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公开(公告)号：CN107805789B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201711238266.X
申请日：2017-11-30
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明提供了一种钌溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将粒度≤325目的钌粉冷压成型，冷压压力为250～350MPa，得到钌坯；将钌坯进行抽真空至0.008～0.12Pa后以10～20℃/min升温至790～820℃，保温30～50min后，再以5～10℃/min升温至第一温度加压，加压压力为50～70MPa；继续升温至第二温度，保温120～180min；第一温度为1000～1200℃，第二温度为1200～1350℃；最后以5～8℃/min降温至1000～1100℃，保温55～65min，卸掉压力，得到钌溅射靶材。该发明在上述工艺下制得的钌溅射靶材具有较高的密度。其相对密度大于99.5％。
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公开(公告)号：CN108220667A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810037512.3
申请日：2018-01-16
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种碲铜合金的制备方法，包括如下步骤：S1、将高纯铜与高纯碲按配比要求混合均匀后或高纯铜、高纯碲交替分层平铺后放置于一石墨坩埚内，然后通入保护气体替换石墨坩埚内的空气后密闭石墨坩埚；S2、将石墨坩埚装入一合成炉中，合炉后排净合成炉的炉膛内的空气后通入保护气体；S3、向合成炉内充入保护气体充至压强为1.0~4.5MPa，同时合成炉内温度由常温于60~90min内升至1200~1450℃，保温2~4h后随炉降温；S4、将合成炉内温度降低至低于100℃后排空合成炉内保护气体使合成炉内压强降至常压，开炉，得到碲铜合金锭。本制备方法，一步直接合成，生产效率高，碲、铜制备过程中不与其他任何工具接触，有效避免铁元素、硅杂质元素的引入，所制得的碲铜合计纯度高。
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公开(公告)号：CN104232921B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410523041.9
申请日：2014-09-30
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C22B11/02
摘要： 本发明提供了一种铂金的提纯方法，包括以下步骤：a)将待提纯的铂金在真空条件下进行熔炼，得到铂金液；b)向所述铂金液中通入含氧气的气体继续熔炼，冷却后得到铂金锭；c)将所述铂金锭在稀酸中浸泡，清洗后得到纯铂金。本发明提供的提纯方法对铂金的损耗量较低，得到纯度为99.9％的铂金时对铂金的损耗量低于3‰，大大降低了铂金坩埚的成本，节约了资源。另外，本发明提供的方法工艺步骤简单，无废液、废酸及酸雾产生，降低了后续处理的难度，减少了对环境的污染。
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公开(公告)号：CN107747128B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201711260057.5
申请日：2017-12-04
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种ZnS多晶的制备方法，将硫化锌置于管式加热炉中，通入硫化氢20～30min后升温，升至第一温度500～600℃后保温2～4h，升至第一温度后硫化氢调整通入速率；再降温得到预处理硫化锌；硫化锌的质量、硫化氢的开始通入速率和硫化氢的调整通入速率比为0.0001～15kg:1.5～2.3L/min:0.5～1L/min；将质量比100:0.3～0.8的预处理硫化锌和Al2S3混合，得到混合物；将混合物预压至50～55MPa后抽真空，真空度至4～10Pa后升温至第二温度800～1000℃，保温6～8h；升至第二温度3～5h后加压至70～90MPa，保压至10～40℃，得到ZnS多晶。
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公开(公告)号：CN103695994A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310688548.5
申请日：2013-12-17
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种锗酸铋单晶体的生长方法，该方法以Bi2O3与GeO2为原料，在超声振动、恒温的环境下进行化合反应，得到组分均一、熔融状态的锗酸铋多晶料，然后采用布里奇曼晶体生长法制备锗酸铋单晶体。本发明通过在生长坩埚部分使用超声波传感技术一步法来实现生长锗酸铋单晶体，该方法省去了传统下降法生长锗酸铋单晶体过程中利用铂坩埚熔融合成多晶料的环节，简化了锗酸铋单晶体的生长工艺，缩短了生产周期，且大大减少了贵金属铂的用量，从而降低了生产成本，同时，本发明生长方法还避免了生产过程中外界杂质元素的介入，进一步提高了锗酸铋晶体的质量。
