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公开(公告)号：CN114995572A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210697888.3
申请日：2022-06-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法，涉及电子电路技术领域，方法包括：获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压，同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿，无需额外的温度检测要求，使得电路设计较为简单，有利于集成实现。
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公开(公告)号：CN116207960A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310075805.1
申请日：2023-01-16
申请人： 清华大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种中点箝位型三电平变换器通用本地保护方法及电路，其包括：在中点箝位型三电平变换器运行在安全开关状态范围前提下，检测到故障信号时，中点箝位型三电平变换器中的四个功率管按照预设的开关关断顺序发出关断控制信号，以使变换器在每个关断瞬态均运行在安全开关状态。根据保护逻辑表达式，在每个功率管的驱动单元上都采用逻辑元件建立本地保护电路，该电路包括一个或门和四个与门。本发明实现了对于中点箝位型三电平变换器中的各个功率管的本地保护，以及对于该保护逻辑电路在不同位置功率管所对应的驱动单元中的通用化。本发明可以在电子电路领域中应用。
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公开(公告)号：CN114995572B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210697888.3
申请日：2022-06-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法，涉及电子电路技术领域，方法包括：获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压，同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿，无需额外的温度检测要求，使得电路设计较为简单，有利于集成实现。
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公开(公告)号：CN116260108A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310075798.5
申请日：2023-01-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H02H7/122
摘要： 本发明涉及一种中点箝位型三电平变换器本地联合保护方法及电路，其包括：根据采样得到的中点箝位型三电平变换器中功率器件的驱动状态和故障状态，对故障和异常工作模式进行保护关断动作；当检测到异常工作模式时，立刻关闭部分开关管使变换器回到安全工作状态，完成互锁；当检测到故障信号时，将开关管按照预设的关断顺序规则进行关断，以使在每个关断瞬态变换器处于安全工作状态。根据保护逻辑表达式采用逻辑元件建立本地联合保护电路，该本地联合保护电路与变换器中四个驱动单元临近放置，并与四个驱动单元的高压侧电路进行隔离通讯；本地联合保护电路输出的保护动作信号直接发回到驱动单元的高压侧，实现了保护动作的本地生成和本地执行。
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公开(公告)号：CN118501564A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410054724.8
申请日：2024-01-15
申请人： 清华大学 , 广东电网有限责任公司珠海供电局
摘要： 本发明涉及高频变压器领域，公开了一种高频变压器的局部最大电场强度确定方法及装置，可以对具有较高绝缘要求的高频变压器进行工程简化，得到变压器简化模型，使用镜像法以及镜像电荷迭代方式对变压器简化模型设置多个线电荷，并根据所有线电荷确定高频变压器的局部最大电场强度。本发明针对高频变压器的局部最大电场强度提出一种新的确定方式，可以有效丰富局部最大电场强度的确定方式。
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公开(公告)号：CN117910245A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410054549.2
申请日：2024-01-15
申请人： 清华大学 , 青岛云路先进材料技术股份有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G16C60/00 , G06F111/04 , G06F111/06
摘要： 本发明涉及非线性电感设计领域，公开了一种基于磁粉芯的非线性电感设计方法及装置。本发明可以在多个电感设计数据中进行遍历，确定出符合设计要求的可行设计数据以及确定相应的电感损耗值和电感体积值，并根据电感损耗值和电感体积值确定最优设计数据，实现对可行设计数据以及最优设计数据的智能确定，有效提高对非线性电感的设计效率。
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公开(公告)号：CN117375413A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311135836.8
申请日：2023-09-05
申请人： 国网智慧车联网技术有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明属于新能源汽车技术领域，具体涉及一种三电平电池充电变换器的电容平衡控制方法及装置，包括：采集三电平电池充电变换器的调制波；根据三电平电池充电变换器的调制波，控制三电平电池充电变换器中各开关管的工作状态。本申请提供的技术方案，无需采集输出电流，并且仅调整三电平电池充电变换器中各开关管的工作状态便可实现电容平衡，简化了电容平衡控制额的复杂度，降低了计算成本。
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公开(公告)号：CN113489336B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110804881.2
申请日：2021-07-16
申请人： 清华大学 , 中车株洲电力机车研究所有限公司
IPC分类号： H02M3/335
摘要： 本发明涉及一种多谐振LCLLC变换器系统及其控制方法，其包括：隔离变压器；第一变换器，设置在所述隔离变压器的原边侧；主谐振支路，设置在所述第一变换器与所述隔离变压器之间；辅助谐振支路，与所述主谐振支路并联；通过所述辅助谐振支路调整谐振电流波形，在传输相同的功率下，降低电流的有效值，减少开关器件的导通损耗；第二变换器，设置在所述隔离变压器的副边侧。本发明解决了现有技术中因拓扑等因素制约无法有效实现宽电压增益范围、功率传输受限的问题，本发明可以广泛在电网领域、电动汽车领域和储能领域中应用。
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公开(公告)号：CN113179022A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110499740.4
申请日：2021-05-08
申请人： 清华大学 , 中车株洲电力机车研究所有限公司
摘要： 本发明涉及一种双有源桥变换器无源软启动方法、系统、介质及设备，其包括：判断副边电压是否有电，有电则进入第二阶段，无电则进入第一阶段；第一阶段判断原边是否为刚启动，若为刚启动，则确定第一阶段初始时刻的内移相比；反之，则更新内移相比的值；当副边有电时，副边电压达到阈值后，副边的辅助电源开始工作，为副边开关管提供控制电，进入启动的第二阶段；在第二阶段，判断副边是否为刚启动，若为刚启动，确定第二阶段初始的外移相比；反之，则更新内移相比的值；第二阶段启动后，双有源变换器进入闭环控制，待双有源桥工作稳定后，则启动过程完成。本发明能实现快速、无冲击的启动，减小过渡过程中的电流冲击。
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公开(公告)号：CN113162388A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110499756.5
申请日：2021-05-08
申请人： 清华大学 , 中车株洲电力机车研究所有限公司
摘要： 本发明涉及一种双有源桥变换器有源软启动方法、系统及存储介质，其包括：启动双有源桥变换器后，判断是否满足预先设定的第一阶段启动条件；确定第一阶段初始的外移相比D0，原边内移相比D1和原边内移相比D2；判断是否达到第一阶段与第二阶段之间的临界状态，达到临界状态后，判断是否满足预先设定的第二阶段启动条件；第二阶段启动后，确定该阶段的双有源桥变换器的外移相比D′0，原边内移相比D′1和原边内移相比D′2；当副边母线电压上升到额定值后，完成双有源桥变换器的软启动。本发明通过采集原副边电压，对启动过程中每个开关周期的外移相值、原边内移相值、副边内移相值进行精确控制，实现每个周期的最大功率输出。
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