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公开(公告)号：CN118908884A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410958170.4
申请日：2024-07-16
申请人： 湖北大学
IPC分类号： C07D213/36 , H10K30/60 , H10K71/00 , H10K85/60
摘要： 本发明提供了一种p型有机材料、自驱动氧化镓紫外光电探测器及其制备方法。本发明的自驱动氧化镓紫外光电探测器，包括：基底；金薄膜层，其位于基底表面；β‑Ga2O3薄膜层，其位于金薄膜层表面；有机材料层，其位于β‑Ga2O3薄膜层远离基底的表面，有机材料层不完全覆盖β‑Ga2O3薄膜层；第一电极，其位于有机材料层的表面；第二电极，其位于β‑Ga2O3薄膜层且未被有机材料层覆盖的表面；本发明通过在β‑Ga2O3薄膜层一侧形成新型P型的有机材料层，以形成可以响应于紫外光而自驱动的PN异质结结构，有效降低了工作需要的电压。
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公开(公告)号：CN118762733A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411226802.4
申请日：2024-09-03
申请人： 湖北大学
摘要： 发明为了提高权重写入验证速度，设计了两步写入验证方案，该方案在第二步写入时，需要在每次写入完成后对MLC单元的阻值进行读取，并建立各阻态和实现各阻态的脉冲数量关系的查找表，在对存储单元初步写入时通过读取查找表，并向该单元输送对应的脉冲个数，大量减少读取验证的次数，减少了系统能耗。
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公开(公告)号：CN118734915A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411224497.5
申请日：2024-09-03
申请人： 湖北大学
IPC分类号： G06N3/063 , G11C13/00 , G06N3/0464
摘要： 本发明通过权重冻结搭建忆阻器阵列，尤其适用于RRAM共享阵列，我们增强了多个独立神经网络模型之间的关联性，并将传统方案中需要单独设计的卷积模块扩展为共享设计。这意味着一个RRAM权重阵列可以参与多个任务的计算，从而提高了神经网络加速器架构的资源利用率，从而实现在存内计算架构中搭建存内计算共享模块，这不仅能优化硬件资源配置，还能降低设计成本，从而为部署多个神经网络模型进行多任务处理提供了一个更为高效和经济的方案。
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公开(公告)号：CN118398896A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410584067.8
申请日：2024-05-11
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01M10/0567 , H01M10/0525 , H01M10/054 , H01M10/36 , H01G11/64 , H01G11/58
摘要： 本发明公开了一种含一价碱金属阳离子添加剂的电解液及其在储能设备中的应用，属于新能源技术领域。锌阳极侧的不均匀锌沉积和界面副反应制约了水系锌离子电池的大规模储能发展，本发明通过在1M ZnSO4溶液中引入高还原电位的一价碱金属阳离子助力锌均匀沉积。共异性研究筛选出最好的K+添加剂，发现Zeta电位和差分电荷图显示阳离子参与到锌电极界面EDL结构，阻抗测试拟合K+添加剂的活化能最低，Zn最易脱溶剂沉积成核。利用分子动力学计算可知K+优先吸附于锌表面，静电力作用均匀锌沉积。本发明阐述了K+竞争吸附锌阳极界面，挤兑双电层内亥姆霍兹层的锌沉积，均匀分布机制，实现锌钒电池高可逆循环，为未来的新型储能装置的设计提供了一个新思路。
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公开(公告)号：CN118387842A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410486526.9
申请日：2024-04-22
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开了一种纳米花状MoSe2颗粒及其制备方法和在忆阻器中的应用，属于纳米材料和薄膜器件技术领域。本发明以Se粉为Se源，钼酸钠为Mo源，NaBH4为还原剂，溶剂热法的合成方式制备MoSe2，并采用XRD、SEM、XPS、EDS和拉曼光谱等表征手段对材料进行表征来验证合成的MoSe2。接着，本发明采用一步旋涂法旋涂MoSe2悬浮液在ITO导电玻璃上制备MoSe2薄膜，通过在薄膜上蒸镀Al或Ag电极来探究Al/MoSe2/ITO和Ag/MoSe2/ITO忆阻器的阻变性能。本发明不仅探究操作电压与限制电流对MoSe2忆阻器阻变性能的影响，本发明还采用PET为基底制备了柔性MoSe2忆阻器并对其性能进行探究，研究MoSe2忆阻器在可穿戴器件上的发展。
