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公开(公告)号：CN115547644A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210603718.4
申请日：2022-05-30
摘要： 本发明提供了一种多晶硅变流变压器及控制系统，所述多晶硅变流变压器包括三相铁心、以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组，所述三相副边绕组中的每相副边绕组包括两组单相副边分裂绕组，共形成六组所述单相副边分裂绕组；每组所述单相副边分裂绕组均包括上部分线圈和下部分线圈，所述上部分线圈和所述下部分线圈之间可通过外部接线并联。本发明中提供的多晶硅变流变压器发生缺相时，将单相副边分裂绕组上、下两个分线圈并联后向同一负载输出，避免了传统多晶硅变流变压器结构存在上、下副边绕组不同时运行，即缺相运行导致的烧毁现象。
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公开(公告)号：CN116313441A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310393871.3
申请日：2023-04-12
摘要： 本发明提供一种变压器地屏结构及其制作方法，该结构包括：内绝缘结构、地屏本体和外绝缘结构；所述内绝缘结构为圆柱形筒体，所述地屏本体围绕所述内绝缘结构的外周设置，所述外绝缘结构围绕所述地屏本体的外周设置；所述地屏本体包括：地屏底板，多条金属带、地屏引线和绝缘隔板，所述地屏底板卷曲成圆柱形筒体绕置在所述内绝缘结构上，所述多条金属带横向设置在所述地屏底板的外表面上，所述金属带卷曲后的两个端部通过所述绝缘隔板隔离，所述地屏引线纵向设置所述多条金属带上，与每条金属带分别连接，并延伸至所述地屏底板的外部，用于接地。本发明中，采用各种类型的绝缘材料和更稳定的固定方式，通过地屏结构提高变压器安全性能和适用性。
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公开(公告)号：CN116190073A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310388538.3
申请日：2023-04-12
摘要： 本发明提供110kV三相组合式干式变压器的绝缘结构及变压器，所述绝缘结构包括：设置在每个所述单相变压器两柱之间的第一绝缘结构；设置在每柱所述低压绕组和所述高压绕组之间的第二绝缘结构；设置在每柱所述低压绕组和所述铁心之间的第三绝缘结构；以及所述高压绕组和所述低压绕组对地的第四绝缘结构。本发明中通过设置以上多种绝缘结构，增大了变压器带电体之间以及带电体对地的绝缘距离和爬电距离，使110kV干式变压器绝缘水平满足LI480LIC530/AC200kV、变压器的局部放电量＜30pC、变压器的绝缘耐热等级达到H级，同时使变压器整体能承受突发短路的情况。
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公开(公告)号：CN116031060A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310255885.9
申请日：2023-03-15
摘要： 本发明提供一种绕制模具和110kV电力干式变压器的浇注模具，该浇注模具包括：绕制模具、外模、底板、浇注料孔和出线面板；绕制模具包括：上定位板、下定位板和绕制有导线的内模；上定位板和所述下定位板为中空的环形，上定位板和下定位板的内径与内模的外径相匹配，上定位板套装在内模的上端部，下定位板套装在内模的下端部；绕制模具放置在底板上；出线面板对齐安装在上定位板和下定位板的一侧；外模套装在所述导线的外表面，与上定位板、下定位板、内模、底板和出线面板形成密封的浇注腔；浇注料孔设置在所述上定位板上。本发明中，浇注模具加工简单，装配及拆卸方便，可多次重复使用，制造成本低。
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公开(公告)号：CN116153634A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310388476.6
申请日：2023-04-12
IPC分类号： H01F27/32 , H01F27/28 , H01F27/34 , H01F27/29 , H01F27/40 , H01F27/36 , H01F27/08 , H01F27/30 , H01F27/26 , H01F38/00
摘要： 本发明提供一种组合式110kV三相干式变压器，包括：三个结构相同的单相变压器；其中，每个所述单相变压器均为两柱式，三个所述单相变压器均包括A柱和X柱，所述A柱和所述X柱的结构为：从内向外依次设置有铁心、低压绕组和高压绕组；所述低压绕组和所述高压绕组之间设置有绝缘材料；所述三个单相变压器的低压绕组之间通过外部连线连接；所述三个单相变压器的高压绕组之间通过外部连线连接。本发明提供的组合式110kV三相干式变压器不仅运行安全性能高、抗短路能力强、绝缘性能好、耐冲击，同时还是环境友好，无油、阻燃的安全产品，具有很好的市场前景。
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公开(公告)号：CN115588567A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211234917.9
申请日：2022-10-10