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公开(公告)号：CN103590016A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310486488.9
申请日：2013-10-17
申请人： 清远先导材料有限公司
发明人： 文崇斌
摘要： 一种石英容器镀碳膜的方法及装置，所述方法的步骤包括：S1、将石英容器放入王水中浸泡，冲洗干净后立即放入烘干设备中烘干；S2、将待镀碳的石英容器放入位于加热炉加热区的镀碳室内，对镀碳室抽真空；S3、将已抽真空的镀碳室加热至900℃～1130℃后，进行保温处理；S4、在900℃～1130℃的温度条件及真空条件下，向镀碳室内通入甲烷气体；S5、镀膜结束后，对镀碳室抽真空，再冷却至室温后，通入空气至常压，取出已镀碳的石英容器。通过在真空条件下，直接以甲烷气体为碳源对石英容器镀碳膜，可在整个石英容器内壁形成均匀平滑、致密的碳膜层，本发明的方法操作方便，装置结构简单，可以批量的对形状不一、形状复杂的石英容器进行镀碳。
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公开(公告)号：CN108179387A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711455520.1
申请日：2017-12-28
申请人： 清远先导材料有限公司
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0623
摘要： 本发明提供了一种铜铟镓硒基系列靶材的制备方法，先将物料粉体在特定的压力下进行了冷预压，不仅可以使物料成型，而且不会在热压的时候造成喷粉现象，对于提高铜铟镓硒基系列靶材的致密度有促进作用。同时，物料粉体是在特定的真空度下进行了两次特定温度的升温与特定时间的保温，然后在一定的压力下进行保温加压，保温降压后，降温至特定温度再减压，不仅提高了铜铟镓硒基系列靶材的纯度和致密度，而且有效提高了铜铟镓硒基系列靶材的抗压强度。实验结果表明，制备得到的铜铟镓硒基系列靶材的纯度在5N以上，致密度不低于98.0％，杂质含量不超过3.16ppm。
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公开(公告)号：CN104988375B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510465894.6
申请日：2015-07-30
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明提供一种碲锰铁合金及其制备方法，所述碲锰铁合金包括碲、锰和铁，本发明碲锰铁合金用作芯料可增加包芯线的易切削性能。本发明碲锰铁合金的制备方法包括以下步骤：将200～100目碲粉、200～100目锰粉和200～100目铁粉混合，得到混合物；将所述混合物在惰性气体保护下加热，得到碲锰铁合金，本发明提供的碲锰铁合金的制备方法反应温度低且反应时间短，步骤简单，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN107117588A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710303585.8
申请日：2017-05-03
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C01B19/02 , C04B35/01 , C04B35/515 , C04B35/645
CPC分类号： C01B19/02 , C04B35/01 , C04B35/515 , C04B35/645
摘要： 本发明涉及一种碲靶的制备方法，包括如下步骤：S1：将碲制备成负325目粉末；S2：将碲粉末装入一模具中，并将模具放入真空热压炉中，对粉体预压；S3：预压后对真空热压炉进行抽真空，真空热压炉开启加热，以一定的升温速率升温至300～400℃，并保温，保温时间为T1；S4：真空热压炉降温，当温度降到150～200℃后，把压力降为20～25 Mpa；S5：真空热压炉继续降温，当温度降到室温后，开炉门，泄压脱模后，得到碲靶。本发明碲靶的制备方法步骤简单，所制备得到的碲靶的致密度高，十分接近碲靶的理论致密度，是制备碲靶的一种值得推广的方法。
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公开(公告)号：CN103880065B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410149284.0
申请日：2014-04-14
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明公开了一种硫酸铟制备方法，包括步骤：A、加热铟原料，过滤，滤液滴至表面设有流水的石英板上，制得高比表面积铟；B、加热并搅拌由所述高比表面积铟、水和浓硫酸组成的混合溶液，加热过程中加水保持混合溶液总量，得到硫酸铟溶液；C、过滤、蒸发所述硫酸铟溶液，结晶得到五水硫酸铟；D、焙烧保温所述五水硫酸铟，制得硫酸铟。本工艺简单且稳定，有效减少其他杂质污染，保证高比表面积铟的制得，整个工艺流程减少了铟的损失。本发明还公开了一种硫酸铟制备装置，用于制备硫酸铟。
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