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公开(公告)号：CN104704640A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380050971.0
申请日：2013-07-29
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约翰·费尔登
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01J29/385 , G01N21/9501 , G02B21/125 , H01J1/34 , H01J31/26 , H01J31/50 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H01L27/14806 , H01L27/14893
摘要： 在具有相对所照射(顶部)表面和输出(底部)表面的单晶硅衬底上形成光阴极。为防止所述硅氧化，使用使氧化和缺陷降到最低的方法将薄(例如，1nm到5nm)硼层直接安置于所述输出表面上，并且然后在所述硼层上方形成低功函数材料层以增强光电子的发射。所述低功函数材料包含碱金属(例如，铯)或碱金属氧化物。在所述所照射(顶部)表面上形成可选第二硼层，并在所述硼层上形成可选抗反射材料层以增强光子进入所述硅衬底中。在所述相对所照射(顶部)表面与输出(底部)表面之间产生可选外部电位。所述光阴极形成新颖传感器和检查系统的一部分。
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公开(公告)号：CN1019622B
公开(公告)日：1992-12-23
申请号：CN90103851.2
申请日：1990-05-21
申请人： 东芝株式会社
IPC分类号： H01J31/50
CPC分类号： G21K4/00 , H01J29/385
摘要： 一种X射线图象管，包括输入面，输出面，外壳，输入面备有基板、荧光体层及光电面，在输入面的荧光体层的周边部分的柱状结晶比在荧光体层的中央部分的柱状结晶细，柱状结晶的前端部分间的间隙作成比其他部分间的间隙小。本管光电面稳定，并可减低光电面的灵敏度下降即辉度下降的程度，还可防止光电面的周边部分的析象度降低。
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公开(公告)号：CN88101359A
公开(公告)日：1988-09-28
申请号：CN88101359
申请日：1988-03-12
申请人： 东芝有限公司
发明人： 久保宏
CPC分类号： H01J29/385 , G21K4/00 , H05G1/64
摘要： 本发明有关X射线显像管荧光屏的改良，通过使荧光屏由高密度荧光体层和低密度荧光体层构成，且使高密度层配置在低密度层的输出侧，还使高密度层膜厚在外围部比荧光屏中心部变厚，和使低密度层模外围部比荧光屏中心部变厚或变薄等，收到不仅能使输出亮度分布变平坦，还使不发生因X射线素质变化而引起输出亮度分布变化的效果，特别能适用于荧光屏膜厚增大的X射线显像管。
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公开(公告)号：CN108155200A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711145148.4
申请日：2013-07-29
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约翰·费尔登
CPC分类号： H01J29/385 , G01N21/9501 , G02B21/125 , H01J1/34 , H01J31/26 , H01J31/50 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H01L27/14806 , H01L27/14893
摘要： 本揭露涉及包含具有硼层的硅衬底的光阴极。在具有相对所照射(顶部)表面和输出(底部)表面的单晶硅衬底上形成光阴极。为防止所述硅氧化，使用使氧化和缺陷降到最低的方法将薄(例如，1nm到5nm)硼层直接安置于所述输出表面上，并且然后在所述硼层上方形成低功函数材料层以增强光电子的发射。所述低功函数材料包含碱金属(例如，铯)或碱金属氧化物。在所述所照射(顶部)表面上形成可选第二硼层，并在所述硼层上形成可选抗反射材料层以增强光子进入所述硅衬底中。在所述相对所照射(顶部)表面与输出(底部)表面之间产生可选外部电位。所述光阴极形成新颖传感器和检查系统的一部分。
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公开(公告)号：CN1012772B
公开(公告)日：1991-06-05
申请号：CN88101359
申请日：1988-03-12
申请人： 东芝有限公司
发明人： 久保宏
