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公开(公告)号：CN116207960A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310075805.1
申请日：2023-01-16
申请人： 清华大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种中点箝位型三电平变换器通用本地保护方法及电路，其包括：在中点箝位型三电平变换器运行在安全开关状态范围前提下，检测到故障信号时，中点箝位型三电平变换器中的四个功率管按照预设的开关关断顺序发出关断控制信号，以使变换器在每个关断瞬态均运行在安全开关状态。根据保护逻辑表达式，在每个功率管的驱动单元上都采用逻辑元件建立本地保护电路，该电路包括一个或门和四个与门。本发明实现了对于中点箝位型三电平变换器中的各个功率管的本地保护，以及对于该保护逻辑电路在不同位置功率管所对应的驱动单元中的通用化。本发明可以在电子电路领域中应用。
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公开(公告)号：CN114995572B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210697888.3
申请日：2022-06-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法，涉及电子电路技术领域，方法包括：获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压，同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿，无需额外的温度检测要求，使得电路设计较为简单，有利于集成实现。
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公开(公告)号：CN116260108A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310075798.5
申请日：2023-01-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H02H7/122
摘要： 本发明涉及一种中点箝位型三电平变换器本地联合保护方法及电路，其包括：根据采样得到的中点箝位型三电平变换器中功率器件的驱动状态和故障状态，对故障和异常工作模式进行保护关断动作；当检测到异常工作模式时，立刻关闭部分开关管使变换器回到安全工作状态，完成互锁；当检测到故障信号时，将开关管按照预设的关断顺序规则进行关断，以使在每个关断瞬态变换器处于安全工作状态。根据保护逻辑表达式采用逻辑元件建立本地联合保护电路，该本地联合保护电路与变换器中四个驱动单元临近放置，并与四个驱动单元的高压侧电路进行隔离通讯；本地联合保护电路输出的保护动作信号直接发回到驱动单元的高压侧，实现了保护动作的本地生成和本地执行。
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公开(公告)号：CN114995572A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210697888.3
申请日：2022-06-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法，涉及电子电路技术领域，方法包括：获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压，同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿，无需额外的温度检测要求，使得电路设计较为简单，有利于集成实现。
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公开(公告)号：CN115603722A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211333136.5
申请日：2022-10-28
申请人： 清华大学(CN)
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/28 , H03K17/284 , H03K17/567 , H03K17/687 , G01R19/00
摘要： 本发明涉及一种集成栅极延时调节功能的智能开关驱动单元及方法，其包括：驱动模块，用于接收来自低压侧的两路驱动信号，分别控制功率器件的开关；测量模块，用于对功率器件的导通电压和导通电流进行在线监测；隔离模块，用于隔离高压侧与低压侧电路，并将驱动模块和测量模块的各种信号进行隔离传输；控制模块，与隔离模块连接后，接收来自上级控制侧的驱动信号和来自高压侧测量模块传输至的电压测量信号和电流测量信号，实现对驱动信号的处理，同时执行驱动信号延时调节功能。本发明具备基本的驱动和保护能力，同时集成了栅极延时调节功能。通过调整两个驱动信号的时间差，最大限度地提高智能开关的工作效率。本发明能在电子电路领域应用。
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公开(公告)号：CN114660433A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210240281.2
申请日：2022-03-10
申请人： 清华大学
摘要： 本发明属于电子电路技术领域，涉及一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统，包括：根据SiC MOSFET的输出特性曲线，判断SiC MOSFET的导通电压是否大于第一电压阈值，若是则触发保护动作；在SiC MOSFET的开尔文极和源极之间设置寄生电感，检测寄生电感产生的感应电压，将感应电压输入积分器中，获得积分电压，判断积分电压是否小于第二电压阈值，若是则触发保护动作；将去饱和保护检测信号和开尔文保护检测信号进行或运算，然后输出总保护信号，统一触发后续保护动作。其能够对SiC MOSFET的导通电压VDK‑on、导通电流IDK‑on共同检测，有利于多种功能的集成实现。
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