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公开(公告)号：CN115016048A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210674293.6
申请日：2022-06-15
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种减反射微结构，涉及光学技术领域，用于光学器件窗口上，包括基底；设于基底上表面和/或下表面的微结构层，微结构层包括至少两层层叠设置的微结构阵列层，每层微结构阵列层包括多个微结构，不同微结构阵列层中的微结构的材料不同。本申请中减反射微结构的微结构层包括微结构阵列层，微结构阵列层包括多个微结构，微结构阵列层可以等效成具有渐变折射率梯度分布的薄膜，实现减反射效果，同时微结构阵列层的层数在两层以上，且不同微结构阵列层的材料不同，减少折射率的突变，因此可以减少发生菲涅尔反射，增强减反射微结构的减反射能力，实现更好的增透效果。本申请还提供一种具有上述优点的减反射微结构制作方法。
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公开(公告)号：CN116902905A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311043081.9
申请日：2023-08-18
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器其封装结构、制备方法，红外探测器芯片晶圆包括衬底晶圆、外延层、层间介质、集成电路、与集成电路相连的微测辐射热计；集成电路处设有贯穿层间介质、外延层及衬底晶圆的通孔，通孔的侧壁设有绝缘层，通孔内填充有导电材料，以使集成电路与导电材料相连；衬底晶圆下表面设有与导电材料相连的导电结构，以使集成电路通过导电结构与外部电路相连。本申请公开的技术方案，在集成电路处设置通孔，在通孔内填充导电材料，以使集成电路通过导电材料及导电结构与外部电路相连，而不再需要通过从集成电路引出互连线来与外部电路相连，从而缩短电互联长度，提高互连可靠性，降低信号传输延迟和封装体积。
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公开(公告)号：CN115493704A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211070968.2
申请日：2022-09-02
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： G01J5/04 , G01J5/0875 , G01J5/02
摘要： 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器真空封装结构及其制作方法，涉及红外探测器封装领域，包括可伐框、光学窗口、芯片、吸气剂和管壳；光学窗口的入光面与可伐框连接，可伐框与管壳连接，可伐框、光学窗口与管壳形成真空腔体；吸气剂设于光学窗口的出光面以及光学窗口的侧面；出光面与芯片相对，入光面与出光面相背。本申请中光学窗口与可伐框的连接位置与吸气剂的设置位置不在同一表面，且光学窗口侧面也设有吸气剂，吸气剂面积增大，可以延长探测器的真空保持时间，而且可以避免吸气剂对光学窗口与可伐框连接的区域的污染；光学窗口设置在可伐框内，避免受到外界损伤，且可以降低探测器的整体高度；吸气剂热激活时可以避免对芯片造成影响。
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公开(公告)号：CN114019592A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111314471.6
申请日：2021-11-08
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： G02B1/118
摘要： 本申请公开了一种减反射结构体，包括：基底；位于所述基底的上表面的微结构阵列，所述微结构阵列包括多个微结构，多个所述微结构呈不规则的矩形排列。本申请中的减反射结构体包括基底和设置在基底上的微结构阵列，由于微结构阵列中多个微结构呈不规则的排列，微结构阵列可以使散射光线在空间中均匀分布，所有角度的反射光强均比较小，从而防止减反射结构体表面产生眩光。此外，本申请还提供一种具有上述优点的减反射结构体制作方法和光学器件。
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公开(公告)号：CN115016048B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210674293.6
申请日：2022-06-15
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种减反射微结构，涉及光学技术领域，用于光学器件窗口上，包括基底；设于基底上表面和/或下表面的微结构层，微结构层包括至少两层层叠设置的微结构阵列层，每层微结构阵列层包括多个微结构，不同微结构阵列层中的微结构的材料不同。本申请中减反射微结构的微结构层包括微结构阵列层，微结构阵列层包括多个微结构，微结构阵列层可以等效成具有渐变折射率梯度分布的薄膜，实现减反射效果，同时微结构阵列层的层数在两层以上，且不同微结构阵列层的材料不同，减少折射率的突变，因此可以减少发生菲涅尔反射，增强减反射微结构的减反射能力，实现更好的增透效果。本申请还提供一种具有上述优点的减反射微结构制作方法。
