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公开(公告)号：CN109824008A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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公开(公告)号：CN109824008B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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公开(公告)号：CN109932064B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910232823.X
申请日：2019-03-26
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： G01J5/20
摘要： 本发明提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器的制备方法，包括以下步骤：A)将红外焦平面阵列探测器的窗口依次采用丙酮和工作液进行清洗；B)将清洗后的红外焦平面阵列探测器的窗口在真空条件下，通入氩气，进行射频等离子清洗；C)再通入碳源气体，采用射频等离子增强化学气相沉积方法在红外焦平面阵列探测器的窗口的表面沉积DLC保护膜，得到具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器；所述步骤C)的射频功率为100～2500W，所述步骤C)的真空度为3×10‑3～3×10‑5Pa。本发明还提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器。
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公开(公告)号：CN109932064A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910232823.X
申请日：2019-03-26
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： G01J5/20
摘要： 本发明提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器的制备方法，包括以下步骤：A)将红外焦平面阵列探测器的窗口依次采用丙酮和工作液进行清洗；B)将清洗后的红外焦平面阵列探测器的窗口在真空条件下，通入氩气，进行射频等离子清洗；C)再通入碳源气体，采用射频等离子增强化学气相沉积方法在红外焦平面阵列探测器的窗口的表面沉积DLC保护膜，得到具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器；所述步骤C)的射频功率为100～2500W，所述步骤C)的真空度为3×10-3～3×10-5Pa。本发明还提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器。
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公开(公告)号：CN109873004A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910155913.3
申请日：2019-03-01
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种红外成像探测元件，所述红外成像探测元件包括红外成像探测器与探测器载体；所述红外成像探测器设置在所述探测器载体内部；所述红外成像探测器为通过晶圆级封装得到的红外成像探测器；所述红外成像探测器的I/O端口与所述探测器载体的导电区域通过引线一一对应连接；所述引线为直引线；所述导电区域的一部分位于所述探测器载体的底部。本发明通过直引线将晶圆级封装(WLP)技术得到的红外成像探测器与所述探测器载体相连接，避免了引线在连接过程中的弯折，降低了连接难度，提高了生产效率，延长了使用寿命，同时降低了空间占用，更抗冲击。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的红外成像探测元件的制作方法及一种红外探测仪。
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公开(公告)号：CN109065439A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810902315.3
申请日：2018-08-09
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC分类号： H01L21/02041 , B81B7/02 , H01L21/02057
摘要： 本发明公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN208796979U
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201821203812.6
申请日：2018-07-27
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： H01L23/26
摘要： 本实用新型属于高真空电子器件领域，公开了一种三维吸气剂薄膜结构，包括衬底、凸出部，所述凸出部以以阵列排布方式分布于所述衬底的表面；以及吸气剂薄膜，所述吸气剂薄膜均匀沉积在所述凸出部和未被所述凸出部覆盖的衬底表面。采用本实用新型，具有提高吸气剂薄膜单位占用面积吸气性能的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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