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公开(公告)号：CN118702492B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411203939.8
申请日：2024-08-30
申请人： 湖南德智新材料有限公司
IPC分类号： C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/626
摘要： 本发明提供了一种超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，所述方法包括：采用化学气相沉积工艺形成TaC粉末；以所述TaC粉末为原料采用烧结法形成TaC涂层。本发明以TaC粉末为原料采用烧结法形成TaC涂层，工艺路径简单，具有可持续生产和生产效率高等优点；并且通过本发明的方法制得的TaC粉末粒径更为均匀细腻，能够使以TaC粉末形成的TaC涂层的纯度更高，可达到半导体设备零部件的纯度要求，且采用化学气相沉积工艺形成的TaC粉末不易发生团聚，从而提升了TaC涂层对碳基材料的性能改善及其功能性。
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公开(公告)号：CN118791322A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411274011.9
申请日：2024-09-12
申请人： 湖南德智新材料有限公司
IPC分类号： C04B38/06 , C04B35/524 , C04B41/85
摘要： 本发明涉及碳纳米线/多孔玻璃碳领域，提供了一种碳纳米线/多孔玻璃碳复合材料及制备方法，制备方法包括：在碱性条件下，将含第一掺杂元素的苯酚衍生物及含第二掺杂元素的甲醛衍生物混合，并反应得到酚醛树脂；第一掺杂元素包括氮，第二掺杂元素独立地包括硼、氮或硼和氮；对酚醛树脂进行发泡处理，得到发泡酚醛树脂；将热固性树脂与发泡酚醛树脂混合并进行固化，得到固化产物；将金属离子催化剂负载到所述固化产物上，得到前驱体；对前驱体进行碳化处理，得到多孔玻璃碳；通过CVD法在多孔玻璃碳的表面沉积碳纳米线，得到碳纳米线/多孔玻璃碳复合材料。本发明的制备方法所提供的碳纳米线/多孔玻璃碳复合材料具有高导热性及抗压性。
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公开(公告)号：CN118388264B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410822047.X
申请日：2024-06-25
申请人： 湖南德智新材料有限公司
IPC分类号： C04B41/89 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及复合材料技术领域，提供了一种复合层及其制备方法和复合材料，该复合层的制备方法包括以下步骤：通过化学气相沉积法，在基体上沉积第一物质，得到第一预制体；然后沉积第二物质，得到第二预制体；然后沉积第三物质，得到复合层；所述第一物质与所述第二物质不同并分别选自硼化锆和石墨烯中的一个，所述第三物质为碳化硅；沉积硼化锆的条件包括：沉积温度为1150‑1350℃，沉积压力为8kPa‑18kPa，沉积时间为30 min‑300min。本发明通过在碳化硅层与石墨基体之间引入硼化锆和石墨烯过渡层，可以极大提高石墨基体与碳化硅层的结合强度，延长产品寿命。
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公开(公告)号：CN118335683B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410756756.2
申请日：2024-06-13
申请人： 湖南德智新材料有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/32 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及半导体制造的技术领域，提供了一种半导体基座、半导体基座的制备方法及半导体基座的应用。所述半导体基座包括基座，设置于基座上表面的第一碳化硅涂层和设置于基座下表面的第二碳化硅涂层；所述第一碳化硅涂层上表面的发射率小于所述第二碳化硅涂层下表面的发射率且所述第一碳化硅涂层上表面的发射率与所述第二碳化硅涂层下表面的发射率的比值为1:（1‑1.2）。本发明通过优化设置于基座上表面和下表面的碳化硅涂层的粗糙度和碳化硅涂层厚度，使半导体基座下表面的热发射率较大，半导体基座上表面的热发射率较小，有利于提高半导体基座整体蓄热能力，使半导体基座形成均匀的温场，最终提高晶圆上的薄膜成膜质量。
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公开(公告)号：CN118307345A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410692784.2
申请日：2024-05-31
申请人： 湖南德智新材料有限公司
IPC分类号： C04B41/89
摘要： 本发明涉及复合材料技术领域，具体涉及复合材料及其制备方法，复合材料包括基材和位于基材表面的涂层，涂沿碳基基材侧向远离碳基基材的方向，所述涂层依次包括位于所述碳基基材表面的热解碳层、Ta‑TaC层和TaC层，所述TaC层通过XRD获得的(200)晶面的峰强度I(200)最大，且(200)与(111)晶面的峰强度之比I(200)/I(111)大于2。本发明的复合材料热膨胀系数变化较为缓和，可以缓解因热膨胀系数不匹配引起的涂层开裂的问题，抗热震性能高。而且制备本发明的复合材料的方法，操作简单，容易控制。
