炉体组件、气相沉积设备、以及气相沉积方法

    公开(公告)号:CN117702082B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410169856.5

    申请日:2024-02-06

    IPC分类号: C23C16/44 C23C14/22 F27D3/12

    摘要: 本申请涉及气相沉积技术领域,尤其涉及一种炉体组件、气相沉积设备、以及气相沉积方法,以解决气相沉积设备通过机械手臂将工件送入子炉体的炉膛中,结构复杂,运送工件时稳定性差,并需要较大的工作空间的问题。该炉体组件中,第一驱动结构和送料平台可以自动运送待沉积件,通过第一驱动单元驱动第一长齿轮旋转,第一长齿轮与第一齿轮组件啮合,使得第一齿轮组件被驱动,从而带动第一滚轮组件滚动,进而将待沉积件送入炉膛中,通过齿轮传动和滚轮滚动的方式进行送料,结构简单、紧凑、可靠性高,传动更加平稳,从而使得缓存的待沉积件可以更加平稳地被送入炉膛中,提高了炉体组件结构的紧凑性、可靠性、运行的稳定性,节省了炉体组件占用的空间。

    支撑机构、支撑装置和薄膜制备设备

    公开(公告)号:CN117646195A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202410121606.4

    申请日:2024-01-30

    摘要: 本申请涉及薄膜制备技术领域,尤其涉及一种支撑机构、支撑装置和薄膜制备设备。该支撑机构包括:长条形的支撑件和旋转组件,基体的管状结构套设在支撑件上,旋转组件带动支撑件绕第一轴线旋转,在支撑件旋转的过程中,支撑件的与基体接触的初始表面相对支撑件自身会发生旋转,在基体自身的重力、以及支撑件与管状结构的内壁之间的摩擦力的作用下,支撑件能够相对于基体沿其管状结构的内壁发生滚动,以使支撑件与基体之间的接触位置发生变化,使得基体的表面可以在薄膜制备过程中能够完全裸露,使得薄膜制备设备可以一次性完成对基体的全表面的薄膜制备,简化了基体全表面薄膜制备的过程及工艺,并能够为不同形状的、数量更多的基体提供支撑。

    一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备

    公开(公告)号:CN118254059A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410692782.3

    申请日:2024-05-31

    摘要: 本申请涉及碳化硅外延晶片加工技术领域,具体涉及一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备,解决了对碳化硅外延晶片的外延层边缘超出部分加工时,无法兼顾加工精度和加工效率的问题。该加工设备包括固定座、移动板、第一刀具组、第二刀具组和定位组件,第一刀具组设置于固定座,第二刀具组设置于移动板,第一刀具组包括多个围绕第二轴线均匀分布的第一刀具,第二刀具组包括多个围绕第二轴线均匀分布的第二刀具,定位组件包括第一调节部件、环状的第一夹紧板和第二夹紧板,第一调节部件能够带动被夹紧后的碳化硅外延晶片沿第一轴线转动,以使第一刀具和第二刀具分别对外延层的内圆和外圆进行加工,至外延层的边缘与基底层的边缘对齐。

    气浮托盘组件和外延生长设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118547373A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410799880.7

    申请日:2024-06-19

    IPC分类号: C30B25/12

    摘要: 本申请涉及外延生长技术领域,尤其涉及一种气浮托盘组件和外延生长设备。该气浮托盘组件的气浮托盘的下表面具有中心盲孔,中心柱一端与承载板连接,另一端插接在中心盲孔中,中心柱具有进气孔,气浮托盘下表面的第一圆形凹槽的槽底具有多个导流槽,导流槽沿中心盲孔的周向均布,当气体被输送至进气孔时,气体由进气孔进入中心盲孔,经导流槽均匀地流向第一圆形凹槽、第二圆形凹槽,使得气体均匀地分布在分流腔室,以对气浮托盘下表面的第一圆形凹槽均匀施力,使气浮托盘被托起,避免了单一气孔直接吹向气浮托盘引起的气浮托盘歪斜、气浮托盘旋转时偏磨或振动等问题,从而使气浮托盘受到均匀分布的支撑力,而被平稳、稳定地托起,并保持平稳悬浮。

    一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备

    公开(公告)号:CN118254059B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410692782.3

    申请日:2024-05-31

    摘要: 本申请涉及碳化硅外延晶片加工技术领域,具体涉及一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备,解决了对碳化硅外延晶片的外延层边缘超出部分加工时,无法兼顾加工精度和加工效率的问题。该加工设备包括固定座、移动板、第一刀具组、第二刀具组和定位组件,第一刀具组设置于固定座,第二刀具组设置于移动板,第一刀具组包括多个围绕第二轴线均匀分布的第一刀具,第二刀具组包括多个围绕第二轴线均匀分布的第二刀具,定位组件包括第一调节部件、环状的第一夹紧板和第二夹紧板,第一调节部件能够带动被夹紧后的碳化硅外延晶片沿第一轴线转动,以使第一刀具和第二刀具分别对外延层的内圆和外圆进行加工,至外延层的边缘与基底层的边缘对齐。

