一种垂直结构紫外-可见光光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118263351A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410358517.1

    申请日:2024-03-27

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本申请属于光电探测器技术领域,更具体地,涉及一种垂直结构紫外‑可见光光电探测器及其制备方法。该光电探测器自下而上依次设置有高掺杂硅片层、高陷阱态密度的二氧化硅层、金属电极、石墨烯薄膜以及吸光材料层,其中,石墨烯薄膜与吸光材料层结合形成异质结,促进光生载流子的分离与传输,促使电荷的收集与转移。同时,高陷阱态密度的二氧化硅层在一定端电压下,电导率增加,出现半导体态,从而增加异质结端电荷注入的几率,增大光电探测器产生的光电流,通过部件间的相互配合,使得光电探测器对紫外‑可见光宽波段光具有优异的响应度和探测灵敏度,且成像速度快、清晰度高。

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