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公开(公告)号：CN101962789B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010298762.6
申请日：2010-09-30
申请人： 湖北中科铜箔科技有限公司 , 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于大功率LED柔性电路板的电解原箔及其制备方法，其毛面表面晶粒呈等轴棱锥状，毛面粗糙度Rz≤2.5um，厚度为12um，具有优良的机械特性、挠曲性和耐热性。本发明还对上述原箔进行黑色低粗化处理得到电解铜箔，其毛面具有一层能被铜蚀刻工艺蚀刻掉的特殊黑色合金，使得大功率LED柔性电路板的散热性大大提高。
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公开(公告)号：CN101962789A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010298762.6
申请日：2010-09-30
申请人： 湖北中科铜箔科技有限公司 , 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于大功率LED柔性电路板的电解原箔及其制备方法，其毛面表面晶粒呈等轴棱锥状，毛面粗糙度Rz≤2.5μm，厚度为12μm，具有优良的机械特性、挠曲性和耐热性。本发明还对上述原箔进行黑色低粗化处理得到电解铜箔，其毛面具有一层能被铜蚀刻工艺蚀刻掉的特殊黑色合金，使得大功率LED柔性电路板的散热性大大提高。
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公开(公告)号：CN115128058A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210709037.6
申请日：2022-06-21
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学同济医学院附属同济医院
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明公开了一种高灵敏度表面增强拉曼散射基板及其制备方法，属于功能纳米材料和分析检测技术领域。本发明以紧密堆积的单层纳米微球作为模板，对沉积过程中的金属原子引入离心势能，金属原子在离心势能的影响下将通过改变其在基板上的成核密度而改变后续的生长状态，并在离心势能的作用下，后续沉积的金属原子将自发的形成具有低于5nm缝隙的金纳米结构。利用本发明方法制备的周期缝隙纳米结构，其作为表面增强拉曼散射基板对常用的检测标志物的增益达到7.9×109，探测的浓度极限最低可达到10‑12M，达到了单分子级别的探测水平，对表面增强拉曼散射基板应用于生物制药以及临床医学等需要单分子级别的的分子检测技术具有重要价值。
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公开(公告)号：CN110981467B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201911248704.X
申请日：2019-12-09
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种能量密度及温度稳定性提高的无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法。其为在陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaZrxTi1‑xO3中引入SiO2纳米颗粒后获得，其中x为原子比，0≤x≤0.25；且SiO2纳米颗粒占陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaZrxTi1‑xO3的质量百分数不大于0.2％。在热释电陶瓷晶界位置中引入SiO2纳米颗粒，使其形成SiO2三维网络结构，加快复合陶瓷的热传递，从而提升了复合陶瓷的能量密度及其温度稳定性。
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公开(公告)号：CN109369154B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811541537.3
申请日：2018-12-17
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12
摘要： 本发明公开了一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用，属于电能储存材料领域。制备方法为将反铁电介质和线性介质进行复合，得到反铁电储能陶瓷为反铁电介质与线性介质的复合物。所述反铁电介质为(Pb0.93Ba0.04La0.02)(Zr0.95‑xSnxTi0.05)O3，其中x的取值范围为0.3≤x≤0.45，所述线性介质为Ca(ZryTi1‑y)O3，其中y的取值范围为0.3≤y≤0.5。本发明通过高储能密度介质与高储能效率介质的复合，获得了储能密度达到4.39J/cm3、储能效率为92.23％的储能材料。
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公开(公告)号：CN114163231B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111447880.3
申请日：2021-11-29
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/63
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料及其制备方法和应用，复合陶瓷材料的化学组成为(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3/AlN；其中，0.0≤x≤0.7，AlN占陶瓷材料的质量百分数小于等于10％，且AlN为纳米级颗粒，分布在陶瓷材料内部晶粒之间的空隙。本发明通过引入低介电、宽禁带半导体材料AlN，提高材料整体击穿场强；通过引入弛豫元素Bi离子、Zn离子和Zr离子，提高材料体系的弛豫度，提高微观极性纳米微区的含量，进而提高材料的储能效率和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN114163231A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111447880.3
申请日：2021-11-29
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/63
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料及其制备方法和应用，复合陶瓷材料的化学组成为(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3/AlN；其中，0.0≤x≤0.7，AlN占陶瓷材料(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3的质量百分数小于等于10％，且AlN为纳米级颗粒，分布在陶瓷材料内部晶粒之间的空隙。本发明通过在无铅脉冲电介质储能陶瓷材料中引入低介电、宽禁带半导体材料AlN，复合在无铅储能复合陶瓷材料中，提高整体击穿场强；通过在无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料中引入弛豫元素Bi离子、Zn离子和Zr离子，提高材料体系的弛豫度，提高微观极性纳米微区的含量，进而提高材料的储能效率和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN110937893A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911154752.2
申请日：2019-11-22
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L35/34 , H01L35/18 , H01L35/22
摘要： 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法，其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料，利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数，同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率，从而提高该复合陶瓷材料的能量密度，由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂，成本高，难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。
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公开(公告)号：CN110981467A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911248704.X
申请日：2019-12-09
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种能量密度及温度稳定性提高的无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法。其为在陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaZrxTi1-xO3中引入SiO2纳米颗粒后获得，其中x为原子比，0≤x≤0.25；且SiO2纳米颗粒占陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaZrxTi1-xO3的质量百分数不大于0.2％。在热释电陶瓷晶界位置中引入SiO2纳米颗粒，使其形成SiO2三维网络结构，加快复合陶瓷的热传递，从而提升了复合陶瓷的能量密度及其温度稳定性。
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公开(公告)号：CN110937893B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911154752.2
申请日：2019-11-22
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L35/34 , H01L35/18 , H01L35/22
摘要： 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法，其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料，利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数，同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率，从而提高该复合陶瓷材料的能量密度，由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂，成本高，难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。
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