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公开(公告)号:CN110541157A
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201910849765.5
申请日:2019-09-09
Applicant: 温州大学 , 陕西光电子集成电路先导技术研究院有限责任公司
IPC: C23C16/20 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种限制GaN外延薄膜的裂纹生长、表面形貌均匀且工艺相对简单、易于实现的Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法。采用的技术方案包括:采用MOCVD系统进行外延生长以及Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法,其特征在于:其外延结构依次为Si衬底、预铺铝层、低温氮化铝(AlN)缓冲层、高温氮化铝(AlN)缓冲层、氮化镓铝(AlxGa1-xN)层、氮化镓(GaN)薄膜层,其中,低温AlN缓冲层为低温AlN三维成核层,高温AlN缓冲层为高温AlN二维成核层,AlxGa1-xN层为AlxGa1-xN应力释放层,GaN薄膜层为最终生长层。
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公开(公告)号:CN110907825A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201911110790.8
申请日:2019-11-14
Abstract: 本发明公开一种无刷直流电机原型机的测试工装,包括步进电机、步进电机法兰盘、同步带轮、上支撑板、电机夹具基座、下支撑板、定子夹具、可更换轴承支座、基座滑杆、丝杆,支撑板主体限定有z轴移动的通道;电机夹具基座可在z轴移动的通道移动,可停留在范围内任意位置;定子夹具用于安装电机的定子;直流电机转子转轴用于装配转子并与可拆换轴承支座配合;可更换轴承支座用于更换测试轴承。根据本发明实施例的无刷直流电机原型机的测试工装,可以调整电机夹具基座的高度,来适应转子轴上转子的高度,定子夹具可以安装多个型号,多个尺寸的电机的定子,转子轴端与轴承支座通过轴承配合,可以根据测试需求,来更换恰当的轴承。
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公开(公告)号:CN109979855B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201910250642.X
申请日:2019-03-29
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路连接的微米级冷焊接手动装置。本发明通过以下技术方案实现,包括:送线机构(主要由第一底座、第一竖杆、丝杠、轴承座、轴承、第一滑杆、丝杠螺母、丝杠螺母座、丝杠扭动帽、横梁链接块、短横梁、长横梁、第一可转角度支架、不可转角度支架、挂线钩、固线杆、线夹子组成),工作台(设置在所述送线机构一侧,主要由圆台、第一滑块、第二底座、第二滑杆、调节螺栓组成),高倍显微镜和点胶机构。本发明的优点在于:代替激光焊接,连接线与样品之间采用导电胶连接,为常温焊接,不对材料微结构造成损坏;代替传统手持式液体焊接,提高焊接的精准度,同时减少失误率。
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公开(公告)号:CN109979855A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201910250642.X
申请日:2019-03-29
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路连接的微米级冷焊接手动装置。本发明通过以下技术方案实现,包括:送线机构(主要由第一底座、第一竖杆、丝杠、轴承座、轴承、第一滑杆、丝杠螺母、丝杠螺母座、丝杠扭动帽、横梁链接块、短横梁、长横梁、第一可转角度支架、不可转角度支架、挂线钩、固线杆、线夹子组成),工作台(设置在所述送线机构一侧,主要由圆台、第一滑块、第二底座、第二滑杆、调节螺栓组成),高倍显微镜和点胶机构。本发明的优点在于:代替激光焊接,连接线与样品之间采用导电胶连接,为常温焊接,不对材料微结构造成损坏;代替传统手持式液体焊接,提高焊接的精准度,同时减少失误率。
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公开(公告)号:CN112501590A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011236149.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 温州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种更好的气流横向轨迹,并能保证沉积区域各个位置工艺温度一致的MOCVD设备。采用的技术方案包括:径向截面均呈圆形的顶盖、顶盖面板、底座和衬托,其特征在于:所述顶盖面板的上表面嵌入所述顶盖底部、下表面为中间薄两边厚的曲面,所述顶盖中心的垂直方向设置气体管道、且所述气体管道的下端延伸至所述底座中心,所述气体管道侧壁设有若干层圆周排列的出气孔。优点:通过新型的顶盖面板设计,使边缘和中心位置受力更为均匀且薄膜的生长速度更为接近,从而改善薄膜的均匀性问题。
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公开(公告)号:CN112501590B
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202011236149.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 温州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种更好的气流横向轨迹,并能保证沉积区域各个位置工艺温度一致的MOCVD设备。采用的技术方案包括:径向截面均呈圆形的顶盖、顶盖面板、底座和衬托,其特征在于:所述顶盖面板的上表面嵌入所述顶盖底部、下表面为中间薄两边厚的曲面,所述顶盖中心的垂直方向设置气体管道、且所述气体管道的下端延伸至所述底座中心,所述气体管道侧壁设有若干层圆周排列的出气孔。优点:通过新型的顶盖面板设计,使边缘和中心位置受力更为均匀且薄膜的生长速度更为接近,从而改善薄膜的均匀性问题。
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