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公开(公告)号：CN117936249A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410225774.8
申请日：2024-02-29
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工股份有限公司 , 特变电工股份有限公司新疆变压器厂
摘要： 本发明提供一种干式变压器，包括：铁芯，具有三个芯柱，三个所述芯柱并列设置；低压绕组，每个所述芯柱上均套设一组所述低压绕组，各组所述低压绕组包括：套设于所述芯柱上且沿所述芯柱的轴线方向间隔排布的多个第一绕组、一一对应地套设于各所述第一绕组上的第二绕组，以及填充所述第一绕组与所述第二绕组之间的间隙的第一填充层；高压绕组，分别绕设在每组所述低压绕组上，所述低压绕组与所述高压绕组之间的间隙填充有第二填充层。本发明实现了低压绕组的纵向(芯柱的轴向)并联箔绕结构，能够均匀电流密度，减少涡流损耗，保障干式变压器的安全稳定运行。
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公开(公告)号：CN115588567A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211234917.9
申请日：2022-10-10
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工股份有限公司新疆变压器厂 , 特变电工超高压电气有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅变流变压器，包括：三相铁心、以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组；其中，每相所述副边绕组均为单相副边绕组，三相所述单相副边绕组之间相互电气独立，且彼此绝缘；每相所述原边绕组沿所述铁心轴向方向分裂为两个绕组，分别为第一原边绕组和第二原边绕组，每相中分裂的所述第一原边绕组和所述第二原边绕组之间并联或串联。本发明中提供的多晶硅变流变压器可同时当成10kV或者20kV产品使用，因而大大降低了用户的投资成本，特别适用于从10kV改造成20kV电网的多晶硅生产企业。同时无论工作10kV级或者20kV级受电状态，都能最大限度地获取最佳的电磁安匝平衡。
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公开(公告)号：CN115547644A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210603718.4
申请日：2022-05-30
摘要： 本发明提供了一种多晶硅变流变压器及控制系统，所述多晶硅变流变压器包括三相铁心、以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组，所述三相副边绕组中的每相副边绕组包括两组单相副边分裂绕组，共形成六组所述单相副边分裂绕组；每组所述单相副边分裂绕组均包括上部分线圈和下部分线圈，所述上部分线圈和所述下部分线圈之间可通过外部接线并联。本发明中提供的多晶硅变流变压器发生缺相时，将单相副边分裂绕组上、下两个分线圈并联后向同一负载输出，避免了传统多晶硅变流变压器结构存在上、下副边绕组不同时运行，即缺相运行导致的烧毁现象。
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公开(公告)号：CN116153634A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310388476.6
申请日：2023-04-12
IPC分类号： H01F27/32 , H01F27/28 , H01F27/34 , H01F27/29 , H01F27/40 , H01F27/36 , H01F27/08 , H01F27/30 , H01F27/26 , H01F38/00
摘要： 本发明提供一种组合式110kV三相干式变压器，包括：三个结构相同的单相变压器；其中，每个所述单相变压器均为两柱式，三个所述单相变压器均包括A柱和X柱，所述A柱和所述X柱的结构为：从内向外依次设置有铁心、低压绕组和高压绕组；所述低压绕组和所述高压绕组之间设置有绝缘材料；所述三个单相变压器的低压绕组之间通过外部连线连接；所述三个单相变压器的高压绕组之间通过外部连线连接。本发明提供的组合式110kV三相干式变压器不仅运行安全性能高、抗短路能力强、绝缘性能好、耐冲击，同时还是环境友好，无油、阻燃的安全产品，具有很好的市场前景。
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公开(公告)号：CN221841716U
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202420399147.1
申请日：2024-02-29
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工股份有限公司 , 特变电工股份有限公司新疆变压器厂
摘要： 本实用新型提供一种干式变压器，包括：铁芯，具有三个芯柱，三个所述芯柱并列设置；低压绕组，每个所述芯柱上均套设一组所述低压绕组，各组所述低压绕组包括：套设于所述芯柱上且沿所述芯柱的轴线方向间隔排布的多个第一绕组、一一对应地套设于各所述第一绕组上的第二绕组，以及填充所述第一绕组与所述第二绕组之间的间隙的第一填充层；高压绕组，分别绕设在每组所述低压绕组上，所述低压绕组与所述高压绕组之间的间隙填充有第二填充层。本实用新型实现了低压绕组的纵向(芯柱的轴向)并联箔绕结构，能够均匀电流密度，减少涡流损耗，保障干式变压器的安全稳定运行。
