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公开(公告)号：CN117446871B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311330935.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开涉及纳米材料技术领域，提供了一种二维氧化铁纳米片及其制备方法。其中，二维氧化铁纳米片的制备方法包括：首先，将云母片放置于管式炉的下游区域；然后，将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀，放置于管式炉的加热区域；最后，对管式炉进行加热，通过化学气相沉积工艺，在云母片上制得二维氧化铁纳米片。
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公开(公告)号：CN114678282A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210586382.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/68 , H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆上键合有多个芯片；根据所述晶圆上各个所述芯片的实际键合位置和预定键合位置，确定各个所述芯片的目标位置；其中，各个所述芯片的所述目标位置与所述预定键合位置之间的偏移参数相同；针对所述晶圆上的每个所述芯片：根据所述实际键合位置和所述目标位置，确定所述芯片上待形成的至少一层第一再布线层的设置位置；其中，所述至少一层第一再布线层中的顶层第一再布线层的设置位置与所述目标位置相同。
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公开(公告)号：CN114446876A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210376505.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆切割方法，提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括依次堆叠的至少两个晶圆，每个所述晶圆包括衬底、形成于所述衬底上的介质层以及形成于所述介质层中的切割道焊盘；在所述晶圆键合结构的最顶部的晶圆的介质层上形成第一氧化层；沿所述最顶部的晶圆的切割道焊盘进行切割以在所述晶圆键合结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿至少一个晶圆并暴露出最底层的晶圆的衬底；在所述第一沟槽内填充第二氧化层；在所述第二氧化层上形成混合键合界面；去除所述第一沟槽内的第二氧化层；以及，对所述最底层的晶圆的衬底进行切割。解决了切割多层堆叠的晶圆时，熔渣堆积严重导致后续无法有效去除的问题。
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公开(公告)号：CN114937658A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210858190.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本公开实施例提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一晶圆，所述第一晶圆中具有阵列排布的多个第一功能芯片；第二晶圆，所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方；所述第二晶圆中具有阵列排布的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一晶圆上的投影与至少两个相邻的所述第一功能芯片部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个相邻的所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有信号通道多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
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公开(公告)号：CN114678282B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210586382.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/68 , H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆上键合有多个芯片；根据所述晶圆上各个所述芯片的实际键合位置和预定键合位置，确定各个所述芯片的目标位置；其中，各个所述芯片的所述目标位置与所述预定键合位置之间的偏移参数相同；针对所述晶圆上的每个所述芯片：根据所述实际键合位置和所述目标位置，确定所述芯片上待形成的至少一层第一再布线层的设置位置；其中，所述至少一层第一再布线层中的顶层第一再布线层的设置位置与所述目标位置相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117446871A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311330935.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开涉及纳米材料技术领域，提供了一种二维氧化铁纳米片及其制备方法。其中，二维氧化铁纳米片的制备方法包括：首先，将云母片放置于管式炉的下游区域；然后，将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀，放置于管式炉的加热区域；最后，对管式炉进行加热，通过化学气相沉积工艺，在云母片上制得二维氧化铁纳米片。
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公开(公告)号：CN117316763A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311175038.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L21/308 , H01L21/311
Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一图案化掩膜层，以第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀衬底，以形成第一沟槽，衬底未被刻蚀的区域构成凸起结构；在衬底上形成第二图案化掩膜层，第二图案化掩膜层至少覆盖凸起结构的侧壁和上表面，第二图案化掩膜层上形成有开口，开口暴露第一沟槽的部分底面；以第二图案化掩膜层为掩膜，从开口刻蚀衬底，以在第一沟槽的下方形成第二沟槽。
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公开(公告)号：CN117222305A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311316375.4
申请日：2023-10-11
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：基底；第一电极层，位于基底上；第一电极层包括多个间隔分布的第一凸起结构；第一凸起结构的横截面积自顶面至底面逐渐增大；功能层，覆盖第一电极层和基底；第二电极层，位于功能层上；其中，在第一电极层和第二电极层的电场作用下，第一凸起结构的顶面与第二电极层之间能够形成导电通道。
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公开(公告)号：CN114937658B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210858190.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本公开实施例提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一晶圆，所述第一晶圆中具有阵列排布的多个第一功能芯片；第二晶圆，所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方；所述第二晶圆中具有阵列排布的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一晶圆上的投影与至少两个相邻的所述第一功能芯片部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个相邻的所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有信号通道多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
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公开(公告)号：CN114446876B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210376505.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆切割方法，提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括依次堆叠的至少两个晶圆，每个所述晶圆包括衬底、形成于所述衬底上的介质层以及形成于所述介质层中的切割道焊盘；在所述晶圆键合结构的最顶部的晶圆的介质层上形成第一氧化层；沿所述最顶部的晶圆的切割道焊盘进行切割以在所述晶圆键合结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿至少一个晶圆并暴露出最底层的晶圆的衬底；在所述第一沟槽内填充第二氧化层；在所述第二氧化层上形成混合键合界面；去除所述第一沟槽内的第二氧化层；以及，对所述最底层的晶圆的衬底进行切割。解决了切割多层堆叠的晶圆时，熔渣堆积严重导致后续无法有效去除的问题。
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