    真空夹具
    6.
    发明公开
    真空夹具 审中-实审

    公开(公告)号:CN118269020A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410479595.7

    申请日:2024-04-19

    IPC分类号: B25B11/00

    摘要: 本申请涉及石墨材料加工技术领域,具体涉及一种真空夹具,解决了石墨基座的凹面或凸面不方便夹取的问题。该真空夹具用于夹持具有第一凹面或第一凸面的石墨工件,真空夹具包括底座和吸盘。吸盘的吸附面包括第二凸面或第二凹面,第二凸面的曲率与第一凹面的曲率相同,第二凹面的曲率与第一凸面的曲率相同。在夹持具有第一凹面的石墨工件时,利用具有第二凸面的吸盘进行吸附,在夹持具有第一凸面的石墨工件时,利用具有第二凹面的吸盘进行吸附,从而使吸盘的第二凸面与石墨工件的第一凹面贴合,或者使吸盘的第二凹面与石墨工件的第一凸面贴合,便于对石墨工件的吸附。

    炉体组件、气相沉积设备、以及气相沉积方法

    公开(公告)号:CN117702082A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202410169856.5

    申请日:2024-02-06

    IPC分类号: C23C16/44 C23C14/22 F27D3/12

    摘要: 本申请涉及气相沉积技术领域,尤其涉及一种炉体组件、气相沉积设备、以及气相沉积方法,以解决气相沉积设备通过机械手臂将工件送入子炉体的炉膛中,结构复杂,运送工件时稳定性差,并需要较大的工作空间的问题。该炉体组件中,第一驱动结构和送料平台可以自动运送待沉积件,通过第一驱动单元驱动第一长齿轮旋转,第一长齿轮与第一齿轮组件啮合,使得第一齿轮组件被驱动,从而带动第一滚轮组件滚动,进而将待沉积件送入炉膛中,通过齿轮传动和滚轮滚动的方式进行送料,结构简单、紧凑、可靠性高,传动更加平稳,从而使得缓存的待沉积件可以更加平稳地被送入炉膛中,提高了炉体组件结构的紧凑性、可靠性、运行的稳定性,节省了炉体组件占用的空间。

    支撑机构、气相沉积设备以及气相沉积方法

    公开(公告)号:CN118291943A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410432808.0

    申请日:2024-04-10

    IPC分类号: C23C14/50 C23C16/458

    摘要: 本申请涉及气相沉积技术领域,尤其涉及一种支撑机构、气相沉积设备以及气相沉积方法,以解决在气相沉积过程中,支撑结构与待沉积件全程在待沉积件的表面的同一区域接触,造成此区域不能被沉积薄膜的问题。该支撑机构的支撑台上设置有至少一组第一支撑柱和至少一组第二支撑柱,第二支撑柱设置于第一斜面滑块的第一斜面上的支撑座上,在第一斜面滑块沿往复滑动的过程中,支撑座可以沿竖直方向升高或者降低,使第二支撑平面高于或者低于第一支撑平面,通过第一支撑柱和第二支撑柱更替支撑待沉积件,使得第一支撑柱和第二支撑柱与待沉积件的接触区域均可以暴露在工艺气体中,从而可以一次性完成对待沉积件的所有表面的薄膜沉积,提高了薄膜沉积效果。

    支撑机构、支撑装置和薄膜制备设备

    公开(公告)号:CN117646195B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410121606.4

    申请日:2024-01-30

    摘要: 本申请涉及薄膜制备技术领域,尤其涉及一种支撑机构、支撑装置和薄膜制备设备。该支撑机构包括:长条形的支撑件和旋转组件,基体的管状结构套设在支撑件上,旋转组件带动支撑件绕第一轴线旋转,在支撑件旋转的过程中,支撑件的与基体接触的初始表面相对支撑件自身会发生旋转,在基体自身的重力、以及支撑件与管状结构的内壁之间的摩擦力的作用下,支撑件能够相对于基体沿其管状结构的内壁发生滚动,以使支撑件与基体之间的接触位置发生变化,使得基体的表面可以在薄膜制备过程中能够完全裸露,使得薄膜制备设备可以一次性完成对基体的全表面的薄膜制备,简化了基体全表面薄膜制备的过程及工艺,并能够为不同形状的、数量更多的基体提供支撑。