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公开(公告)号：CN112725882B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202011510733.1
申请日：2020-12-18
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本公开提供了一种坩埚及其制备方法以及硅酸钇镥晶体的制备方法。坩埚包括周壁和底壁，周壁从底壁的周边向上突出，周壁和底壁均具有贯通其壁厚的毛细管道。坩埚的制备方法包括：将不同粒径的坩埚材料的粉料混匀；冷等静压预成型后，惰性气氛预烧结；中频感应下烧结。硅酸钇镥晶体的制备方法：将所述坩埚放入周壁和底壁均为实心的大坩埚内，坩埚的底壁和大坩埚的底壁间隔开，在坩埚内外放置不同浓度的制备(LuxY1‑x)2SiO5的原料，坩埚内的原料的钇组分含量高于坩埚外的原料的钇组分含量，坩埚1内外放置的原料的浓度设定为以(LuxY1‑x)2SiO5的元素化学计量比生长(LuxY1‑x)2SiO5晶体，升温熔化，开始晶体生长。所制备的硅酸钇镥晶体头尾化学成分和闪烁性能均一。
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公开(公告)号：CN111893559B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010630158.2
申请日：2020-07-02
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种超高纯镉晶体的制备方法，属于高纯金属材料领域。本发明将原料镉在漏斗中熔料，以使其内的氧化渣料残留在漏斗中，从而使沿漏斗漏孔滴入或流入坩埚中的镉熔体无需经扒渣处理，即可光亮无氧化；另外，采用垂直提拉法对坩埚中的镉熔体进行提纯，所得晶体位错密度低、光学均匀性高、结构稳定，表面光亮无氧化，显金属本色，无需后续处理，可根据客户需要拉制不同产品的大小。
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公开(公告)号：CN113529082A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110895660.0
申请日：2021-08-05
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种锗片或锗锭的腐蚀装置及腐蚀方法，腐蚀装置包括腐蚀筒体；所述腐蚀筒体内部设有垫板，所述垫板与所述腐蚀筒体的底部之间设有预设距离，所述预设距离大于0；所述垫板包括垫板本体及分布在所述垫板本体上的锥形凸起和孔；所述腐蚀筒体下方设有加热器。该装置设置锥形凸起，减少锗原料与腐蚀装置的接触面积，使得腐蚀彻底，腐蚀效果较好。锗料远离腐蚀筒体下方的加热器，受热均匀，减少裂纹的产生。
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公开(公告)号：CN108394873B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810160320.1
申请日：2018-02-27
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 本发明涉及一种封管合成碲硒镉的方法，该方法包括如下步骤：S1：将一定量碲粉、镉粉和硒粉混合，放置在一均质机内均质；镉粉、硒粉和碲粉摩尔比为10:(1～5):(5～9)；S2：将上述混合均质的物料装入一石墨筒中，再将石墨筒放入一石英管内，然后再将石英管装入一真空封管炉内，将真空封管炉抽真空，然后对石英管进行封管；S3：将封管好的石英管装入一加热炉内，加热炉以5～20℃/min的升温速率升温，加热至900～1200℃，保温1～5h；保温结束后，停止加热，打开炉膛，自然降温，温度低于60℃出炉得到碲硒镉块体。本发明封管合成碲硒镉的方法对设备要求低，产品收率高，工序简单，可规模化生产，生产成本低。
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公开(公告)号：CN108913913B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810685329.4
申请日：2018-06-28
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种从含铱二氧化锆中回收铱的方法，该方法在加热通气石英管内进行铱的氧化挥发实现铱、锆分离后，铱氧化物依次进行酸液浸出、加碱中和、脱水氢化，得到了高纯海绵铱产品，同时设计了尾气吸收罐，进一步提高铱回收率。本发明采用与现有技术不同的技术手段，先将铱与二氧化锆分离，再将铱氧化物酸碱处理后还原，最终得到4N或以上的海绵铱，对尾气中的铱也进行回收处理，回收率高。