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公开(公告)号：CN115838156A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211704160.5
申请日：2022-12-29
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请涉及晶圆级真空封装领域，公开了一种晶圆级真空封装中的焊料制备方法，包括：将焊料掩膜版与待键合晶圆的焊接面对准，使焊料掩膜版上的通孔分别与焊接面上的键合金属区对准；将预制焊料片置于通孔内，使预制焊料片与键合金属区对准；焊接预制焊料片和键合金属区，并去掉焊料掩膜版，得到带有焊料的晶圆。本申请通过焊料掩膜版使预制焊料片与待键合晶圆的键合金属区对准，即可以通过焊料掩膜版一次将多个预制焊料片进行对准，降低工艺难度，提升制作速度，降低制作成本。并且，不需使用光学对准对预制焊料片单片单片的对准，对准精度提高，提升带有焊料的晶圆的合格率，同时也可以降低制作成本。
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公开(公告)号：CN118136695A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410449110.X
申请日：2024-04-15
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/08 , H01L31/0203
摘要： 本发明涉及半导体封装领域，特别是涉及一种红外探测器，包括陶瓷管壳和红外探测芯片；所述陶瓷管壳包括管壳本体，以及设置于所述管壳本体的多个导电单元，所述导电单元包括导电接触点、导电埋线及外侧电连接件；导电接触点与外侧电连接件通过导电埋线电连接；所述红外探测芯片的芯片凸点与对应的所述导电接触点固连。本发明可以充分减小红外探测器的尺寸，提升生产效率与产品良率。本发明通过导电接触点直接与红外探测芯片的芯片凸点垂直互连，代替了相关技术中水平方向上的引线键合工艺，再通过管壳本体内的导电埋线，将芯片的电信号直接传导到红外探测器外部，可以充分减小红外探测器的尺寸，同时降低生产成本，提升了生产效率与产品良率。
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公开(公告)号：CN116443804A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310459810.2
申请日：2023-04-21
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： B81B7/00 , G01J5/00 , G01J5/0875 , B81B7/02 , B81C1/00
摘要： 本申请涉及半导体领域，公开了一种晶圆级封装的红外探测器及其制作方法，包括：传感器晶圆、窗口晶圆、吸气剂和金属激活电极，窗口晶圆具有墙体围成的凹槽，吸气剂设于墙体的端面和/或内侧面；传感器晶圆和窗口晶圆键合形成真空腔体，金属激活电极设置于真空腔体以外的区域；吸气剂与金属激活电极连接或者通过导电介质电连接。本申请中金属激活电极只对吸气剂进行加热，避免由热激活导致的MEMS结构热失效、探测器封装失效和焊料溢球等问题。吸气剂设置在窗口晶圆上墙体的端面和/或内侧面，可在不增加探测器尺寸的前提下增大吸气剂面积，从而更好地维持真空腔体内部真空度；还可使窗口晶圆出光面全部用来设置光学窗口，从而提升探测器性能。
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公开(公告)号：CN115459233A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211164187.X
申请日：2022-09-23
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请涉及晶圆划片领域，公开了一种用于晶圆划片的芯片保护电路及其制作方法、晶圆，包括导电保护层、第一导电连接体和静电释放体；导电保护层和第一导电连接体用于设于晶圆上芯片的电路结构的表面，静电释放体与所述电路结构处于同一水平位置；第一导电连接体用于电连接导电保护层和静电释放体，静电释放体接地。本申请芯片保护电路中导电保护层设在芯片电路结构的表面，当对晶圆进行划片时，产生的碎屑冲击到导电保护层上，不会对电路结构直接产生冲击，有效减少损伤。同时晶圆划片时芯片产生的静电荷通过导电保护层、第一导电连接体转移至静电释放体，进而转移至大地，高效消除静电荷，实现对芯片的静电保护，大大降低芯片电路失效的可能。
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公开(公告)号：CN115285932A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210947364.5
申请日：2022-08-09
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种探测器芯片的制备方法，通过在将窗口片与器件晶圆进行键合形成与探测器阵列中的各个探测单元对应的真空腔体后，再利用激光透过窗口片照射至真空腔体中的吸气剂上，利用激光给吸气剂提供的能量激活吸气剂，使得吸气剂可以重新具备吸气能力。在对吸气剂进行激活的过程中，由于激光仅对准吸气剂所在的区域进行照射，激光产生的能量不会对探测单元的结构造成损伤，同时也可以有效的避免激活过程中产生焊料溢球的现象，有利于提高探测器芯片的可靠性能。
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