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公开(公告)号：CN117849678A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410146300.4
申请日：2024-02-01
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种用于测量自旋霍尔磁电阻的样品杆，所述用于测量自旋霍尔磁电阻的样品杆为一种三维方向转角的样品杆，样品杆固定于外部夹持置物台上，用于样品的自旋霍尔磁电阻测试；所述用于测量自旋霍尔磁电阻的样品杆包括测试基板、方向可调的样品杆主体和内部引线，所述测试基板可拆卸地固定在方向可调的样品杆主体一端；内部引线一端与测试基板的引脚插孔相连，另一端经由空心样品杆引出，连接至外部测试设备。利用该样品杆，当外加磁场方向在水平面内转动360°，可实现该维度内样品自旋霍尔磁电阻的测量；在三维方向将样品分别转动90°，无需拆卸样品，即可分别实现三维方向样品自旋霍尔磁电阻的测量。
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公开(公告)号：CN116056534A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310042405.0
申请日：2023-01-28
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H10K71/12 , H10K71/60 , H10K71/40 , H10K71/80 , H10K85/50 , H10K30/50 , H10K30/60 , H10K30/80 , H10K30/81 , H10K39/00 , C09K11/66 , C09K11/02
摘要： 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种柔性钙钛矿量子点复合薄膜的制备方法，该复合薄膜可以用于制备深紫外光电探测器。本发明其原理是在PVDF结晶过程中利用DMF气氛抑制钙钛矿结晶，钙钛矿在二次空气退火过程中结晶形成量子点，镶嵌在PVDF内部，即钙钛矿量子点与PVDF分步结晶，避免PVDF与钙钛矿同时结晶，钙钛矿晶粒长大，难以形成量子点。本发明制备的柔性钙钛矿量子点薄膜，具有优良的光致发光性能，化学稳定性与机械稳定性。本发明还通过超声调整PVDF结晶度和钙钛矿量子点密度，实现更高的光致发光效率。
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公开(公告)号：CN107416894A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710653972.4
申请日：2017-08-03
申请人： 湖北大学
CPC分类号： C01G21/006 , A61L2/10 , A61L2/23 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/61
摘要： 本发明提供了一种类钙钛矿材料CsPb2Br5的合成方法，包括以下步骤：步骤一，将铯源溶于溶剂中，搅拌溶解形成澄清溶液；步骤二，将PbBr2与所述澄清溶液混合，在常温下进行反应，铯、铅、溴离子发生离子交换，形成CsPb2Br5沉淀。上述方法将铯、铅、溴以离子的形式溶解在溶剂，溶剂采用适量比例的水醇混合，并可以通过控制水和醇的比例达到控制产物的形貌的目的。该CsPb2Br5可实现紫外光谱发射，应用前景广。本发明还提供了一种类钙钛矿材料CsPb2Br5及其用途。
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公开(公告)号：CN105353088B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510769572.0
申请日：2015-11-12
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开一种电控光散射材料与器件时域响应特性测试方法，包括测试样品制备、光路调节、脉冲电源驱动、获取并存储“电压—时间”关系曲线以及，分别计算散光光强变化与时间的时域响应特性、散光时域响应特性与外加电场关系。所用仪器包括：平行光单色激光器、超快脉冲驱动电源、样品支架、可变光阑、光电探测器、示波器、挡板和聚光凸透镜。其理论依据是：光电探测器输出电压与照射到探测面上的光强度成正比，探测器输出电压随时间变化关系直接反映光强随时间变化关系，结合测试时对测试系统中器件及传输网络响应时间误差校正，得出相应外加电压下电控光散射材料或器件的散光光强变化与时间的时域响应特性以及响应时间与电场强度间关系。
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公开(公告)号：CN105353088A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510769572.0