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公开(公告)号：CN118254059A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410692782.3
申请日：2024-05-31
申请人： 湖南德智新材料有限公司
摘要： 本申请涉及碳化硅外延晶片加工技术领域，具体涉及一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，解决了对碳化硅外延晶片的外延层边缘超出部分加工时，无法兼顾加工精度和加工效率的问题。该加工设备包括固定座、移动板、第一刀具组、第二刀具组和定位组件，第一刀具组设置于固定座，第二刀具组设置于移动板，第一刀具组包括多个围绕第二轴线均匀分布的第一刀具，第二刀具组包括多个围绕第二轴线均匀分布的第二刀具，定位组件包括第一调节部件、环状的第一夹紧板和第二夹紧板，第一调节部件能够带动被夹紧后的碳化硅外延晶片沿第一轴线转动，以使第一刀具和第二刀具分别对外延层的内圆和外圆进行加工，至外延层的边缘与基底层的边缘对齐。
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公开(公告)号：CN118248260A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410330267.0
申请日：2024-03-21
申请人： 湖南德智新材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种响应面法优化沉积SiC涂层的方法。利用响应面法优化CVD沉积SiC涂层，通过设计一系列实验和统计分析，响应面法能够建立起沉积温度、沉积压力和气相前驱体流量比三种试验变量与SiC涂层结合强度之间的关系模型，并通过模型进行参数优化，可以准确预测工艺参数变化对SiC涂层结合强度的影响。相对于传统方法，响应面法能够充分考虑参数之间的相互作用，准确预测和优化工艺参数，节省时间和提高效率。
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公开(公告)号：CN118086866A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410217321.0
申请日：2024-02-27
申请人： 湖南德智新材料有限公司
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料。该方法包括：(1)将基底放置于化学气相沉积设备中，抽真空，再通入惰性气体；(2)将碳硅源气体、掺杂元素气体、还原气体和稀释气体的混合气体通入化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在基底表面沉积碳化硅；工艺参数包括：沉积温度为1000℃‑1600℃，沉积压力为9kPa‑60kPa；(3)化学气相沉积完成后，去除基底；掺杂元素气体和碳硅源气体的流量比为(0.3～10):1；碳硅源气体和还原气体的流量比为1:(1‑60)。该制备方法得到的碳化硅材料，兼具低电阻率和高致密度的优良特性。
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公开(公告)号：CN117737695A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311764326.7
申请日：2023-12-20
申请人： 湖南德智新材料有限公司
摘要： 本发明涉及碳化硅清洁领域，提供了一种清洁方法，该方法包括使用清洁气体清洁位于基材表面的含碳化硅的堆积物；所述基材包括位于基底表面的热解碳涂层；所述热解碳涂层由聚酰亚胺和纳米微晶纤维素热解得到；所述清洁气体为三氟化氯。通过该方法能够使得碳化硅薄膜或颗粒从热解碳表面脱落，实现CVD反应器的清洁，同时，能够减少三氟化氯对反应器和基底的腐蚀，提高反应器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117737686A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410137596.3
申请日：2024-01-31
申请人： 湖南德智新材料有限公司
摘要： 本申请涉及气相沉积技术领域，具体涉及一种石墨产品的膜层制备方法，解决了在气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品发生变形的问题。石墨产品的膜层制备方法包括：制备第一石墨产品，所述第一石墨产品具有上表面和下表面；在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品；对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，所述第四石墨产品的上表面不具有所述应力释放槽。通过在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，可以在膜层沉积的过程中，减少应力集中，从而减小第二石墨产品在膜层沉积过程的形变。
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