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公开(公告)号:CN110053844A
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201910035377.3
申请日:2019-01-15
申请人: 爱思开海力士有限公司
发明人: 李建泳 , 林相俊 , 金欢喜 , 金炫佑 , 文再梵 , 李相佶
IPC分类号: B65D5/48 , B65D85/86
摘要: 本发明公开了一种被配置为包装半导体器件的中子屏蔽包装体。中子屏蔽包装体通过在半导体器件的空运期间与中子碰撞来减少在半导体器件中引起的电离总剂量TID缺陷。中子屏蔽包装体包括氢和硼。