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公开(公告)号：CN105528486A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510894403.X
申请日：2015-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法，属于半导体器件参数提取领域。该方法先选择相同栅宽W、相同栅长L、不同Halo注入剂量的多个晶体管，将栅端偏置在相同的过驱动电压下，并求得每个晶体管的总电阻；对Halo注入剂量和总电阻进行线性拟合，将拟合曲线外推至Halo注入剂量为0，截距R即为总电阻；再选择相同栅宽W、相同Halo注入剂量N、不同栅长的多个晶体管，将栅端偏置在相同的过驱动电压下，并求得每个晶体管的总电阻；对晶体管的栅长和总电阻进行线性拟合，计算得到拟合曲线的斜率K；对栅宽W、栅长L、Halo注入剂量N的晶体管，根据公式Rsd＝R-K*L计算得到其源漏电阻Rsd。该方法适用于具有非均匀沟道掺杂的晶体管，且大幅提升源漏电阻提取精度。
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公开(公告)号：CN104638014A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510070234.8
申请日：2015-02-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种无结型多掺杂场效应晶体管，属于半导体器件制造领域，该晶体管包括：衬底、源区、沟道区、漏区、栅介质层、栅电极层：所述衬底位于结构最下面，所述源区、沟道区、漏区位于衬底之上；所述源区和漏区分别形成于沟道区两侧；所述源区、沟道区、漏区厚度均匀一致；所述源区和漏区掺杂类型和浓度相同；所述沟道区的掺杂类型与源区和漏区相同；其特征在于；所述沟道区的掺杂浓度与源区和漏区不相同；还包括形成于栅介质层和栅电极层侧面的间隔区。本发明适用于制造极短沟道晶体管，能够有效抑制器件短沟效应，提高器件的驱动能力，降低器件对于工艺浮动的敏感性。本器件形成方法与常规CMOS工艺兼容，制造工艺简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN105528486B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201510894403.X
申请日：2015-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法，属于半导体器件参数提取领域。该方法先选择相同栅宽W、相同栅长L、不同Halo注入剂量的多个晶体管，将栅端偏置在相同的过驱动电压下，并求得每个晶体管的总电阻；对Halo注入剂量和总电阻进行线性拟合，将拟合曲线外推至Halo注入剂量为0，截距R即为总电阻；再选择相同栅宽W、相同Halo注入剂量N、不同栅长的多个晶体管，将栅端偏置在相同的过驱动电压下，并求得每个晶体管的总电阻；对晶体管的栅长和总电阻进行线性拟合，计算得到拟合曲线的斜率K；对栅宽W、栅长L、Halo注入剂量N的晶体管，根据公式Rsd＝R‑K*L计算得到其源漏电阻Rsd。该方法适用于具有非均匀沟道掺杂的晶体管，且大幅提升源漏电阻提取精度。
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