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公开(公告)号：CN110548364A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910991072.X
申请日：2019-10-17
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种回收分子筛吸附的特种气体的方法和装置，主要是采用氢气或氦气作为载气，在常温下向分子筛吸附柱内吹气，以撞击分子筛内的特种气体，从而实现常温下直接回收分子筛内的特种气体，回收成本低，容易操作，环保安全，回收率高达90％以上，经济效益可观。由于本发明的回收方法无需加热，因此分子筛内吸附的水分等其它杂质不易解吸，使得回收的特种气体杂质含量低，利用价值度高。另外，本发明采用的载气不会引入杂质，且后续直接低温冷凝特种气体即可将特种气体与载气分离，且分离的载体可直接循环使用。可见，本发明弥补了目前行业无法直接回收分子筛内吸附的特种气体的技术缺陷，也大大降低了特种气体的提纯成本。
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公开(公告)号：CN108004409B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711346303.9
申请日：2017-12-15
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种砷化镓污泥中镓的分离回收方法，包括以下步骤：a)将砷化镓污泥与水按固液比1：(5～6)混合，进行浆化，再加入强碱进行碱浸，过滤后得到浸出液；b)将步骤a)得到的浸出液进行中和，过滤后得到中和渣；c)将步骤b)得到的中和渣与水、浓硫酸混合，进行酸浸除硅，过滤后得到含镓滤液；d)将步骤c)得到的含镓滤液与氢氧化钠混合，进行沉镓，过滤后得到氢氧化镓。与现有技术相比，本发明采用浆化碱浸、中和、酸浸除硅和沉镓的特定工艺，实现了镓从砷化镓污泥中的分离回收；本发明提供的砷化镓污泥中镓的分离回收方法回收率高，并且无需高温炉煅烧，能耗低，同时不会产生有毒有害气体，无污染。
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公开(公告)号：CN107805789B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201711238266.X
申请日：2017-11-30
申请人： 清远先导材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明提供了一种钌溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将粒度≤325目的钌粉冷压成型，冷压压力为250～350MPa，得到钌坯；将钌坯进行抽真空至0.008～0.12Pa后以10～20℃/min升温至790～820℃，保温30～50min后，再以5～10℃/min升温至第一温度加压，加压压力为50～70MPa；继续升温至第二温度，保温120～180min；第一温度为1000～1200℃，第二温度为1200～1350℃；最后以5～8℃/min降温至1000～1100℃，保温55～65min，卸掉压力，得到钌溅射靶材。该发明在上述工艺下制得的钌溅射靶材具有较高的密度。其相对密度大于99.5％。
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公开(公告)号：CN108315713A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201710029818.X
申请日：2017-01-17
申请人： 清远先导材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种石英容器镀覆碳膜的方法，该方法通过采用抽真空与充氮气的操作，排尽镀碳室内的空气，再向封闭的充有一定压力高纯氮气的镀碳室中，充入甲烷气体，使其高温裂解、沉积镀碳，得到的镀碳膜厚度均匀，质量好。本发明提供的方法，降低了对真空设备的要求，减少设备投资，避免高纯氮气的浪费，同时消除安全隐患，整个镀碳过程，操作简单，安全经济。
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公开(公告)号：CN108315573A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201710028833.2
申请日：2017-01-16
申请人： 清远先导材料有限公司
CPC分类号： Y02P10/234 , C22B41/00 , C22B9/006 , C22B9/02
摘要： 本发明涉及一种区熔提纯锗的方法，公开了区熔加热时，以高纯氢气和高纯惰性气体的混合气体作为保护气体；所述惰性气体为氮气或氩气中的一种或两种。本发明通过在惰性气体中加入一定量的氢气，使区熔提纯锗的过程中，减少甚至不产生氧化粉尘，消除安全隐患，同时延长石英管的使用寿命，节约成本。
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