-
公开(公告)号：CN112725890A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011566460.2
申请日：2020-12-25
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本公开提供了一种晶体生长装置及晶体生长方法。晶体生长装置包括石墨坩埚、密封罩、第一坩埚、第一密封盖、第二坩埚和加热件。密封罩具有第一密封空间和第一通孔，石墨坩埚收容于第一密封空间，密封罩还围成朝上开口的收容槽；第一密封盖密封盖设于第一坩埚的上端并与第一坩埚形成第二密封空间，第一密封盖设有第二通孔和第三通孔，第二通孔供籽晶杆穿过；第一坩埚悬设于收容槽内且能够沿上下方向进出收容槽；第二坩埚设置于第二密封空间中，第二坩埚用于盛放原料；加热件套设在密封罩的外周。密封罩与第一坩埚彼此独立设置，避免了现有技术中的将坩埚设置熔炉内的设计，由此避免了炉体内的杂质进入用于生长晶体的第二坩埚中，提高了晶体纯度。
-
公开(公告)号：CN108083239B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201711418921.X
申请日：2017-12-25
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本申请提供一种合成高纯硒化镉的方法，其包括步骤：将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后装入石墨筒内，然后装入石英管内，接着将石英管置于封管炉内，抽真空进行封管；将完成封管的石英管置于摇摆炉内，升温至800℃～1200℃后保温进行反应直至反应结束，降温出炉，敲碎石英管，取出硒化镉初料；将取出的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中，升温至700℃～900℃并通入氢气进行氢化除杂，降温出炉后得到高纯硒化镉。本申请的合成方法工艺流程短，产品收率高、产量大、环境友好，适合批量生产，同时所述合成方法得到的硒化镉具有较高的纯度。
-
公开(公告)号：CN108015292A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711235073.9
申请日：2017-11-30
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种GeSbTe系合金粉末的制备方法，将Sb、Te和适量的第一掺杂物质混合，在640～690℃下进行真空熔炼处理，降低了密封熔炼温度，防止了碲组分挥发而导致的成分偏离，对处理高蒸汽压元素碲更为安全，可以使用低成本的玻璃管，单管合成能力增加，真空密封难度降低。然后，将真空熔炼处理后的SbTe系合金、Ge和适量的第二掺杂物质混合，在保护气的条件下进行粉末合成，粉末合成工艺处理量大，组分分布均匀无偏析，采用氮气和氢气的保护气氛，还原被氧化物料，降低了合金粉末氧含量。由本发明公开的制备方法得到的GeSbTe系合金粉末的成分均匀，非配比杂质含量低，氧含量低。
-
公开(公告)号：CN107858545A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711273933.8
申请日：2017-12-06
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种高熔点碲化物合金中游离碲的去除方法，在一定的真空度下，通过两次特定温度的加热与一定时间的保温，很好地将游离碲从高熔点碲化物合金中分离出来。与现有技术相比，本发明的去除方法简单易行，操作中无需浪费大量氢气，有效节约了资源，同时，得到的高熔点碲化物合金的机械性能较优。另外，分离出来的游离碲可以通过设置冷凝和收集设施进行收集，有效地保证了资源的回收，减少了污染。实验表明，采用本发明公开的去除方法，可以使得高熔点碲化物合金中游离碲的去除率超过95％。
-
公开(公告)号：CN107805788A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711088307.1
申请日：2017-11-08
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种碲化锌靶材的制备方法，其包括如下步骤：S1、研磨制粉；S2、预压；S3、坯料制备；S4、坯料后处理。本制备方法所制备得到的碲化锌靶材在纯度、单相含量、致密度方面均可以满足薄膜制备所需碲化锌靶材的要求，由于采用粉末冶金最终成型，需要的后续加工步骤少，制备成本低，可大规模生产，工艺过程简单易控。
-
公开(公告)号：CN107747128A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711260057.5
申请日：2017-12-04
