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公开(公告)号：CN115915775A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310002675.9
申请日：2023-01-03
Abstract: 发明公开了一种基于共价有机框架薄膜的忆阻器，其结构从下至上为：衬底、导电底电极、共价有机框架薄膜、有机聚合物薄膜和导电顶电极。忆阻器制备包括以下步骤：在0‑80℃下，将特定的芳香二醛混合溶液和芳香多胺混合溶液混合，滴加在所需导电底电极上或直接将带有导电底电极的衬底浸于混合溶液中，即可在底电极上得到均匀的共价有机框架薄膜用于忆阻器。之后制备聚合物胶体溶液，将其旋涂于共价有机框架薄膜表面，最后使用掩膜版采用热蒸镀或溅射制备顶电极。本发明首次提出一种新型忆阻器的制备方法，该制备方法过程简单，价格经济，无需高精度的精密仪器，在无需复杂环境的条件下即可在衬底上原位生长制备大面积的共价有机框架(COF)薄膜。
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公开(公告)号：CN117594676A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311795201.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于大面积、高质量的In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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公开(公告)号：CN115988955A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310002648.1
申请日：2023-01-03
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于过渡金属硫属化物和有机聚合物的忆阻器及其制备方法，属于半导体存储相关技术领域。本发明所述忆阻器自下而上依次包括底电极、忆阻功能层及顶电极，忆阻功能层位于所述顶电极及所述底电极之间。本发明所述忆阻器采用如下方法制备而成：步骤1，将ITO导电玻璃放在紫外光下UV处理作为底电极；步骤2，制备含过渡金属硫属化物纳米片和聚合物的混合液，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，使用掩膜板通过热蒸镀的方法镀金属顶电极。本发明操作简单成本不高，并且环保灵活，对实验仪器要求不高。另外，将基板换为涂有ITO的PET基材(用具有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯)作为底部电极时，可以制成柔性忆阻器。
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公开(公告)号：CN114927158A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210674740.8
申请日：2022-06-15
Abstract: 本发明提供了一种忆阻器的状态检测及其读写装置，属于忆阻器的应用技术领域；本发明的装置包括：模拟模块、数字模块、忆阻器模块以及检测电路；通过分析比较忆阻器的几类窗函数模型，使其能在电气特性方面和阻变存储单元的阻变转变特性相一致；并对状态检测读写电路进行仿真验证，并对状态检测电路进行优化。
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公开(公告)号：CN112111995A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010979606.X
申请日：2020-09-17
Abstract: 本发明提供了一种蒙脱土改性变压器绝缘纸的制备方法，通过在酸性条件下使季铵盐改性蒙脱土与聚乙烯醇和戊二醛发生交联得到第二混合液，然后通过提拉浸渍、旋涂或LB镀膜的方式加得到蒙脱土改性变压器绝缘纸，其具有较高的体积电阻率和较低的表面电阻率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111020503A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911258911.3
申请日：2019-12-10
Abstract: 蒙脱土在磁控溅射靶材中的应用、得到的蒙脱土薄膜及应用。本发明将蒙脱土以特定的形式作为靶材应用于磁控溅射技术中。本发明首先通过将蒙脱土与无水酒精混合制备悬浮液，将悬浮液涂覆在模具的各个表面的方式，防止热压时产生粘模的现象，保证得到的靶材具有良好的表面平整度；然后在进行烧结的过程中，本发明采用在特定的真空度和压力下，逐步升温，阶段性保温的方法，一方面，保证蒙脱土中组织结构的均匀性，提高蒙脱土的密度和纯度，降低蒙脱土内部的孔隙率，另一方面，能够获得具有一定取向的蒙脱土结晶体。本发明提供的蒙脱土薄膜的制备方法，以上述高密度蒙脱土为靶材，通过磁控溅射技术成膜，然后进行退火处理得到蒙脱土薄膜，得到的蒙脱土薄膜结构均匀、机械性能良好、介电性能优良。
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公开(公告)号：CN119374727A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411307876.0
申请日：2024-09-19
Applicant: 湖北大学
IPC: G01J5/00 , G01J1/42 , G01J1/04 , G01J5/07 , G01J5/03 , G08B17/10 , G08B17/12 , G08B7/06 , H04L67/02 , H04L67/125 , H04L67/55
Abstract: 本申请提供一种多光谱火焰探测系统。其中，通过高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器、红外探测器和可见光探测器可以实现多光谱的火焰探测，从而可以不受工作环境影响，在复杂的野外环境或者在工厂等特殊燃烧材料的场景都能够进行火焰火源探测。此外，通过可运动的扫描平台，可以进行扫描式探测，实现更大的范围内的火焰探测，同时，还可以进行多点位的方位确认，可以得到具体火焰方位。此外，还加入物联网功能，将数据传输至云端服务器，方便远程监控操作。
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公开(公告)号：CN116199264B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310055494.2
申请日：2023-01-17
Abstract: 本发明公开了一种非金属B掺杂β相MnO2电极材料的制备方法和应用，属于水系锌离子电池储能技术领域。本发明具体制作步骤如下：(1)室温下，按配比将水溶性锰盐和强氧化性化合物倒入烧杯中，加入去离子水搅拌均匀；(2)根据掺杂的摩尔比，称量少量的硼源加入到(1)均匀的溶液中，继续搅拌均匀；(3)将配置好的溶液倒入聚四氟乙烯内胆中，转移至不锈钢高压反应釜中进行水热反应；(4)反应完成后将生成物进行过滤、干燥、收集。本发明通过非金属B掺杂β相MnO2电极材料不仅具有高比容量而且电池循环稳定性在非金属B掺杂后得到了很大的提高，并且本发明一步到位，大大简化了实验程序，节省了人力物力，便于产业化实施和应用，市场前景广阔。
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公开(公告)号：CN116199264A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310055494.2
申请日：2023-01-17
Abstract: 本发明公开了一种非金属B掺杂β相MnO2电极材料的制备方法和应用，属于水系锌离子电池储能技术领域。本发明具体制作步骤如下：(1)室温下，按配比将水溶性锰盐和强氧化性化合物倒入烧杯中，加入去离子水搅拌均匀；(2)根据掺杂的摩尔比，称量少量的硼源加入到(1)均匀的溶液中，继续搅拌均匀；(3)将配置好的溶液倒入聚四氟乙烯内胆中，转移至不锈钢高压反应釜中进行水热反应；(4)反应完成后将生成物进行过滤、干燥、收集。本发明通过非金属B掺杂β相MnO2电极材料不仅具有高比容量而且电池循环稳定性在非金属B掺杂后得到了很大的提高，并且本发明一步到位，大大简化了实验程序，节省了人力物力，便于产业化实施和应用，市场前景广阔。
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公开(公告)号：CN113540271B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110819572.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；Ga2O3纳米柱阵列，其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层，其覆盖Ga2O3纳米柱阵列。本发明的日盲型紫外光电探测器，Ga2O3具有高的热稳定性和化学稳定性，其禁带宽度约为4.9eV，只对日盲区的深紫外光敏感，相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料，Ga2O3不需要任何掺杂来调节带隙，避免了合金相的成分波动和相分离；而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层，使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。
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