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工股份有限公司新疆变压器厂 , 特变电工超高压电气有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅变流变压器，包括：三相铁心、以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组；其中，每相所述副边绕组均为单相副边绕组，三相所述单相副边绕组之间相互电气独立，且彼此绝缘；每相所述原边绕组沿所述铁心轴向方向分裂为两个绕组，分别为第一原边绕组和第二原边绕组，每相中分裂的所述第一原边绕组和所述第二原边绕组之间并联或串联。本发明中提供的多晶硅变流变压器可同时当成10kV或者20kV产品使用，因而大大降低了用户的投资成本，特别适用于从10kV改造成20kV电网的多晶硅生产企业。同时无论工作10kV级或者20kV级受电状态，都能最大限度地获取最佳的电磁安匝平衡。
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公开(公告)号：CN211828440U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020432346.X
申请日：2020-03-30
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工京津冀智能科技有限公司 , 特变电工股份有限公司 , 特变电工超高压电气有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种有载调压干式电力变压器，包括变压器本体，所述变压器本体包括铁芯和线圈，所述有载调压干式电力变压器还包括固定件，所述固定件包括板式夹件和磁屏蔽层，所述板式夹件设置在所述变压器本体的外侧，用于夹持所述铁芯的上端部和/或下端部；所述磁屏蔽层设置在所述板式夹件上，用于屏蔽与铁芯片垂直的漏磁场。所述有载调压干式电力变压器能够有效减少变压器本体的漏磁，改善变压器本体漏磁畸变的问题。
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公开(公告)号：CN217562381U
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202221322639.8
申请日：2022-05-30
摘要： 本实用新型提供了一种多晶硅变流变压器及控制系统，所述多晶硅变流变压器包括三相铁心、以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组，所述三相副边绕组中的每相副边绕组包括两组单相副边分裂绕组，共形成六组所述单相副边分裂绕组；每组所述单相副边分裂绕组均包括上部分线圈和下部分线圈，所述上部分线圈和所述下部分线圈之间可通过外部接线并联。本实用新型中提供的多晶硅变流变压器发生缺相时，将单相副边分裂绕组上、下两个分线圈并联后向同一负载输出，避免了传统多晶硅变流变压器结构存在上、下副边绕组不同时运行，即缺相运行导致的烧毁现象。
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公开(公告)号：CN215955023U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202121804923.4
申请日：2021-08-04
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工京津冀智能科技有限公司 , 特变电工超高压电气有限公司 , 特变电工股份有限公司
摘要： 本实用新型公开一种绕组，包括绕组层和散热层；所述绕组层的数量为N个，其中，N≥3；所述散热层设置在相邻两个所述绕组层之间，相邻两个所述绕组层的导线首端与导线尾端相连，并穿过所述散热层；第i层绕组层的导线尾端与第i+1层绕组层的导线首端分别位于绕组的两端，其中，i＜N；剩余层数绕组层中，每层绕组层的导线尾端与与其相邻且设置在其外侧的绕组层的导线首端位于所述绕组的同一端，以使所述第一层绕组层的导线首端与所述第N层的绕组层的导线尾端位于绕组的同一端。该绕组能够使绕组首头与绕组尾头均位于绕组的同一端，有利于外部引线的连接，简化引线结构，还能够降低绕组层的层间电压。
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公开(公告)号：CN115705949A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110892211.0
申请日：2021-08-04
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工京津冀智能科技有限公司
摘要： 本发明提供一种立体三角形卷铁心及其制备方法、立体卷铁心变压器，立体三角形卷铁心由三个矩形框架铁心竖向布置且两两拼合形成，矩形框架铁心包括多个沿其厚度方向依次堆叠的矩形单框，多个矩形单框的内框长度均相等，且沿堆叠方向多个矩形单框沿矩形单框长度方向的两个内表面分别平齐，多个矩形单框的内框宽度沿堆叠方向先递减后递增，多个矩形单框的外框宽度和外框长度均沿堆叠方向分别递增后递减，以使矩形框架铁心的心柱横截面近似半圆形、矩形框架铁心的铁轭横截面近似三角形，且心柱横截面和铁轭横截面的面积相等，相邻两个矩形框架铁心拼合后的心柱横截面近似圆形。满足磁通密度的计算要求，从而能够实现立体三角形卷铁心的高效制备。
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