一种多边形电极的压电薄膜体声波传感器

    公开(公告)号:CN101846653B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201010164347.1

    申请日:2010-04-30

    申请人: 湖北大学

    IPC分类号: G01N29/036 B81B3/00

    摘要: 本发明提出了一种具有多边形电极的薄膜体声波传感器,它包括衬底、压电薄膜、分布于压电薄膜两表面的上下金属电极、电极引线以及覆盖在所述上电极表面的敏感膜。压电薄膜上的上下电极有一个或者两个是多边形,该多边形为任意两边不平行、内角均为钝角、边数小于10的多边形,其中正五边形的效果最好。本发明减小微波信号在平行边及锐角或直角处产生较强的反射,提高声波的振动效率,改善了器件的品质因数和测试灵敏度,增加了传感器的负载测试范围。本传感器同时还具有结构简单、制作方便、可靠性高、可采用微机械加工(MEMS)工艺流程制作等优点,也可用于其它声波谐振器和传感器。

    一种多边形电极的压电薄膜体声波传感器

    公开(公告)号:CN101846653A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010164347.1

    申请日:2010-04-30

    申请人: 湖北大学

    IPC分类号: G01N29/036 B81B3/00

    摘要: 本发明提出了一种具有多边形电极的薄膜体声波传感器,它包括衬底、压电薄膜、分布于压电薄膜两表面的上下金属电极、电极引线以及覆盖在所述上电极表面的敏感膜。压电薄膜上的上下电极有一个或者两个是多边形,该多边形为任意两边不平行、内角均为钝角、边数小于10的多边形,其中正五边形的效果最好。本发明减小微波信号在平行边及锐角或直角处产生较强的反射,提高声波的振动效率,改善了器件的品质因数和测试灵敏度,增加了传感器的负载测试范围。本传感器同时还具有结构简单、制作方便、可靠性高、可采用微机械加工(MEMS)工艺流程制作等优点,也可用于其它声波谐振器和传感器。

    一种具有同质缓冲层的c轴倾斜AlN薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN101775584A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010028942.2

    申请日:2010-01-08

    申请人: 湖北大学

    IPC分类号: C23C14/34 C23C14/58

    摘要: 本发明提供了一种具有同质缓冲层的c轴倾斜AlN薄膜的制备方法,它采用磁控溅射的方法在以Si、Mo、Pt、Au或其组合为衬底上,生成非晶AlN薄膜缓冲层,再以调节衬底与靶材中心偏离角度的方式,生长倾斜角度不同的c轴取向AlN薄膜。本发明能够克服AlN薄膜与Si、GaAs等衬底之间较大的晶格失配以及c轴倾斜角度控制性较差的问题。将该方法生长的AlN薄膜作为压电谐振传感器的压电层时,可减小声波在液体中的能量损耗,有助于提高传感器的品质因数和灵敏度。