公开(公告)号：CN116097176A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180053951.3

申请日：2021-09-15

Applicant: 激光影像系统有限责任公司

Inventor： C·施瓦茨 ,  J·伯格夫 ,  S·海涅曼 ,  H·瓦格纳 ,  S·吕克尔 ,  F·尤格尔

IPC: G03F9/00

Abstract: 本发明涉及一种用于在采用针对光敏涂层中的二维结构的光刻直接曝光法时进行曝光控制的装置以及一种将配准数据转换为直接曝光数据的方法。本发明用以达成在采用针对光敏层中的二维结构的直接曝光法时实现允许独立于目标标记的定义位置对目标标记进行配准的有所改进的曝光控制的目的的解决方案在于，多个用于在所述衬底(2)的预设宽度内形成无间隙的线性扫描区域(23)的近心摄像机以横向于所述衬底(2)的一维运动线性对准的方式布置在配准单元(1)中，其中相邻近心摄像机的像角沿所述线性扫描区域(23)具有重叠区域，可以在所述重叠区域中检测所述相邻摄像机的衬底(2)的冗余图像记录，并且所述计算单元(5)具有在补充性地使用通过对所述衬底表面(21)的距离的三角测量所测定的目标标记的高度位置的情况下根据所述相邻近心摄像机的冗余图像记录计算所述目标标记的位置的构件。