公开(公告)号：CN110541157A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910849765.5

申请日：2019-09-09

申请人： 温州大学 ,  陕西光电子集成电路先导技术研究院有限责任公司

发明人： 钟蓉 ,  仇成功 ,  彭鹏 ,  甄龙云 ,  薛遥 ,  李冬冬 ,  周建华

IPC分类号： C23C16/20 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及一种限制GaN外延薄膜的裂纹生长、表面形貌均匀且工艺相对简单、易于实现的Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法。采用的技术方案包括：采用MOCVD系统进行外延生长以及Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法，其特征在于：其外延结构依次为Si衬底、预铺铝层、低温氮化铝（AlN）缓冲层、高温氮化铝（AlN）缓冲层、氮化镓铝（AlxGa1-xN）层、氮化镓（GaN）薄膜层，其中，低温AlN缓冲层为低温AlN三维成核层，高温AlN缓冲层为高温AlN二维成核层，AlxGa1-xN层为AlxGa1-xN应力释放层，GaN薄膜层为最终生长层。