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公开(公告)号：CN115869867B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211704967.9
申请日：2022-12-29
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明提供了一种含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊及其制备方法，涉及微胶囊材料技术领域。本发明提供的微胶囊包括芯材和壁材，芯材包括芯材组分和/有机溶剂，所述有机溶剂包括溶剂油和/或载体溶剂；壁材为含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂；所述含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂是由异氰酸酯封端的硅氧烷组分与多元胺和/或多元醇交联固化而得。本发明采用异氰酸酯封端的硅氧烷及其加成物作为微胶囊壁材，其极易溶于溶剂油、载体溶剂以及芯材物质，进而能得到相应功能性微胶囊，实现微胶囊的多功能化，拓展微胶囊应用领域；并且，本发明提供的含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊具有机械强度高、优异的耐高低温性能、耐酸碱和耐候性等优点。
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公开(公告)号：CN118888574A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410859081.4
申请日：2024-06-28
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
摘要： 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种栅绝缘层结构及具有该栅绝缘层结构的晶体管。所述栅绝缘层结构包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层的材料为(MO)x(RO)y，0.001＜x＜1，0.0001≤y≤0.3，x+y＝1；MO为基质氧化物，RO为铽或者镨的氧化物，R为铽或者镨中的一种或两种；所述第二绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钪、氧化钇、氧化钛中的一种或多种。本发明充分发挥铽或镨元素低电荷转移跃迁能的特性，提供良好的载流子输运性能，实现高的载流子迁移率；通过铽或者镨离子与沟道层之间的电荷转移跃迁来促进沟道中离域电子的弛豫，提高薄膜晶体管NBIS稳定性。
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公开(公告)号：CN115869867A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211704967.9
申请日：2022-12-29
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明提供了一种含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊及其制备方法，涉及微胶囊材料技术领域。本发明提供的微胶囊包括芯材和壁材，芯材包括芯材组分和/有机溶剂，所述有机溶剂包括溶剂油和/或载体溶剂；壁材为含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂；所述含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂是由异氰酸酯封端的硅氧烷组分与多元胺和/或多元醇交联固化而得。本发明采用异氰酸酯封端的硅氧烷及其加成物作为微胶囊壁材，其极易溶于溶剂油、载体溶剂以及芯材物质，进而能得到相应功能性微胶囊，实现微胶囊的多功能化，拓展微胶囊应用领域；并且，本发明提供的含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊具有机械强度高、优异的耐高低温性能、耐酸碱和耐候性等优点。
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公开(公告)号：CN117877985B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311674582.7
申请日：2023-12-07
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明提供一种控制范德华间隙的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一，利用前驱溶液产生饱和蒸汽；步骤二，将第一材料置于饱和蒸汽中进行分子/离子吸附；步骤三，将第一材料与第二材料进行物理层压，形成范德华间隙，所述间隙大小由第一材料吸附时所处的饱和蒸汽控制。本发明利用材料在不同等级的饱和蒸汽下进行表面吸附的不同，结合后续的物理层压，形成了一系列尺寸和成分变化的范德华间隙，所述的范德华间隙能够形成在二维(2D)/2D材料，2D/三维(3D)材料，3D/3D材料和人工超晶格材料中，具有高度的普适性。
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公开(公告)号：CN117976544A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410013921.5
申请日：2024-01-04
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/477 , H01L21/8238 , H01L27/092
摘要： 本发明提供一种基于铜掺杂的氧化亚锡(Cu:SnO)薄膜晶体管、互补型逻辑电路及其制备方法，属于半导体技术领域。所述器件包括依次堆叠衬底、背栅电极层、栅极介电层、半导体沟道材料、电极层和氧化铪层。本发明通过不同的退火顺序获得p型和/或n型沟道Cu:SnO薄膜晶体管，使用等离子体处理技术对p型沟道Cu:SnO进行阈值电压的调控，并在此基础上成功制备互补型逻辑电路。所提出的集成技术成功突破了单种金属氧化物在互补型逻辑电路方面的应用，并应用于柔性衬底上，为未来柔性电子领域应用提供了新思路新技术。
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公开(公告)号：CN117976544B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410013921.5
申请日：2024-01-04
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/477 , H01L21/8238 , H01L27/092
摘要： 本发明提供一种基于铜掺杂的氧化亚锡(Cu:SnO)薄膜晶体管、互补型逻辑电路及其制备方法，属于半导体技术领域。所述器件包括依次堆叠衬底、背栅电极层、栅极介电层、半导体沟道材料、电极层和氧化铪层。本发明通过不同的退火顺序获得p型和/或n型沟道Cu:SnO薄膜晶体管，使用等离子体处理技术对p型沟道Cu:SnO进行阈值电压的调控，并在此基础上成功制备互补型逻辑电路。所提出的集成技术成功突破了单种金属氧化物在互补型逻辑电路方面的应用，并应用于柔性衬底上，为未来柔性电子领域应用提供了新思路新技术。
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公开(公告)号：CN117877985A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311674582.7
申请日：2023-12-07
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明提供一种控制范德华间隙的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一，利用前驱溶液产生饱和蒸汽；步骤二，将第一材料置于饱和蒸汽中进行分子/离子吸附；步骤三，将第一材料与第二材料进行物理层压，形成范德华间隙，所述间隙大小由第一材料吸附时所处的饱和蒸汽控制。本发明利用材料在不同等级的饱和蒸汽下进行表面吸附的不同，结合后续的物理层压，形成了一系列尺寸和成分变化的范德华间隙，所述的范德华间隙能够形成在二维(2D)/2D材料，2D/三维(3D)材料，3D/3D材料和人工超晶格材料中，具有高度的普适性。
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公开(公告)号：CN114784050B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210683525.4
申请日：2022-06-17
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L27/30 , H01L27/28 , H01L29/778 , H01L51/42 , H01L51/48 , H01L21/335
摘要： 本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法，属于半导体技术领域，所述视觉传感器包括高k介质层、钙钛矿层和顶栅电极，所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上，所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质，将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起，所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制，实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。
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公开(公告)号：CN114784050A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210683525.4
申请日：2022-06-17
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L27/30 , H01L27/28 , H01L29/778 , H01L51/42 , H01L51/48 , H01L21/335
摘要： 本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法，属于半导体技术领域，所述视觉传感器包括高k介质层、钙钛矿层和顶栅电极，所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上，所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质，将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起，所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制，实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。
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公开(公告)号：CN217719613U
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202221625369.8
申请日：2022-06-27
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/51 , H01L29/423
摘要： 本实用新型提供一种GaN HEMT器件，所述器件包括GaN基底、位于所述GaN基底上两端的源电极和漏电极、高k介质层、位于高k介质层上的顶栅电极，所述器件还包括金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述高k介质层和所述GaN基底之间，所述金属氧化物层为Y2O3层。本实用新型采用以金属氧化物层作为缓冲层的方法成功实现在AlGaN表面上高k介质层的高质量沉积。本实用新型还可以通过在所述金属氧化物层和所述高k介质层之间添加NiOx层，有效调控AlGaN/GaN HEMT器件的阈值电压，得到高性能AlGaN/GaNHEMT器件。
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