公开(公告)号：CN110400790A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201811404185.7

申请日：2018-11-23

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 崔福奎 ,  严柱日 ,  林相俊

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供具有电磁干扰屏蔽层的半导体封装。该半导体封装可以包括：布置在基板上的芯片；布置在所述基板上的导电结构，该导电结构包括导电结构框架，所述导电结构框架包括面向所述芯片的至少一个侧表面的侧表面，并且所述导电结构包括从所述导电结构框架朝所述基板的边缘延伸的导电结构指状物；以及电磁干扰(EMI)屏蔽层，该EMI屏蔽层覆盖所述芯片以及所述导电结构，并且接触所述导电结构指状物中的一个或者多个导电结构指状物的端部的侧表面。

公开(公告)号：CN108074916A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710218930.8

申请日：2017-04-05

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 严柱日 ,  李在薰 ,  林相俊

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/02 ,  H01L24/09 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0912 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586

摘要： 具有重分布线结构的半导体封装件。一种半导体封装件可以包括具有位于第一有源表面上的第一接合焊盘的第一半导体芯片。该半导体封装件可以包括具有布置在第二有源表面上的第二接合焊盘的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被堆叠成使得所述第一有源表面和所述第二有源表面彼此面对。

公开(公告)号：CN112117267A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201911081481.2

申请日：2019-11-07

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 严柱日 ,  李在薰 ,  林相俊

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

摘要： 具有中介层的层叠半导体封装件。根据本公开的一方面的半导体封装件包括：封装基板；顺序层叠在封装基板上的下芯片、中介层和上芯片；以及电连接封装基板和中介层的接合布线。中介层包括：在中介层的下表面上电连接至下芯片的下芯片连接焊盘；在中介层的上表面上分别电连接至上芯片的第一上芯片连接焊盘和第二上芯片连接焊盘；设置在中介层的上表面上并接合至接合布线的布线接合焊盘；设置在中介层的上表面上并且将第二上芯片连接焊盘电连接至布线接合焊盘的第一重分布线；以及将下芯片连接焊盘电连接至第一上芯片连接焊盘的通孔电极。

公开(公告)号：CN110400790B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201811404185.7

申请日：2018-11-23

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 崔福奎 ,  严柱日 ,  林相俊

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供具有电磁干扰屏蔽层的半导体封装。该半导体封装可以包括：布置在基板上的芯片；布置在所述基板上的导电结构，该导电结构包括导电结构框架，所述导电结构框架包括面向所述芯片的至少一个侧表面的侧表面，并且所述导电结构包括从所述导电结构框架朝所述基板的边缘延伸的导电结构指状物；以及电磁干扰(EMI)屏蔽层，该EMI屏蔽层覆盖所述芯片以及所述导电结构，并且接触所述导电结构指状物中的一个或者多个导电结构指状物的端部的侧表面。

公开(公告)号：CN108074916B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201710218930.8

申请日：2017-04-05

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 严柱日 ,  李在薰 ,  林相俊

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/488

摘要： 具有重分布线结构的半导体封装件。一种半导体封装件可以包括具有位于第一有源表面上的第一接合焊盘的第一半导体芯片。该半导体封装件可以包括具有布置在第二有源表面上的第二接合焊盘的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被堆叠成使得所述第一有源表面和所述第二有源表面彼此面对。

公开(公告)号：CN108511421A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810009665.7

申请日：2018-01-05

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 郑源德 ,  林相俊 ,  林星默

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 具有电磁干扰屏蔽或电磁波散射结构的半导体封装。公开了一种半导体封装。该半导体封装可以包括基板和半导体芯片，该半导体芯片按照使得所述半导体芯片的有源表面面对所述基板的表面的方式安装在所述基板的所述表面上方。所述半导体芯片和所述基板可以被配置用于屏蔽或散射电磁波。

公开(公告)号：CN103904063A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310293959.4

申请日：2013-07-12

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 朴庆坤 ,  林相俊 ,  严柱日 ,  崔福奎 ,  宋镇焕

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01P1/2039 ,  H01L2924/0002 ,  H01P1/203 ,  H05K1/0236 ,  H05K1/16 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/09354 ,  H05K2201/09781 ,  H01L2924/00

摘要： 根据一个实施例，一种半导体封装包括带阻滤波器，所述带阻滤波器包括：被布置在封装基板上的传输线图案；以及以与传输线图案分开的状态沿着传输线图案布置的导电短截线图案。

公开(公告)号：CN108511421B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201810009665.7

申请日：2018-01-05

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 郑源德 ,  林相俊 ,  林星默

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 具有电磁干扰屏蔽或电磁波散射结构的半导体封装。公开了一种半导体封装。该半导体封装可以包括基板和半导体芯片，该半导体芯片按照使得所述半导体芯片的有源表面面对所述基板的表面的方式安装在所述基板的所述表面上方。所述半导体芯片和所述基板可以被配置用于屏蔽或散射电磁波。

公开(公告)号：CN110053844A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910035377.3

申请日：2019-01-15

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李建泳 ,  林相俊 ,  金欢喜 ,  金炫佑 ,  文再梵 ,  李相佶

IPC分类号： B65D5/48 ,  B65D85/86

摘要： 本发明公开了一种被配置为包装半导体器件的中子屏蔽包装体。中子屏蔽包装体通过在半导体器件的空运期间与中子碰撞来减少在半导体器件中引起的电离总剂量TID缺陷。中子屏蔽包装体包括氢和硼。

公开(公告)号：CN109494213A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810824410.6

申请日：2018-07-25

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 严柱日 ,  林相俊 ,  崔福奎

IPC分类号： H01L23/522

摘要： 具有与寄生电容值有关的信号传输路径的封装基板。一种封装基板可包括具有第一寄生电容值的第一总信号路径以及具有不同于第一寄生电容值的第二寄生电容值的第二总信号路径。该封装基板可包括第一电容调节图案，该第一电容调节图案被设置在封装基板内并被配置为减小第一寄生电容值和第二寄生电容值之间的差异。