申请日：2015-11-12
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开一种电控光散射材料与器件时域响应特性测试方法，包括测试样品制备、光路调节、脉冲电源驱动、获取并存储“电压—时间”关系曲线以及，分别计算散光光强变化与时间的时域响应特性、散光时域响应特性与外加电场关系。所用仪器包括：平行光单色激光器、超快脉冲驱动电源、样品支架、可变光阑、光电探测器、示波器、挡板和聚光凸透镜。其理论依据是：光电探测器输出电压与照射到探测面上的光强度成正比，探测器输出电压随时间变化关系直接反映光强随时间变化关系，结合测试时对测试系统中器件及传输网络响应时间误差校正，得出相应外加电压下电控光散射材料或器件的散光光强变化与时间的时域响应特性以及响应时间与电场强度间关系。
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公开(公告)号：CN116435733A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310525105.8
申请日：2023-05-10
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开一种介质波导滤波器及通信设备，其属于通信技术领域，所述介质波导滤波器包括第一介质本体、第二介质本体和第三耦合结构，通过第一耦合结构在第一介质本体上划分为三个第一介质谐振器以形成横截面为正六边型的三阶感性交叉耦合结构单元，通过第二耦合结构在第二介质本体上划分三个第二介质谐振器以形成横截面为正六边形的三阶容性交叉耦合结构单元，从而在高频和低频各产生一个传输零点，两个传输零点分别由三阶感性交叉耦合结构单元和三阶容性交叉耦合结构单元控制。本发明实现传输零点的位置灵活可调，能够满足工作频带近端高抑制要求，矩形系数好；结构简单，设计方便，易于加工制备。
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公开(公告)号：CN114551728A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011329199.4
申请日：2020-11-26
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种新的制备高质量钙钛矿的方法，其特征在于一步法制备MAPbI3钙钛矿薄膜的过程中，通过使用添加剂KAc，改变了钙钛矿薄膜晶体生长模式（如附图一所示），钙钛矿中间相由传统的二维层状分解模式变为三维块状分解模式，生长模式的改变显著提高MAPbI3钙钛矿薄膜质量，所制备的钙钛矿薄膜晶体质量高，缺陷密度低，电池光电转换效率高，且稳定性好。
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公开(公告)号：CN108550692A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810276137.8
申请日：2018-03-30
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提出了一种具有共振模式可调的磁电耦合复合材料及其制备方法。它是由正磁致伸缩材料、压电材料以及负磁致伸缩材料层叠合而成后，固定在一种T型结构玻璃基板上而形成的一种悬臂梁结构的复合磁电材料，正、负磁致伸缩材料的厚度比为1:0.4～2。在高或低的偏置磁场作用下，随着正负磁致伸缩层厚度比的不同，其共振模式也会发生变化。在制备时，调节正、负磁致伸缩层不同厚度比，可得到不同的共振模式。本发明相比于其他共振模式单一的磁电耦合材料，通过改变正负磁致伸缩层厚度比，对磁电效应的共振模式进行有效的调控，可以在多共振模式下实现多频磁电效应的增强，从而为多频器件的发展做出贡献。
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公开(公告)号：CN104819876A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510160099.6
申请日：2015-04-07
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提出了一种用于透射电镜原位加电场和应力的薄膜样品制备方法。步骤为(1)待检测薄膜和单晶Si衬底切割成3mm×1mm×0.5mm的长条形状，再将薄膜条的膜面与Si条抛光面对粘，(2)将薄膜条厚度的两面进行机械研磨与抛光，(3)选用钉薄仪进行钉薄，(4)粘接半铜环，(5)选用离子减薄仪进行离子减薄，离子枪电压设定为4kV，角度设定为6°，减薄20～40min；角度改为4°，减薄15～30min，最后采用电压3kV，角度3°抛光3min即得到对粘缝处出现大面积穿孔，对粘的Si片大面积被离子轰击掉了，露出薄膜，可用探针对其加电场和应力，边缘有适用于电镜观察的大面积薄区。
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