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公开(公告)号：CN116399946A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310201387.6
申请日：2023-03-03
申请人： 湘潭大学
摘要： 本发明提出的一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，包括：在第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数；在第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数，第二预设温度低于第一预设温度且低于常温；在预设辐照条件和第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第三1/f噪声参数；在预设辐照条件和第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第四1/f噪声参数；根据第一1/f噪声参数、第二1/f噪声参数、第三1/f噪声参数及第四1/f噪声参数，确定低温条件下待测SiGe HBT中总剂量效应感生缺陷分布变化。
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公开(公告)号：CN116106710A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211634449.4
申请日：2022-12-19
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及微电子领域，具体涉及一种锗硅异质结晶体管的质子引发单粒子效应的测试方法，其特征在于，包括：在常温条件下，对第一待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照，获得单粒子效应产生的第一瞬态脉冲数据；在预设温度下，对第二待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照，获得单粒子效应产生的第二瞬态脉冲数据，所述预设温度低于常温；基于所述第一瞬态脉冲数据和所述第二瞬态脉冲数据，分析第二锗硅异质结晶体管组在所述预设温度下质子引发单粒子效应的产生机制。本发明通过分别对常温和预设温度下的锗硅异质结晶体管进行质子辐照，并对检测获得的瞬态脉冲数据对比分析，进而分析得到质子引发单粒子效应的产生机制。
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公开(公告)号：CN114563642B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210189856.2
申请日：2022-02-28
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提出的一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置，包括：检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能，筛选出待测器件；将待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接，得到多个待测器件组；将待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上；对真空腔内进行抽真空；在预设条件下分别检测待测器件组的电学性能；对每个待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析，确定预设温度辐照下，锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。通过对不同条件下晶体管性能的检测及对比分析，得到极端低温下载流子冻析效应和电离总剂量效应的作用下晶体管的特性变化情况，为了解晶体管在空间极端环境下的可靠性以及提供相应的加固措施提供依据。
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公开(公告)号：CN114624561A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210252228.4
申请日：2022-03-15
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01R31/26 , G01N23/2255 , G01N23/2202
摘要： 本发明公开了一种增强型氮化镓器件位移损伤效应的测试方法及系统，该方法包括：将待测器件进行分组编号，得到增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组；将增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行电学性能测试，并记录第一测试结果；将增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行质子辐照；将质子辐照后的增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行电学性能测试，并记录第二测试结果；基于增强型氮化镓器件组的第二测试结果和第一测试结果的比较分析，得到第一比较结果；基于耗尽型氮化镓器件组的第二测试结果和第一测试结果的比较分析，得到第二比较结果；基于第一比较结果和第二比较结果确定待测器件对位移损伤效应电荷收集的敏感区域。
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公开(公告)号：CN116047250A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211634544.4
申请日：2022-12-19
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提出了一种氮化镓功率器件的单粒子烧毁效应的安全工作区间的检测方法，其特征在于，包括：在额定电压下，检测待测器件电学性能，获得第一转移特性曲线；在预设偏置电压下，检测所述待测器件的电学性能，获得第二转移特性曲线，所述预设偏置电压中的漏极预设偏置电压大于所述额定电压中的漏极额定电压；在所述预设偏置电压和预设辐照下，检测所述待测器件的电学性能，获得第三转移特性曲线；所述第一转移特性曲线和第二转移特性曲线，确定所述待测器件的无辐照安全电压；本申请基于所述第一转移特性曲线、所述第三转移特性曲线和所述无辐照安全电压，确定所述待测器件的单粒子烧毁效应的安全工作区间。
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公开(公告)号：CN114563642A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210189856.2
申请日：2022-02-28
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提出的一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置，包括：检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能，筛选出待测器件；将待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接，得到多个待测器件组；将待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上；对真空腔内进行抽真空；在预设条件下分别检测待测器件组的电学性能；对每个待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析，确定预设温度辐照下，锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。通过对不同条件下晶体管性能的检测及对比分析，得到极端低温下载流子冻析效应和电离总剂量效应的作用下晶体管的特性变化情况，为了解晶体管在空间极端环境下的可靠性以及提供相应的加固措施提供依据。
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