公开(公告)号：CN111276573A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010099288.8

申请日：2020-02-18

申请人： 湖北大学 ,  武汉睿联智创光电有限公司

发明人： 何云斌 ,  黄攀 ,  黎明锴 ,  王其乐 ,  卢寅梅 ,  常钢 ,  瞿秋琳 ,  李派

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101 ,  H01L31/032

摘要： 本发明公开了一种基于非晶(GaLu)2O3薄膜的日盲紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极；所述有源层为非晶(GaLu)2O3薄膜。本发明利用Lu2O3与Ga2O3形成(GaLu)2O3合金，从而提高Ga2O3的光学带隙，更高带隙的(GaLu)2O3薄膜能够有效地降低器件的暗电流，并使截止波长蓝移至280nm以内。另外本发明在m面蓝宝石生长出非晶(GaLu)2O3薄膜，该薄膜中存在许多悬挂键及表面态，它们会作为复合中心加快器件的响应速度。得益于此，非晶(GaLu)2O3薄膜器件相对于纯Ga2O3器件，极大提高了其对深紫外光的探测能力。

公开(公告)号：CN111276573B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010099288.8

申请日：2020-02-18

申请人： 湖北大学 ,  武汉睿联智创光电有限公司

发明人： 何云斌 ,  黄攀 ,  黎明锴 ,  王其乐 ,  卢寅梅 ,  常钢 ,  瞿秋琳 ,  李派

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101 ,  H01L31/032

摘要： 本发明公开了一种基于非晶(GaLu)2O3薄膜的日盲紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极；所述有源层为非晶(GaLu)2O3薄膜。本发明利用Lu2O3与Ga2O3形成(GaLu)2O3合金，从而提高Ga2O3的光学带隙，更高带隙的(GaLu)2O3薄膜能够有效地降低器件的暗电流，并使截止波长蓝移至280nm以内。另外本发明在m面蓝宝石生长出非晶(GaLu)2O3薄膜，该薄膜中存在许多悬挂键及表面态，它们会作为复合中心加快器件的响应速度。得益于此，非晶(GaLu)2O3薄膜器件相对于纯Ga2O3器件，极大提高了其对深紫外光的探测能力。