输电线路相关的监测数据并将其传输给边缘节点；通过边缘节点接收至少一个功能节点采集的监测数据，并依次通过边缘节点链式通信网络中的至少两个边缘节点将所述监测数据传递给汇集节点，其中，所述边缘节点链式通信网络包括输电线路上的至少两个具有通信连接的边缘节点；通过所述汇集节点接收来自至少一个边缘节点的数据，并发送给主站服务器。本申请通过边缘节点构成自组式边缘节点链式网络，并通过该边缘节点链式网络进行数据传输，可以解决偏远地区由于蜂窝网络无法覆盖或网络信号不好造成的监测数据无法传输或传输出错等问题。
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公开(公告)号：CN109437089B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201811243883.3
申请日：2018-10-24
申请人： 清华大学
摘要： 一种悬臂梁结构的微型电场传感器的制备工艺流程，依次进行一下步骤：蚀硅衬底材料形成对准标记，加热硅片，沉积压电薄膜PZT，图形化刻蚀，释放硅片欧姆接触区，蒸发金属电极，刻蚀悬臂梁，对硅片底部实施减薄工艺，图形化刻蚀减薄后的硅片底部，键合底座，对加工后的晶片进行划片。其有益效果是：保障了传感器件的稳定性和耐久性。
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公开(公告)号：CN110276094B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910363304.7
申请日：2019-04-30
申请人： 清华大学
摘要： 一种基于贝叶斯弹性网正则化方法的电流元三维反演方法，通过待求解参数的先验分布信息及已知的测量数据。其有益效果是：贝叶斯正则化方法克服了离散电流元计算过程中的病态性，具有较高的计算鲁棒性和准确度。另一方面，其参数选择的方式更为温和，可以设定电流元的先验分布，输出参数有一定的置信区间。
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公开(公告)号：CN110412333B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910364917.2
申请日：2019-04-30
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 一种基于球谐函数分解的电流参数弹性网正则化反演方法，其反演步骤为：建立球谐函数模型，设立磁场待测量点P以及待测量点P的磁场强度矢量值Hm公式(1)；根据安培环路定律，得到待求线电流在测量点处产生的磁场强度矢量值Hc公式(2)；在测量点处没有磁场源时，得到将Hext表示为标量磁位的形式；采用正则化方法对待求线电流进行求解。其有益效果是：采用硬件排布优化及软件算法解耦的方法减小外部干扰及计算误差，得到线电流参数反演结果；采用基于球谐函数分解的算法及正则化计算方法，仅利用数学手段实现被测电流的分离，消除外部干扰磁场的影响，提高测量精度。
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公开(公告)号：CN106556810B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201611025137.8
申请日：2016-11-18
申请人： 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明涉及静态特征优化技术领域，公开了一种基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤：步骤1、将易轴偏置场设置为恒定值，设置难轴偏置场的取值获取传感曲线；步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值hFM，将传感曲线经过目标函数优化，获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err；步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值hFM，重复步骤2；步骤4、选取不同的难轴偏置场的取值，重复步骤1‑3，获取在同一个二维坐标A的N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线；步骤5、根据所述二维坐标获取特定磁场测量范围和特定的易轴偏置场下使得绝对误差最小的难轴偏置场相应值。通过调节难轴偏置场，获得更大的线性区域。
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公开(公告)号：CN109212327A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811243889.0
申请日：2018-10-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R29/08
摘要： 一种具有悬臂梁结构的高灵敏度微型电场传感器件，包括底座，所述底座上通过固定件安装有半导体薄膜，所述半导体薄膜掺杂内镶嵌所述离子掺杂电阻区，所述压电薄膜沉积在半导体薄膜顶面。其有益效果是：保证了电场传感器具有灵敏度高、动态范围广、频率范围宽的应用目标。半导体薄膜离子掺杂区响应幅值大，器件灵敏度高。采集电力系统的稳定运行特征量外，可监测故障及各种过电压的特征，为电网故障诊断及绝缘配合等研究提供精确的大数据。易于微型化，集成化程度高，成本低，适合批量生产，因而适用于大电网线路及电气设备的密集型布置，以全面采集电气信息，反映电力系统的特征。
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公开(公告)号：CN106018942B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610493234.3
申请日：2016-06-28
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R19/25
摘要： 本发明涉及一种用于测量三相电流的电流传感器阵列及测量方法，属于传感测量技术领域。本装置包括：三相载流导线、操作平台、N个传感芯片、信号传输线、信号调理电路、模数转换装置和数据处理装置；测量时，三相载流导线和N个传感芯片组成的电流传感器阵列固定在操作平台上，三相载流导线之间间距相同，N个传感芯片按与三相载流导线的不同间距布置，每个传感芯片通过信号传输线均与信号调理电路连接，信号调理电路、模数转换装置和数据处理装置依次连接，数据处理装置对输出数据进行数值处理，得到三相载流导线的电流值。本发明量程大、精度高、成本低、无侵入、制备简易、安全可靠、安装维护方便，适合大量使用。
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公开(公告)号：CN106772149B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611027078.8
申请日：2016-11-18
申请人： 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种优化的极大磁场测量方法及装置，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点：将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，获取各隧穿磁阻电阻的阻值；根据四个电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层与参考层磁化方向的夹角；根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2；根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H0，根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ；根据方向θ对磁场强度H0进行优化。
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公开(公告)号：CN107167749A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201611022606.0
申请日：2016-11-18
申请人： 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098
摘要： 本发明公开了一种中大磁场测量方法及系统，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点包括：对于任意外加磁场，测量得到两个不同易轴方向的隧穿磁阻电阻的阻值R1，R2，同时将无磁场时两个隧穿磁阻电阻的初始参考层磁化方向作为给定的参考层磁化方向根据两个隧穿磁阻电阻的阻值分别计算两个隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角；分别根据两个隧穿磁阻电阻的给定参考层磁化方向及两个隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角计算出两个隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向；根据两个隧穿磁阻电阻的给定参考层磁化方向、两个隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向求解外加磁场的磁场幅值及方向等。
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