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公开(公告)号：CN110707906A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910961221.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于Si/SiC混合开关的逆变器窄脉冲消除方法，包括：窄脉冲检测方法，采用单极性SPWM时，在过零点和电流峰值区域附近引起的Si IGBT窄脉冲；可变开关策略，完成对所述过零点和所述电流峰值区域附近的Si IGBT窄脉冲的消除，从而提高单相逆变器的性能和可靠性；该方法有效地消除了Si IGBT在过零点和电流峰值区域的窄脉冲，降低了逆变器的开关损耗，提高了逆变器的效率和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110634818A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910913759.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L25/18 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述DBC板上并联设置有Si IGBT、MOSFET和二极管芯片；叠层母排分别与底部及顶部DBC板表面设置的对应敷铜区连接；外壳沿DBC板的外围设置，与四块DBC板围成封闭结构；叠层母排各引脚从外壳侧方穿出以便与外部电路连接。与传统的基于键合线互连和单面散热的封装结构相比，本发明便于发挥叠层母排低寄生参数的优势，最大化发挥MOSFET的高速开关性能，可双面散热以提高功率密度，并具有空间紧凑、装配简单快捷等特点。
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公开(公告)号：CN110634817B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910912563.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述顶部DBC板上并联设置有MOSFET，所述底部DBC板上并联设置有Si IGBT和二极管芯片；所述顶部金属板与底部金属板上DBC板通过排针和排母连接。与传统的单面散热的封装结构相比，本发明能够遏制空间分布参数对MOSFET高速开关工作性能的影响，可双面散热以提高功率密度，并具有空间紧凑、装配简单快捷等特点；同时，本发明提供的封装结构能够以较低的成本获得较好的模块性能。
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公开(公告)号：CN110634818B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910913759.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L25/18 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述DBC板上并联设置有Si IGBT、MOSFET和二极管芯片；叠层母排分别与底部及顶部DBC板表面设置的对应敷铜区连接；外壳沿DBC板的外围设置，与四块DBC板围成封闭结构；叠层母排各引脚从外壳侧方穿出以便与外部电路连接。与传统的基于键合线互连和单面散热的封装结构相比，本发明便于发挥叠层母排低寄生参数的优势，最大化发挥MOSFET的高速开关性能，可双面散热以提高功率密度，并具有空间紧凑、装配简单快捷等特点。
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公开(公告)号：CN110707906B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910961221.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于Si/SiC混合开关的逆变器窄脉冲消除方法，包括：窄脉冲检测方法，采用单极性SPWM时，在过零点和电流峰值区域附近引起的Si IGBT窄脉冲；可变开关策略，完成对所述过零点和所述电流峰值区域附近的Si IGBT窄脉冲的消除，从而提高单相逆变器的性能和可靠性；该方法有效地消除了Si IGBT在过零点和电流峰值区域的窄脉冲，降低了逆变器的开关损耗，提高了逆变器的效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN110634817A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910912563.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述顶部DBC板上并联设置有MOSFET，所述底部DBC板上并联设置有Si IGBT和二极管芯片；所述顶部金属板与底部金属板上DBC板通过排针和排母连接。与传统的单面散热的封装结构相比，本发明能够遏制空间分布参数对MOSFET高速开关工作性能的影响，可双面散热以提高功率密度，并具有空间紧凑、装配简单快捷等特点；同时，本发明提供的封装结构能够以较低的成本获得较好的模块性能。
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