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公开(公告)号：CN219512942U
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202320806300.3
申请日：2023-04-12
IPC分类号： H01F27/32 , H01F27/28 , H01F27/34 , H01F27/29 , H01F27/40 , H01F27/36 , H01F27/08 , H01F27/30 , H01F27/26 , H01F38/00
摘要： 本实用新型提供一种组合式110kV三相干式变压器，包括：三个结构相同的单相变压器；其中，每个所述单相变压器均为两柱式，三个所述单相变压器均包括A柱和X柱，所述A柱和所述X柱的结构为：从内向外依次设置有铁心、低压绕组和高压绕组；所述低压绕组和所述高压绕组之间设置有绝缘材料；所述三个单相变压器的低压绕组之间通过外部连线连接；所述三个单相变压器的高压绕组之间通过外部连线连接。本实用新型提供的组合式110kV三相干式变压器不仅运行安全性能高、抗短路能力强、绝缘性能好、耐冲击，同时还是环境友好，无油、阻燃的安全产品，具有很好的市场前景。
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公开(公告)号：CN219658532U
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202320339869.3
申请日：2023-02-27
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工超高压电气有限公司 , 特变电工股份有限公司新疆变压器厂
摘要： 本实用新型公开一种多晶硅变流变压器，其包括三相铁芯、变压组件和多个光纤测温组件，变压组件包括由内向外依次套设于三相铁芯外围的副边绕组、绝缘筒、原边绕组，各副边绕组彼此独立且相互绝缘，副边绕组包括多个间隔设置的线匝单元，各线匝单元串联，且各线匝单元具有不同匝数的导体，绝缘筒设置于原边绕组和副边绕组之间；光纤测温组件的数量与线匝单元的数量一致，且光纤测温组件一一对应地安装于对应的线匝单元上，光纤测温组件用于测量对应的线匝单元的温度。本实用新型中光纤测温组件能够在强电磁干扰和高效的环境下满足变压器设备的测温需求，保证测温的灵敏度和精度，且有效地避免了因无法及时发现发热点而导致散热不良的情况。
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公开(公告)号：CN217562358U
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202221291728.0
申请日：2022-05-26
IPC分类号： H01F27/08 , H01F27/245
摘要： 本实用新型公开了一种变压器铁芯和干式变压器，该变压器铁芯包括散热结构以及多个相互堆叠排列的铁芯叠片，铁芯叠片包括上轭区、下轭区和芯柱区，散热结构包括多个沿铁芯叠片的堆叠方向间隔设置的散热组件，多个散热组件将多个铁芯叠片分隔形成多个散热区，各散热组件均包括多个间隔安装于相邻的两个铁芯叠片之间的散热件，每一散热件均呈中空设置。使得多个散热组件将铁芯叠片划分为多个散热区进行散热，从而实现了对铁芯叠片的分区散热，同时，中空设置的散热件间隔设置，有利于空气的流通，强化了铁芯叠片的散热能力，有利于变压器的正常运行，同时避免了因为铁芯高温造成的器件加速老化的现象，延长了变压器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN219349952U
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202320802908.9
申请日：2023-04-12
摘要： 本实用新型提供一种110kV干式变压器的夹件结构及具有其的变压器，所述夹件结构中：所述上夹件组中包括第一上夹件、第二上夹件和第一拉紧件，所述第一上夹件中包括第一腹板，所述第二上夹件中包括第二腹板；所述下夹件组中包括第一下夹件、第二下夹件和第二拉紧件，所述第一下夹件中包括第三腹板，所述第二下夹件中包括第四腹板；所述第一腹板、所述第二腹板、所述第三腹板和所述第四腹板均至少有一端具有弧形结构。本实用新型中通过所述弧形结构，能够增大所述出线端子与所述夹件结构之间的电气间隙，保证了出线端子对地的绝缘距离。同时还能有效降低夹件结构重量，提高了变压器产品运行稳定性且有效降低产品材料成本及运输成本。
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公开(公告)号：CN218513301U
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202222659771.4
申请日：2022-10-10
申请人： 特变电工智能电气有限责任公司 , 特变电工股份有限公司新疆变压器厂 , 特变电工超高压电气有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种多晶硅变流变压器，包括：三相铁心、以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组；其中，每相所述副边绕组均为单相副边绕组，三相所述单相副边绕组之间相互电气独立，且彼此绝缘；每相所述原边绕组沿所述铁心轴向方向分裂为两个绕组，分别为第一原边绕组和第二原边绕组，每相中分裂的所述第一原边绕组和所述第二原边绕组之间并联或串联。本实用新型中提供的多晶硅变流变压器可同时当成10kV或者20kV产品使用，因而大大降低了用户的投资成本，特别适用于从10kV改造成20kV电网的多晶硅生产企业。同时无论工作10kV级或者20kV级受电状态，都能最大限度地获取最佳的电磁安匝平衡。
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