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公开(公告)号：CN114335448B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210005661.8
申请日：2022-01-04
摘要： 本发明公开了一种具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物及其制备方法和应用。本发明具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物是以金属镍盐、金属钴盐、六亚甲基四胺、葡萄糖通过一步水热法制备而成。将本发明制备的具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物作为电极活性材料，其具有较大的比容量以及良好的倍率性能，采用上述镍钴氢氧化物材料制成电极材料后，其比电容在1A/g恒定电流下为400～800C/g，扫描速率从1A/g到10A/g其电容保持率为85％左右。
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公开(公告)号：CN114990629B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210858005.2
申请日：2022-07-20
IPC分类号： C25B11/091 , C25B1/04
摘要： 本发明属于材料科学技术领域及电催化技术领域，具体涉及一种三相界面结构钴铁基催化剂及其制备方法和应用，本发明通过一步湿化学法得到的三相界面催化剂CoFe/CoFeOx/Fe3O4形成了稳定的界面结构，在界面处有着更快的电荷转移，降低了析氧反应过电势，利用本发明催化剂的界面处的快速电荷转移能够显著提升电化学动力学过程，从而实现高效稳定的电解水析氧。本发明合成的催化剂能耗小、工艺简单、成本低，在一定程度上解决了钴铁体系类材料合成方法具有局限性、能耗大、工艺复杂、成本高、等问题。
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公开(公告)号：CN113066927B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110170101.3
申请日：2021-02-03
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
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公开(公告)号：CN115915775A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310002675.9
申请日：2023-01-03
摘要： 发明公开了一种基于共价有机框架薄膜的忆阻器，其结构从下至上为：衬底、导电底电极、共价有机框架薄膜、有机聚合物薄膜和导电顶电极。忆阻器制备包括以下步骤：在0‑80℃下，将特定的芳香二醛混合溶液和芳香多胺混合溶液混合，滴加在所需导电底电极上或直接将带有导电底电极的衬底浸于混合溶液中，即可在底电极上得到均匀的共价有机框架薄膜用于忆阻器。之后制备聚合物胶体溶液，将其旋涂于共价有机框架薄膜表面，最后使用掩膜版采用热蒸镀或溅射制备顶电极。本发明首次提出一种新型忆阻器的制备方法，该制备方法过程简单，价格经济，无需高精度的精密仪器，在无需复杂环境的条件下即可在衬底上原位生长制备大面积的共价有机框架(COF)薄膜。
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公开(公告)号：CN114039108A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111327566.1
申请日：2021-11-10
摘要： 本发明公开了一种耐高温水系锌离子电池电解液及其制备方法和应用，属于电化学技术领域。本发明的耐高温水系锌离子电池电解液，包括A组分、B组分、C组分、D组分和水溶性锌盐；A组分为腈类溶剂；B组分为亚砜类溶剂和/或酰胺类溶剂；C组分为溶剂水；D组分为磷系液体阻燃剂；A组分、B组分、C组分、D组分的体积比为VA：VB：VC：VD，其中：0＜VA＜10，0＜VB＜10，0＜VC＜10，0＜VD＜10；A组分、B组分、C组分、D组分的体积比优选为6：2：1：1或5：2：2：1。本发明以高温电解液构建了一种在100℃高温下可正常运行并保持较高的比容量、较长循环寿命、安全高效等优异化学性能的耐高温水系锌离子电池。
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