-
公开(公告)号：CN116260108A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310075798.5
申请日：2023-01-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H02H7/122
摘要： 本发明涉及一种中点箝位型三电平变换器本地联合保护方法及电路，其包括：根据采样得到的中点箝位型三电平变换器中功率器件的驱动状态和故障状态，对故障和异常工作模式进行保护关断动作；当检测到异常工作模式时，立刻关闭部分开关管使变换器回到安全工作状态，完成互锁；当检测到故障信号时，将开关管按照预设的关断顺序规则进行关断，以使在每个关断瞬态变换器处于安全工作状态。根据保护逻辑表达式采用逻辑元件建立本地联合保护电路，该本地联合保护电路与变换器中四个驱动单元临近放置，并与四个驱动单元的高压侧电路进行隔离通讯；本地联合保护电路输出的保护动作信号直接发回到驱动单元的高压侧，实现了保护动作的本地生成和本地执行。
-
公开(公告)号：CN115940206A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211737497.6
申请日：2022-12-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
摘要： 本申请涉及变流器并联技术领域，特别涉及一种并联变流器的低频差模环流抑制方法、装置、设备及介质，其中，并联变流器包括第一变流器和一个台或多台第二变流器，方法包括：获取第一变流器和第二变流器的采集量；根据采集量计算得到对应变流器的第一调制波信号，利用第一变流器的第一调制波信号驱动第一变流器的各桥臂，抑制第一变流器中频率低于预设值的环流；根据第一变流器和第二变流器的并网电流计算差模环流，根据第二变流器的第一调制波信号和差模环流计算得到第二调制波信号，利用第二调制波信号驱动第二变流器的各桥臂，抑制第二变流器的环流。由此，解决了相关技术中多个变流器单元由于调制波不一致而引起的低频环流的问题。
-
公开(公告)号：CN116780924A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310545668.3
申请日：2023-05-15
申请人： 清华大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本申请涉及并联变流器技术领域，特别涉及一种并联变流器的高频差模环流抑制方法及装置，其中，方法包括：生成目标坐标系下的调制波信号；根据主变流器和至少一个从变流器的并网电流计算主从变流器之间的差模环流，并结合反馈的实际环流值生成目标控制量；基于目标控制量将至少一个从变流器的载波进行移相，得到移相后的各相的载波，并与调制波信号中各相的调制波比较，以根据比较结果生成变流器单元各桥臂的驱动信号。本申请实施例可以基于对并联变流器电路进行差模环流反馈与载波移相，有效实现了三相差模环流与高频环流的均衡抑制，简化了环流抑制过程的计算量，降低了抑制控制的复杂性，提升了电力系统安全防护的全面性，便捷可靠。
-
公开(公告)号：CN114995572A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210697888.3
申请日：2022-06-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法，涉及电子电路技术领域，方法包括：获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压，同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿，无需额外的温度检测要求，使得电路设计较为简单，有利于集成实现。
-
公开(公告)号：CN116207960A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310075805.1
申请日：2023-01-16
申请人： 清华大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种中点箝位型三电平变换器通用本地保护方法及电路，其包括：在中点箝位型三电平变换器运行在安全开关状态范围前提下，检测到故障信号时，中点箝位型三电平变换器中的四个功率管按照预设的开关关断顺序发出关断控制信号，以使变换器在每个关断瞬态均运行在安全开关状态。根据保护逻辑表达式，在每个功率管的驱动单元上都采用逻辑元件建立本地保护电路，该电路包括一个或门和四个与门。本发明实现了对于中点箝位型三电平变换器中的各个功率管的本地保护，以及对于该保护逻辑电路在不同位置功率管所对应的驱动单元中的通用化。本发明可以在电子电路领域中应用。
-
公开(公告)号：CN114995572B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210697888.3
申请日：2022-06-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法，涉及电子电路技术领域，方法包括：获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压，同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿，无需额外的温度检测要求，使得电路设计较为简单，有利于集成实现。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.038 秒)
