公开(公告)号：CN1489704A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804285.9

申请日：2002-01-30

申请人： 滨松光子学株式会社

发明人： 近藤稔 ,  永井俊光 ,  木船淳

IPC分类号： G01T1/20 ,  H01J37/244 ,  H01J49/02 ,  H01J43/24

CPC分类号： H01J49/025 ,  H01J29/385 ,  H01J37/244 ,  H01J43/04 ,  H01J2237/28

摘要： 在电子束检测器中，通过光波导将化合物半导体基片的荧光出射表面与光检测器的光入射面光学耦合，并将化合物半导体基片与光检测器物理连接，从而将化合物半导体基片与光检测器连为一体。将入射到化合物半导体基片的电子变换为荧光时，光波导将该荧光导向光检测器，通过光检测器检测荧光来检测入射的电子束。

公开(公告)号：CN1307432C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN02804285.9

申请日：2002-01-30

申请人： 滨松光子学株式会社

发明人： 近藤稔 ,  永井俊光 ,  木船淳

IPC分类号： G01T1/20 ,  H01J37/244 ,  H01J49/02 ,  H01J43/24

CPC分类号： H01J49/025 ,  H01J29/385 ,  H01J37/244 ,  H01J43/04 ,  H01J2237/28

摘要： 在电子束检测器中，通过光波导将化合物半导体基片的荧光出射表面与光检测器的光入射面光学耦合，并将化合物半导体基片与光检测器物理连接，从而将化合物半导体基片与光检测器连为一体。将入射到化合物半导体基片的电子变换为荧光时，光波导将该荧光导向光检测器，通过光检测器检测荧光来检测入射的电子束。

公开(公告)号：CN1305638A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN99807453.5

申请日：1999-06-15

申请人： 滨松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  久嶋浩之 ,  长谷川宽 ,  永井俊光

IPC分类号： H01J43/24

CPC分类号： H01J43/06

摘要： 将离子约束电极(22)及离子捕获电极(23)配置在光电面(20)与第1级倍增器电极(24a)之间,以防止电子管光电面(20)的灵敏度变坏,并且对于长时间使用可得到稳定的输出。将这些电极的电位设定成:离子约束电极(22)的电位比第1级倍增器电极(24a)的电位高,离子捕获电极(23)的电位比光电面(20)的电位高或相等并且比第1级倍增器电极(24a)的电位低。由此,能有效地抑制在第1级倍增器电极(24a)附近发生的正离子朝向光电面(20)的离子反馈,其结果,可防止光电面(20)的灵敏度变坏,并且对于长时间使用可得到稳定的输出。

公开(公告)号：CN1199229C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN99807453.5

申请日：1999-06-15

申请人： 滨松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  久嶋浩之 ,  长谷川宽 ,  永井俊光

IPC分类号： H01J43/24

CPC分类号： H01J43/06

摘要： 将离子约束电极(22)及离子捕获电极(23)配置在光电面(20)与第1级倍增器电极(24a)之间，以防止电子管光电面(20)的灵敏度变坏，并且对于长时间使用可得到稳定的输出。将这些电极的电位设定成：离子约束电极(22)的电位比第1级倍增器电极(24a)的电位高，离子捕获电极(23)的电位比光电面(20)的电位高或相等并且比第1级倍增器电极(24a)的电位低。由此，能有效地抑制在第1级倍增器电极(24a)附近发生的正离子朝向光电面(20)的离子反馈，其结果，可防止光电面(20)的灵敏度变坏，并且对于长时间使用可得到稳定的输出。