CPC分类号： H01J29/385 , G21K4/00 , H05G1/64
摘要： 本发明有关X射线显像管荧光屏的改良，通过使荧光屏由高密度荧光体层和低密度荧光体层构成，且使高密度层配置在低密度层的输出侧，还使高密度层膜厚在外围部比荧光屏中心部变厚，和使低密度层模外围部比荧光屏中心部变厚或变薄等，收到不仅能使输出亮度分布变平坦，还使不发生因X射线素质变化而引起输出亮度分布变化的效果，特别能适用于荧光屏膜厚增大的X射线显像管。
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公开(公告)号：CN1047588A
公开(公告)日：1990-12-05
申请号：CN90103851.2
申请日：1990-05-21
申请人： 东芝株式会社
IPC分类号： H01J31/50
CPC分类号： G21K4/00 , H01J29/385
摘要： 一种X射线图象管，包括输入面，输出面，外壳，输入面备有基板、荧光体层及光电面，在输入面的荧光体层的周边部分的柱状结晶比在荧光体层的中央部分的柱状结晶细。柱状结晶的前端部分间的间隙作成比其他部分间的间隙小。本管光电面稳定，并可减低光电面的灵敏度下降即辉度下降的程度。还可防止光电面的周边部分的析象度降低。
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公开(公告)号：CN87102131A
公开(公告)日：1987-09-30
申请号：CN87102131
申请日：1987-03-16
申请人： 菲利浦光灯制造公司
发明人： 西奥·约翰·奥古斯特·波普马 , 雅各布·安妮·登博尔
IPC分类号： G21K4/00
CPC分类号： H01J29/385 , G21K4/00
摘要： 对发光材料和可能的其他材料利用各不同沉积技术或沉积条件形成一辐射转换屏幕，该屏幕具有在厚度方向上变化的特性。因此，一高吸收率，轻微的光的散射、适宜的屏蔽，适宜的光透射性，低的结构干扰和一高的分辨率可结合在一单一片层中。由于已知多层片层的这些不同需求中至少有一个总是不象所要求那样得到满意的解决，这些不相同的需求导致折中解决办法。
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公开(公告)号：CN1307432C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02804285.9
申请日：2002-01-30
申请人： 滨松光子学株式会社
IPC分类号： G01T1/20 , H01J37/244 , H01J49/02 , H01J43/24
CPC分类号： H01J49/025 , H01J29/385 , H01J37/244 , H01J43/04 , H01J2237/28
摘要： 在电子束检测器中，通过光波导将化合物半导体基片的荧光出射表面与光检测器的光入射面光学耦合，并将化合物半导体基片与光检测器物理连接，从而将化合物半导体基片与光检测器连为一体。将入射到化合物半导体基片的电子变换为荧光时，光波导将该荧光导向光检测器，通过光检测器检测荧光来检测入射的电子束。
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公开(公告)号：CN1105803A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：CN94190131.9
申请日：1994-03-17
申请人： 株式会社东芝
发明人： 山岸城文
IPC分类号： H01J31/50
CPC分类号： H01J29/385 , H01J2231/50036
摘要： 一种X射线图像增强器，包括具有金属制的X射线输入窗的真空外壳、在上述X射线输入窗内表面上形成的输入面、在上述真空外壳内沿着从上述输入面发射的电子的前进方向顺序设置的聚焦电极、阳极和输出面。上述X射线输入窗在形成输入面一侧的面上具有凹凸表面硬化层，上述输入面具有在上述凹凸表面硬化层上形成的荧光体层和在该荧光体层上形成的光电面。
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公开(公告)号：CN1012773B
公开(公告)日：1991-06-05
申请号：CN89101205.2
申请日：1989-03-03
申请人： 东芝株式会社
CPC分类号： H01J9/12 , H01J29/385
摘要： X射线图象管具备真空管壳及含配设在该真空管壳的X射线输入侧的基板、在该基板上形成的有柱状结晶的荧光体层、及在该荧光体层上形成的光电面的输入面。在此X射线图象管的输入面上通过使荧光体层的柱状结晶的顶部变形来埋没柱状结晶的顶部间隙。该输入面的制作工序为在形成光电面前使用蒸镀法形成的柱状结晶的顶部作机械塑性变形，至少埋没该柱状结晶的头部间的间隙，并形成该结晶的头部实质上连续的连续面。
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