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种ZnS多晶的制备方法，将硫化锌置于管式加热炉中，通入硫化氢20～30min后升温，升至第一温度500～600℃后保温2～4h，升至第一温度后硫化氢调整通入速率；再降温得到预处理硫化锌；硫化锌的质量、硫化氢的开始通入速率和硫化氢的调整通入速率比为0.0001～15kg:1.5～2.3L/min:0.5～1L/min；将质量比100:0.3～0.8的预处理硫化锌和Al2S3混合，得到混合物；将混合物预压至50～55MPa后抽真空，真空度至4～10Pa后升温至第二温度800～1000℃，保温6～8h；升至第二温度3～5h后加压至70～90MPa，保压至10～40℃，得到ZnS多晶。
-
公开(公告)号：CN105731525A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410773154.4
申请日：2014-12-12
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明涉及三氯化镓合成技术领域，公开了一种三氯化镓颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)将三氯化镓移入手套箱，控制手套箱内水、氧含量均小于5ppm，升温使三氯化镓熔融；(2)在所述手套箱内将熔融的三氯化镓液体滴加到液氮中；(3)待所述熔融的三氯化镓液滴凝固后，得到球形或类球形的三氯化镓颗粒。本发明工艺步骤简单，原料廉价易得，不会引入杂质，得到较规整的球形颗粒。这些球形颗粒流动性强，不会粘附在容器壁上，在转移、应用过程中操作非常方便，加入量也很好控制。
-
公开(公告)号：CN104232921A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410523041.9
申请日：2014-09-30
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C22B11/02
摘要： 本发明提供了一种铂金的提纯方法，包括以下步骤：a)将待提纯的铂金在真空条件下进行熔炼，得到铂金液；b)向所述铂金液中通入含氧气的气体继续熔炼，冷却后得到铂金锭；c)将所述铂金锭在稀酸中浸泡，清洗后得到纯铂金。本发明提供的提纯方法对铂金的损耗量较低，得到纯度为99.9％的铂金时对铂金的损耗量低于3‰，大大降低了铂金坩埚的成本，节约了资源。另外，本发明提供的方法工艺步骤简单，无废液、废酸及酸雾产生，降低了后续处理的难度，减少了对环境的污染。
-
公开(公告)号：CN108394873B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810160320.1
申请日：2018-02-27
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 本发明涉及一种封管合成碲硒镉的方法，该方法包括如下步骤：S1：将一定量碲粉、镉粉和硒粉混合，放置在一均质机内均质；镉粉、硒粉和碲粉摩尔比为10:(1～5):(5～9)；S2：将上述混合均质的物料装入一石墨筒中，再将石墨筒放入一石英管内，然后再将石英管装入一真空封管炉内，将真空封管炉抽真空，然后对石英管进行封管；S3：将封管好的石英管装入一加热炉内，加热炉以5～20℃/min的升温速率升温，加热至900～1200℃，保温1～5h；保温结束后，停止加热，打开炉膛，自然降温，温度低于60℃出炉得到碲硒镉块体。本发明封管合成碲硒镉的方法对设备要求低，产品收率高，工序简单，可规模化生产，生产成本低。
-
公开(公告)号：CN108220667A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810037512.3
申请日：2018-01-16
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种碲铜合金的制备方法，包括如下步骤：S1、将高纯铜与高纯碲按配比要求混合均匀后或高纯铜、高纯碲交替分层平铺后放置于一石墨坩埚内，然后通入保护气体替换石墨坩埚内的空气后密闭石墨坩埚；S2、将石墨坩埚装入一合成炉中，合炉后排净合成炉的炉膛内的空气后通入保护气体；S3、向合成炉内充入保护气体充至压强为1.0~4.5MPa，同时合成炉内温度由常温于60~90min内升至1200~1450℃，保温2~4h后随炉降温；S4、将合成炉内温度降低至低于100℃后排空合成炉内保护气体使合成炉内压强降至常压，开炉，得到碲铜合金锭。本制备方法，一步直接合成，生产效率高，碲、铜制备过程中不与其他任何工具接触，有效避免铁元素、硅杂质元素的引入，所制得的碲铜合计纯度高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
35 条记录 (耗时 0.04 秒)