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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114543838B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210153096.X
申请日：2022-02-18
Applicant: 清华大学 , 北京量子信息科学研究院
IPC: G01C25/00
Abstract: 本申请公开了一种验证Sagnac效应的装置及方法，该装置包括激光器、第一分束器、第一环形器、第二环形器、光纤、光学微腔、第二分束器、合束器、第一光电探测器、锁相放大器、示波器、转台；所述方法包括通过验证Sagnac效应的装置获取拍频信号的频率；获取转台的旋转速度；根据拍频信号的频率和所述旋转速度验证Sagnac效应。该装置和方法能够对光学Sagnac效应进行验证。
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公开(公告)号：CN114543838A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210153096.X
申请日：2022-02-18
Applicant: 清华大学 , 北京量子信息科学研究院
IPC: G01C25/00
Abstract: 本申请公开了一种验证Sagnac效应的装置及方法，该装置包括激光器、第一分束器、第一环形器、第二环形器、光纤、光学微腔、第二分束器、合束器、第一光电探测器、锁相放大器、示波器、转台；所述方法包括通过验证Sagnac效应的装置获取拍频信号的频率；获取转台的旋转速度；根据拍频信号的频率和所述旋转速度验证Sagnac效应。该装置和方法能够对光学Sagnac效应进行验证。
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公开(公告)号：CN113526458B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010299877.0
申请日：2020-04-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法，步骤如下：取一片硅片，硅片表面为二氧化硅氧化层，使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法，在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形；其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀，得到微盘腔；最后将微盘腔表面光刻胶去除，并使用激光器对其进行热回流，完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀，提高了各向同性，使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备，在1550nm波段实现了108以上的品质因子，这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。
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公开(公告)号：CN113526458A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010299877.0
申请日：2020-04-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法，步骤如下：取一片硅片，硅片表面为二氧化硅氧化层，使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法，在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形；其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀，得到微盘腔；最后将微盘腔表面光刻胶去除，并使用激光器对其进行热回流，完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀，提高了各向同性，使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备，在1550nm波段实现了108以上的品质因子，这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。
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