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公开(公告)号：CN109343025B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201810920400.2
申请日：2018-08-14
Applicant: 清华大学 , 清华大学天津电子信息研究院
IPC: G01S7/481
Abstract: 本发明公开了一种激光雷达的发射系统、探测系统及探测方法，本发明实施例采用了离散光束发射技术与相控阵式扫描技术相结合的激光雷达发射系统及方法，且本发明实施例采用APD阵列探测技术及在发射中采用的光学相控阵扫描技术相结合实现激光光束回波信号的探测，从而既提高探测精度又提高探测距离。
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公开(公告)号：CN109343025A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201810920400.2
申请日：2018-08-14
Applicant: 清华大学 , 清华大学天津电子信息研究院
IPC: G01S7/481
Abstract: 本发明公开了一种激光雷达的发射系统、探测系统及探测方法，本发明实施例采用了离散光束发射技术与相控阵式扫描技术相结合的激光雷达发射系统及方法，且本发明实施例采用APD阵列探测技术及在发射中采用的光学相控阵扫描技术相结合实现激光光束回波信号的探测，从而既提高探测精度又提高探测距离。
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公开(公告)号：CN119834064A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311330374.5
申请日：2023-10-13
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体激光器及其制作方法，涉及半导体激光器技术领域，用于减少半导体激光器的啁啾问题。该半导体激光器包括：基底；脊形波导，脊形波导设置在基底上，且沿基底的第一方向延伸；光栅，光栅设置在脊形波导的顶部，其中，光栅包括沿第一方向周期性排列的第一区域和第二区域，第一区域包括半导体材料，第二区域包括绝缘介质材料，绝缘介质材料的折射率大于半导体材料的折射率。
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公开(公告)号：CN119530965A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311107054.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓薄膜以及石墨烯范德华外延氮化镓薄膜生长方法。该方法包括以下步骤：步骤102，在衬底上制作一层第一AlN缓冲层；步骤103，在第一AlN缓冲层上转移二维材料层；步骤104，在二维材料层上制作一层第二AlN缓冲层；步骤105，在第二AlN缓冲层上形成GaN材料薄膜。本发明还提供了上述方法制备的氮化镓薄膜。该氮化镓薄膜的晶体质量较高且能够剥离，适用于高效率发光二极管的制备。
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公开(公告)号：CN119530964A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311107053.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓薄膜及准范德华外延氮化镓薄膜的生长方法。该方法包括以下步骤：步骤101，衬底上转移或直接生长得到二维材料层；步骤102，采用等离子体增强MOCVD法对所述二维材料层进行处理；步骤103，在经过处理完的二维材料层上进行准范德华外延生长氮化镓，形成氮化镓单晶薄膜。本发明还提供了上述方法制备的氮化镓薄膜。本发明所提供的方法使用等离子体增强MOCVD进行准范德华外延，能够原位完成等离子体处理和外延生长。该方法在在准范德华外延中相较于MBE设备具有生长速度快，生长数量多的特点；与传统MOCVD相比，能减少二维材料在衬底传递过程中受到污染的可能性，提高晶体生长质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118472065A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410388719.0
申请日：2024-04-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种集成超透镜的GaAs基单行载流子光电探测器，包括半导体部、金属电极和超透镜，半导体部包括自下而上同轴设置的衬底、缓冲层、n型接触层、非故意掺杂收集层、非故意掺杂吸收层、p型吸收层、p型势垒层和p型接触层，其中，非故意掺杂吸收层和p型吸收层的径向尺寸相同且小于衬底、缓冲层、n型接触层、非故意掺杂收集层、p型势垒层和p型接触层的径向尺寸；超透镜设置在p型接触层的上方，用于将入射光斑会聚到p型吸收层和非故意掺杂吸收层。本发明能同时兼顾短距离光互连系统中大带宽和高响应度。
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公开(公告)号：CN118099242A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410198280.5
申请日：2024-02-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/08
Abstract: 本发明提出了波导型探测器，所述波导型探测器包括衬底；耦合波导，所述耦合波导设置在所述衬底的一侧，所述耦合波导包括多层层叠设置的波导层；吸收层，所述吸收层设置在所述波导层背离所述衬底的表面上，所述吸收层与所述波导层直接接触，所述吸收层在所述衬底上的正投影位于所述波导层在所述衬底的正投影范围内且不重叠。由此，可以降低耦合长度，提高耦合效率，实现兼顾大带宽和高响应度的结构设计。
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公开(公告)号：CN114638349B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210099896.8
申请日：2022-01-27
Applicant: 清华大学
IPC: G06N3/06
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种光敏神经元、感存算一体化智能感知装置、方法及介质，其中，光敏神经元包括：雪崩探测器，用于在光子入射时，基于光致雪崩效应，输出电压脉冲；与所述雪崩探测器串联的自适应阻变存储器，用于在所述电压脉冲的驱动下，导电离子漂移到导电沟道形成沉积，以感知任一信号光的光场信号，和/或经过训练后，产生最大幅值的电流脉冲。由此，解决了相关技术中感存算一体化架构像素密度低的问题，大大提高光敏神经元网络像素密度，且尺寸小、功耗低和速度快。
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公开(公告)号：CN117060033A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311119719.2
申请日：2023-08-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种共面波导器件的弯曲微波馈线及其结构设计方法，包括：由下到上依次配置的第一地电极、第一信号电极和第二地电极，其中，第一地电极和第一信号电极形成的第一弯曲半径小于第一信号电极和第二地电极形成的第二弯曲半径；第一地电极和第一信号电极形成的第一弯曲半径侧为多段连续弯曲的弧线，第一地电极和第一信号电极之间设置有多个第一微结构金属电极，使得进入器件功能区电极的微波信号相位相同。由此，通过该弯曲微波馈线能够有效抑制器件非连续性弯曲引起的寄生槽线模式，解决弯曲微波馈线与器件功能区电极之间的阻抗失配问题，消除微波传输特性的周期性谐振，降低辐射损耗，增大器件带宽，提高信息容量。
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公开(公告)号：CN116505369A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310546765.4
申请日：2023-05-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/14 , H01S5/026 , H01S5/0687 , H01S5/00
Abstract: 本申请涉及一种电调相的窄线宽高稳频集成外腔激光器及稳频方法，其中，包括：输入组件，用于产生第一激光信号；移相器，用于接收输入组件传输的第一激光信号，并在预设条件下对第一激光信号进行移相得到第二激光信号；电调滤波反馈组件，用于接收第二激光信号，并对第二激光信号进行滤波获取窄谱光信号，并在预设条件下对第一激光信号进行电调谐；原子鉴频系统，用于接收窄谱光信号生成鉴频信号；控制器，用于基于鉴频信号调节移相器与电调滤波反馈结构的调谐电极电压进行稳频。由此，解决了现有热调相集成外腔窄线宽稳频激光器存在的调谐响应速度慢或功率损耗大等缺陷，导致从鉴频到移频之间时延长及鉴频信号强度较低，极大影响稳频效果等问题。
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